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公开(公告)号：CN118460322A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410169397.0
申请日：2024-02-06
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种培养装置。培养装置(100)具有收容培养液(L)和微藻类的收容部(42)。在收容部设置有导向部(50)和气体供给部(84)。气体供给部具有延伸管部(84p)，所述延伸管部(84p)从导向部的深度方向上的上部延伸到下部。延伸管部在导向部中的深度方向的下部供给气体。通过该气体，培养液发生对流(A、B)。对流包括从收容部中的深度方向的下部流向上部的上升流。当设上升流通过的部分为上升流区域(UA)时，延伸管部被配置在上升流区域。据此，促进微藻类的培养。
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公开(公告)号：CN101517132B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780034208.3
申请日：2007-08-22
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: C25D17/02 , C25D17/008 , C25D21/10 , G01R33/063 , G01R33/18 , H01F41/24
Abstract: 提供一种可以对轴状构件的表面高速施加具有均一厚度和均一组分的磁性合金镀膜的镀膜装置。镀膜装置(1)具有积存镀膜液(2)的镀膜槽(3)，是以浸渍在镀膜液中的轴状构件(5)为阴极对该轴状构件(5)施以磁性合金镀膜的镀膜装置。镀膜装置(1)具有：以轴状构件(5)为旋转轴进行旋转的旋转机构(6)；安装在轴状构件(5)的外周面上的环状的遮蔽夹具(13)、(14)、(15)；具有镀膜液喷口(26)的镀膜液喷嘴(9)，该镀膜液喷口(26)避开所述遮蔽夹具(13)、(14)、(15)并与轴状构件(5)相对配置；设置在轴状构件(5)和镀膜液喷嘴(9)周围的阳极(10)。
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公开(公告)号：CN101329209B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810110258.1
申请日：2008-06-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明公开一种磁致伸缩扭矩传感器(10)，其包括用于根据输入扭矩旋转并且具有磁致伸缩膜(14A)和(14B)的旋转轴(11)、将交变磁场(31)施加于磁致伸缩膜上的励磁线圈(12)、以及各自检测相关联的一个磁致伸缩膜的磁特性变化的检测线圈(13A)和(13B)，其中由偏压电源(17)将偏置磁场添加到交变磁场，以满足以下条件：Hm＜Hin＜Hn；且-Hm＞-Hin＞-Hn，其中Hm(＞0)是对应于根据磁致伸缩膜磁滞曲线获得的最大导磁率处的施加磁场，示出了由交变磁场引起的磁化，Hn(＞0)是对应于不连续磁化范围端点处的施加磁场，Hin(＞0)是确定灵敏度范围的施加磁场，该灵敏度范围设定在表征磁致伸缩膜磁致伸缩灵敏度的磁致伸缩灵敏度曲线上。
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公开(公告)号：CN101329209A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810110258.1
申请日：2008-06-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明公开一种磁致伸缩扭矩传感器(10)，其包括用于根据输入扭矩旋转并且具有磁致伸缩膜(14A)和(14B)的旋转轴(11)、将交变磁场(31)施加于磁致伸缩膜上的励磁线圈(12)、以及各自检测相关联的一个磁致伸缩膜的磁特性变化的检测线圈(13A)和(13B)，其中由偏压电源(17)将偏置磁场添加到交变磁场，以满足以下条件：Hm＜Hin＜Hn；且－Hm＞－Hin＞－Hn，其中Hm(＞0)是对应于根据磁致伸缩膜磁滞曲线获得的最大导磁率处的施加磁场，示出了由交变磁场引起的磁化，Hn(＞0)是对应于不连续磁化范围端点处的施加磁场，Hin(＞0)是确定灵敏度范围的施加磁场，该灵敏度范围设定在表征磁致伸缩膜磁致伸缩灵敏度的磁致伸缩灵敏度曲线上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1952637A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610163573.1
申请日：2006-10-08
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁致伸缩扭矩传感器(10)以及具有该传感器的电动转向设备。所述传感器包括形成在旋转轴(11)表面的整个周向外周上的第一、第二和第三磁致伸缩薄膜(14A，14B，14C)。该第一、第二和第三磁致伸缩薄膜分别设有感测阻抗变化的第一、第二和第三传感线圈(13A，13B，13C)。根据从该第一至第三传感线圈输出的阻抗变化的信号被输入到扭矩计算单元(17)。扭矩计算单元(17)基于来自该第一传感线圈的输出信号和来自第二传感线圈的输出信号而计算施加于旋转轴的扭矩。此外，故障检测器(18)比较来自该第一至第三传感线圈的输出信号，并且检测该第一磁致伸缩薄膜或第二磁致伸缩薄膜中的故障。
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公开(公告)号：CN118946658A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202380030748.3
申请日：2023-02-20
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 培养装置(10)具有气体供给部(16)和多个收容部(12a～12c)。气体供给部和多个收容部经由多个气体供给管道(20、22a、22b)分别连接。在多个气体供给管道上分别设置多个阀(24a～24c)。在将微藻类在多个收容部中培养的过程中，调节多个阀的开度。通过该开度调节，在多个收容部中的1个(12a)中，供给有比其他的收容部(12b、12c)更大量的气体。
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公开(公告)号：CN117136229A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202280025571.3
申请日：2022-02-24
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: C12M1/00
Abstract: 培养装置(10)的培养槽(12)具有引导部(18)和气体供给口(20)，所述引导部由接合该培养槽的内壁面彼此而形成；所述气体供给口能够朝向铅垂方向的上方且向引导部的内侧供给气体。在引导部上设置有通过经由气体供给口供给气体，将培养槽内的培养液(L)从引导部的外侧吸入到内侧的吸入口(22)和从内侧排出到外侧的排出口(24)。排出口被配置于吸入口的上方，沿与铅垂方向交叉的一个方向排出培养液。
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公开(公告)号：CN117043314A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280021385.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: C12M1/00
Abstract: 培养装置(10)具有侧壁由具有透光性的材料形成的培养槽(12)，在被收容于培养槽(12)内且经由侧壁被照射光的培养液(L2)中培养微藻。培养装置(10)具有覆盖侧壁的透光性的隔热部(16)。隔热部(16)形成对培养槽(12)的内部进行隔热的空气层(52)。
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