公开(公告)号：CN1802741A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480015983.0

申请日：2004-04-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 塚田能成 ,  蜂须贺公朗 ,  鑓田宏 ,  高野文朋 ,  山中保朗

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括设置在半导体元件和散热片(12)之间的中间层(13)。中间层减少在半导体元件产生热时由于半导体元件的热膨胀和散热片的热膨胀之差产生的热应力。这种热应力整体减少了半导体装置的翘曲。

公开(公告)号：CN100385652C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200480015983.0

申请日：2004-04-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 塚田能成 ,  蜂须贺公朗 ,  鑓田宏 ,  高野文朋 ,  山中保朗

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括设置在半导体元件和散热片(12)之间的中间层(13)。中间层减少在半导体元件产生热时由于半导体元件的热膨胀和散热片的热膨胀之差产生的热应力。这种热应力整体减少了半导体装置的翘曲。