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公开(公告)号：CN108878155B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810458965.3
申请日：2018-05-14
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种蓄电式电源装置，其并联连接有多个蓄电装置(10)，且具备：正极侧并联连接导体(30)，其将多个蓄电装置的各正极端子从自己的正极第一端部(31)到正极第二端部(32)以等间隔连接而沿着并联方向延伸；负极侧并联连接导体(40)，其将多个蓄电装置(10)的各负极端子从自己的负极第一端部到负极第二端部以等间隔连接而沿着并联方向延伸，正极侧并联连接导体在从正极第一端部以自己的长边方向的全长的20％至30％的范围分离开的位置设定有正极侧外部连接部，负极侧并联连接导体在从负极第二端部以自己的长边方向的全长的20％至30％的范围分离开的位置设定有负极侧外部连接部。由此，能够延长作为蓄电式电源装置的耐用年数。
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公开(公告)号：CN108878155A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810458965.3
申请日：2018-05-14
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种蓄电式电源装置，其并联连接有多个蓄电装置(10)，且具备：正极侧并联连接导体(30)，其将多个蓄电装置的各正极端子从自己的正极第一端部(31)到正极第二端部(32)以等间隔连接而沿着并联方向延伸；负极侧并联连接导体(40)，其将多个蓄电装置(10)的各负极端子从自己的负极第一端部到负极第二端部以等间隔连接而沿着并联方向延伸，正极侧并联连接导体在从正极第一端部以自己的长边方向的全长的20％至30％的范围分离开的位置设定有正极侧外部连接部，负极侧并联连接导体在从负极第二端部以自己的长边方向的全长的20％至30％的范围分离开的位置设定有负极侧外部连接部。由此，能够延长作为蓄电式电源装置的耐用年数。
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公开(公告)号：CN108322029A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810034759.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体电路，能够在相对的两个母线中略微产生电感。集电极侧母线(46)与发射极侧母线(41)在相互绝缘的状态下并排且相互固定地配置，在集电极侧母线(46)与发射极侧母线(41)的一方或者双方具备使集电极侧母线(46)与发射极侧母线(41)之间产生电感之差的电感产生部(411)。
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公开(公告)号：CN101467252B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200780021119.5
申请日：2007-05-17
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，由下述部分构成：并列配置在同一平面上的一对半导体芯片(402、404)；接合在一个半导体芯片(402)的集电极侧的表面上的高压汇流条(21)；通过焊丝(27)连接在另一个半导体芯片(404)的发射极侧的表面上的低压汇流条(23)；通过焊丝(26)连接在一个半导体芯片(402)的发射极侧的表面上的第1金属配线板(24-1)；接合在另一个半导体芯片(404)的集电极侧的表面上的第2金属配线板(24-2)；连接在第1金属配线板(24-1)上的第3金属配线板(24-3)；从第2金属配线板(24-2)的端部折回连结的第4金属配线板(24-4)；具有分别从第3金属配线板(24-3)和第4金属配线板(24-4)的端部延伸的输出端子(405)的输出汇流条(24)。
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公开(公告)号：CN108322029B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810034759.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体电路，能够在相对的两个母线中略微产生电感。集电极侧母线(46)与发射极侧母线(41)在相互绝缘的状态下并排且相互固定地配置，在集电极侧母线(46)与发射极侧母线(41)的一方或者双方具备使集电极侧母线(46)与发射极侧母线(41)之间产生电感之差的电感产生部(411)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109483033A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811067915.9
申请日：2018-09-13
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种电阻焊接方法和电阻焊接装置。本发明的电阻焊接方法具有：电流控制步骤，按顺序进行第一控制、第二控制、第三控制，其中，第一控制将作为直流的焊接电流保持在电流值I1(第一目标值)或该电流值I1的附近，第二控制在使焊接电流从电流值I1上升到电流值I2(第二目标值；I2>I1)后，将焊接电流保持在电流值I2或该电流值I2附近，第三控制使焊接电流从电流值I2下降到小于电流值I1的值；和通电步骤，边反复多次进行电流控制步骤边使所述焊接电流流动，直到经过规定的通电时间为止。根据本发明，能够进行较简易的电流控制的同时，抑制飞溅的产生。
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公开(公告)号：CN101819965B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010177529.2
申请日：2007-05-17
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/49575 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，由下述部分构成：并列配置在同一平面上的一对半导体芯片(402、404)；接合在一个半导体芯片(402)的集电极侧的表面上的高压汇流条(21)；通过焊丝(27)连接在另一个半导体芯片(404)的发射极侧的表面上的低压汇流条(23)；通过焊丝(26)连接在一个半导体芯片(402)的发射极侧的表面上的第1金属配线板(24-1)；接合在另一个半导体芯片(404)的集电极侧的表面上的第2金属配线板(24-2)；连接在第1金属配线板(24-1)上的第3金属配线板(24-3)；从第2金属配线板(24-2)的端部折回连结的第4金属配线板(24-4)；具有分别从第3金属配线板(24-3)和第4金属配线板(24-4)的端部延伸的输出端子(405)的输出汇流条(24)。
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公开(公告)号：CN101501847B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200780029278.X
申请日：2007-07-25
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括第一及第二组装体(12A、12B)。第一组装体具有第一半导体芯片、接合在第一半导体芯片的一侧表面上的高压母线(21)、通过接合线连接在第一半导体芯片的另一侧表面上的第一金属配线板(24-1)、连接在第一金属配线板上的第三金属配线板(24-3)。第二组装体具有第二半导体芯片、通过接合线连接在第二半导体芯片的一侧表面上的低压母线(23)、接合在第二半导体芯片的另一侧表面上的第二金属配线板(24-2)、从第二金属配线板的端部折回地连结且与第二金属配线板平行地配置的第四金属配线板(24-4)。第一及第二组装体以隔开间隔的层叠结构配置。通过该半导体模块结构能够降低主电路的电感。
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公开(公告)号：CN101501847A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029278.X
申请日：2007-07-25
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括第一及第二组装体(12A、12B)。第一组装体具有第一半导体芯片、接合在第一半导体芯片的一侧表面上的高压母线(21)、通过接合线连接在第一半导体芯片的另一侧表面上的第一金属配线板(24－1)、连接在第一金属配线板上的第三金属配线板(24－3)。第二组装体具有第二半导体芯片、通过接合线连接在第二半导体芯片的一侧表面上的低压母线(23)、接合在第二半导体芯片的另一侧表面上的第二金属配线板(24－2)、从第二金属配线板的端部折回地连结且与第二金属配线板平行地配置的第四金属配线板(24－4)。第一及第二组装体以隔开间隔的层叠结构配置。通过该半导体模块结构能够降低主电路的电感。
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公开(公告)号：CN114025905B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202080046674.9
申请日：2020-04-13
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: B23K11/11
Abstract: 提供能够在抑制产生喷溅的同时可靠地对金属板层叠体进行焊接的点焊方法。在点焊方法中，脉冲电流通过DC斩波控制方法分成第1通电工序和第2通电工序进行通电。在DC斩波控制方法中，通过利用电流开关(28)对针对一对电极(12、22)的通电和通电停止进行切换，生成脉冲电流的脉冲波形，第1通电工序的脉冲电流与第2通电工序的脉冲电流相比，峰值电流值被设定为相同的值A1，功率被设定为更大的值。
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