公开(公告)号：CN115752761A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211360803.9

申请日：2022-11-02

Applicant: 暨南大学

Inventor： 关贺元 ,  隋展 ,  章灏然 ,  林云 ,  陈炳羽 ,  卢惠辉 ,  丘文涛 ,  陈哲 ,  杨铁锋 ,  张子龙

IPC: G01J9/02

Abstract: 一种利用SPR增强非线性效应的光学相位检测方法及装置，方法包括，不同相位的相干光束形成干涉，产生基频光干涉条纹图像；以共振角入射到斜面镀有金膜的Kretschmann结构，激发表面等离子体共振，减小反射光强度，提高非线性转换效应；滤除反射光中基频光，采集高次谐波的干涉条纹图像或功率数据进行干涉鉴相。本发明将相位差信息转换为光学非线性信息，并采用表面等离子体共振进行非线性效应的增强，完成对非线性效应的增强，相位检测能力被二次方和三次方放大，达到增强干涉图像亮纹与暗纹的对比度、提升了相位测量的精度与分辨率。

公开(公告)号：CN112014983A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010947193.7

申请日：2020-09-10

Applicant: 暨南大学

Inventor： 卢惠辉 ,  陈哲 ,  张欣悦 ,  尚菊梅 ,  董江莉 ,  关贺元 ,  李克 ,  刘丽玲 ,  丘文涛

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02B6/12 ,  G02B6/125 ,  G02B6/134 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关及其制作方法。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层和基底；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂内部包裹有质子交换铌酸锂波导；所述质子交换铌酸锂波导形成波导区，所述波导区呈Y字形，所述波导区包括输入端、渐变区和输出端，所述波导区之外的区域为非波导区。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。

公开(公告)号：CN218767125U

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202222794640.7

申请日：2022-10-24

Applicant: 暨南大学

Inventor： 丘文涛 ,  余健辉 ,  周添翼 ,  卢惠辉 ,  关贺元

IPC: G01R29/12 ,  G01R15/24

Abstract: 本实用新型公开了一种全光纤集成的电光晶体电场探头及解调装置，该电光晶体电场探头包括：保偏光纤，第一玻璃套管、第二玻璃套管、准直透镜、1/4波片、电光晶体和反射膜保偏光纤与第一玻璃套管固定连接，第一玻璃套管与第二玻璃套管固定连接，保偏光纤与准直透镜连接，准直透镜与1/4波片连接，1/4波片与电光晶体连接，电光晶体与反射膜连接；准直透镜和1/4波片设于第二玻璃套管内。本实用新型解决空间光学元件难集成、易受振动、体积大、难以耦合等造成电场测量不稳定的问题，提高测量装置的灵敏度和稳定性。

公开(公告)号：CN215910748U

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202121770694.9

申请日：2021-07-29

Applicant: 暨南大学

Inventor： 关贺元 ,  卢惠辉 ,  陈立均 ,  吴岱 ,  李鹏 ,  丘文涛 ,  陈哲 ,  王建新 ,  韩鑫洋 ,  明经渊 ,  梁爱杰

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 本实用新型公开了一种光控太赫兹光纤调制器，该光控太赫兹光纤调制器包括：用来传输太赫兹波的太赫兹光纤，太赫兹光纤的侧边设置抛磨区域，侧边设置有抛磨区域的太赫兹光纤端面呈“D”型；抛磨区域上设置具有微纳结构的超材料，超材料上设置石墨烯，形成作为光调制结构的石墨烯‑超材料结构。本实用新型采用侧边抛磨太赫兹光纤结构，能有效降低太赫兹波在自由空间中的损耗，增大石墨烯与太赫兹波倏逝场的接触面积，提高了调制效率。

公开(公告)号：CN208224650U

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201721865700.2

申请日：2017-12-27

Applicant: 暨南大学

Inventor： 卢惠辉 ,  董江莉 ,  田富鹏 ,  陈哲 ,  余健辉 ,  关贺元 ,  罗云瀚 ,  丘文涛

IPC: G02F1/035

Abstract: 本实用新型涉及一种光波导及幅度调制器，包括衬底、第一掩膜板、第二掩膜板、波导芯层、第一偏转电极和第二偏转电极。基于cmos工艺的衬底、第一掩膜板和第二掩膜板形成波导槽，波导槽底部的波导芯层用于待调光束，在第一偏转电极和第二偏转电极接入驱动电压后，通过波导芯层与驱动电压的电光效应，改变待调光束的折射率。基于此，有效降低实现光场偏转所需的驱动电压，缩小实现光场偏转所需的器件的尺寸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN213092051U

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202021973505.3

申请日：2020-09-10

Applicant: 暨南大学

Inventor： 卢惠辉 ,  陈哲 ,  张欣悦 ,  尚菊梅 ,  董江莉 ,  关贺元 ,  李克 ,  刘丽玲 ,  丘文涛

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122

Abstract: 本实用新型涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层、基底，所述基底设置有输入端和输出端；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底包括波导区和非波导区，所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂包裹有质子交换铌酸锂波导。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。