-
公开(公告)号：CN104993006A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510269958.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/032 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/074 , H01L31/02363 , H01L31/032 , H01L31/1804 , H01L31/186
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属氧化物-硅异质结太阳能电池及其制备方法。该过渡金属氧化物-硅异质结太阳能电池包括金属背电极、硅倒金字塔阵列、N型硅基底、硅金字塔阵列、空穴传输层和电池的正极；其中，所述的空穴传输层为过渡金属氧化物薄膜。本发明用过渡金属氧化物薄膜作为空穴传输层，一方面相对P型的共轭有机物作为空穴传输层，提高了太阳能电池的稳定性，降低了工艺上对封装的要求，从而降低了制造成本，另一方面相对传统的硅太阳能电池，不需要高温磷扩散及去扩散层等工艺，简化了工艺，大大节约了制造成本。另外，本发明还对硅基的表面进行甲基化处理，不仅提高了器件的性能，还提高了器件在空气中的稳定性。
-
公开(公告)号：CN110305019B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201910756048.8
申请日：2019-08-15
Applicant: 暨南大学
IPC: C07C209/00 , C07C211/04 , C07C211/03
Abstract: 本发明涉及一种二维层状钙钛矿晶体及其制备方法，该方法主要包括，取一定量的丁胺氢碘酸盐或者丁胺氢碘酸盐与甲基碘化胺，与一定量的碘化铅研磨混合均匀，得混合粉末；将所述混合粉末转移至聚四氟乙烯内胆中密封；将密封后的聚四氟乙烯内胆放入反应釜中，在160‑200℃下加热24‑48小时，得二维层状钙钛矿晶体(BA)2(CH3NH3)n‑1PbnI3n+1，其中，n为正整数。该方法不使用有毒的溶液进行反应，更加绿色环保。并且采用该方法制备的二维层状钙钛矿晶体稳定性好。
-
公开(公告)号：CN115020590A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210614089.5
申请日：2022-06-01
Applicant: 暨南大学 , 光机电(广州)科技研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了钙钛矿光电探测器、钙钛矿光电探测器阵列及其制备方法，钙钛矿光电探测器包括依次层叠设置的导电基底、钙钛矿光电二极管层、阻挡二极管层和顶部电极；钙钛矿光电探测器阵列包括依次层叠设置的导电基底、钙钛矿光电二极管层、阻挡二极管层和顶部电极；所述导电基底刻蚀有多条沿着第一方向等间距设置的底部电极，多条底部电极组成底部电极阵列，所述顶部电极沿着第二方向等间距设有多条，多条顶部电极组成顶部电极阵列，所述底部电极阵列与顶部电极阵列垂直交叉设置。本发明首次提出一种由钙钛矿光电二极管集成阻挡二极管的新型钙钛矿光电探测器结构；本发明用简单的结构实现了钙钛矿光电探测器的阵列集成，其能够抑制电串扰问题。
-
公开(公告)号：CN114613913A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210240999.1
申请日：2022-03-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种甲脒铅碘基(FAPbI3)钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1.得到预处理后的导电基底；S2.形成电子传输层；S3.在电子传输层表面制备FAPbI3钙钛矿前驱薄膜；S4.将FAPbI3钙钛矿前驱薄膜放置于湿度≥70％的环境中，形成纯黄色相FAPbI3钙钛矿薄膜；S5.将纯黄色相FAPbI3钙钛矿薄膜进行热退火处理形成纯黑色相的FAPbI3钙钛矿薄膜；S6.形成空穴传输层；S7.形成电极，得到甲脒铅碘基钙钛矿太阳能电池。本发明采用气相法制备纯FAPbI3钙钛矿作为光吸收层，避免了引入溶剂、甲胺、铯等元素产生的副作用，得到的器件光电转换效率高。
-
公开(公告)号：CN114545031A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210134118.8
申请日：2022-02-14
Abstract: 本申请涉及一种原子力显微镜探针的品质因数调整方法和装置，所述方法通过获取第一曲线和第二曲线；第一曲线为根据探针的品质因数，以及第一音叉臂的第一附加物和第二音叉臂的第二附加物的质量差值得到；第二曲线为根据质量差值以及第二附加物的腐蚀时间得到；获取探针的当前品质因数，并根据当前品质因数和第一曲线，得到当前质量差值；根据当前质量差值和第二曲线，得到第二附加物的目标腐蚀时间；根据目标腐蚀时间对第二附加物进行处理，得到目标探针。该方法通过多次腐蚀微调，使第二附加物的质量非常接近第一附加物，从而起到提高探针品质因数的作用。探针是原子力显微镜的一个重要部件，探针品质因数的提高对于原子力显微镜具有重要意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112436090A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011183972.0
申请日：2020-10-29
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于气相法调控钙钛矿薄膜结构的方法。本发明采用混合蒸气法，将镀有PbI2的衬底倒扣在MAI和其他有机胺盐的混合粉末上，在10～1000Pa、150～180℃下反应30～400min，得到不同结构的钙钛矿薄膜。本发明的制备方法工艺简单，效率高，可适用于规模化生产。
-
公开(公告)号：CN110306236B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910628556.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，该方法采用溶液辅助固相热解的方法进行V6O13单晶片的制备，其先后经历V2O5前驱液的配制、滴涂以及热处理三个步骤；该方法克服了气相、固相法难以合成出V6O13、溶液法以及溶剂热解方式制备存在不纯以及结晶性差的问题，其不但制备工艺简单，效率高，而且所制备出的V6O13单晶片具有尺寸大、生长取向好、物相单一等优点；解决了目前实验上难以合成高质量V6O13单晶的困难。更重要的是，本发明提供的V6O13单晶的制备方法能够大批量制备。因此，本发明实施例中提供的大尺寸V6O13单晶片及其制备方法对进一步研究V6O13的相关性能提供了原材料。
-
公开(公告)号：CN109928427A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910216725.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G39/02 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540-600℃的大气环境下保持5-20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
-
公开(公告)号：CN109402574A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811463202.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于功能纳米材料领域，具体涉及一种分散型自组装VO2纳米颗粒的制备方法。该方法将固态薄膜反湿润和热解法相结合，通过V2O5前驱薄膜制备和后热处理两个步骤即可制备出分散型自组装VO2纳米颗粒。该方法克服了传统模板法工艺复杂、成本高的缺点，不但具有工艺简单、成本低廉的优点，而且所制备出的分散型VO2纳米颗粒具有颗粒分布均匀、物相单一的特点；此外，通过调控V2O5前驱薄膜的厚度，能够制备出不同粒径的VO2纳米颗粒，从而实现了MIT温度及迟滞宽度随VO2纳米颗粒的粒径增大而减小的可控性，部分产品表现出41℃相变温度及零迟滞的优异相变行为，所得VO2纳米颗粒在智能窗领域具有重要的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108996918A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810833370.1
申请日：2018-07-26
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米NiOx电致变色薄膜及其制备方法和用途，该方法包括以下步骤：首先通过化学沉淀法制备了由NiOx纳米纳米晶粉体，然后将制备的粉末均匀分散于低沸点溶液中，得到NiOx纳米晶墨水，再采用旋涂法和低温退火制备所述纳米NiOx电致变色薄膜。本发明制备的纳米NiOx电致变色薄膜在低温退火成膜且无需惰性气体保护，极大减少制作成本。薄膜成膜均匀性好、光学透过率调制范围宽、响应时间快、循环稳定性良好，可应用于各类电致变色器件领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.028 seconds)
