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公开(公告)号：CN1856823A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027438.3
申请日：2004-09-22
Abstract: 通过使垂直磁记录层的结构更加精细，而使得可以进行高密度记录。垂直磁记录介质10包括在非磁性基底1上层叠的至少非磁性下层2、垂直磁性层3以及保护层，其中垂直磁性层包括铁磁性晶粒和非磁性晶粒间界区域，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物。
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公开(公告)号：CN1487507A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
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公开(公告)号：CN114252818A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110974817.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的课题是抑制利用了磁致阻抗效应的磁传感器的输出中的S/N的降低。本发明的磁传感器(1)具备感应元件(31)，所述感应元件(31)具有多个软磁体层(105)、和设置于多个软磁体层之间的非磁性非晶金属层(106)，夹持非磁性非晶金属层(106)而相对的软磁体层(105)是经反铁磁性耦合的，所述感应元件(31)通过磁致阻抗效应来感应磁场。
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公开(公告)号：CN113906303A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080041266.4
申请日：2020-11-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G01R33/06
Abstract: 磁传感器具备非磁性的基板和感应元件31，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，感应元件31具有多个软磁体层105a～105d、和由非磁体构成且层叠于多个软磁体层105a～105d之间的多个非磁体层106a～106c，夹着各个非磁体层106a～106c而相对的软磁体层105a～105d是经反铁磁性耦合的。
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公开(公告)号：CN111033856A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053172.1
申请日：2018-08-22
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01M10/052 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/0562 , H01M10/0585
Abstract: 锂离子二次电池(1)具有：包含正极活性物质的正极层(20)、包含显示锂离子传导性的无机固体电解质的固体电解质层(30)、以及作为负极侧的电极发挥作用的负极集电体层(50)，负极集电体层(50)具备保持层(51)和被覆保持层(51)的被覆层(52)，保持层(51)包含由金属钛构成且在厚度方向上分别延伸的多个柱状晶体。该锂离子二次电池(1)中，随着充电动作而在存在于保持层(51)内部的晶界形成由金属锂构成的负极(40)。由此抑制全固体锂离子二次电池的内部剥离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104240730A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410255196.9
申请日：2014-06-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/1278 , G11B5/65 , G11B5/82 , Y10T428/115
Abstract: 本发明提供一种垂直记录介质及垂直记录再生装置。在垂直记录介质中，在非磁性基板上至少具有底层和垂直记录层。所述垂直记录介质的特征在于，所述垂直记录层具有：垂直磁性层，其具有至少包含Co和Pt的颗粒状结构；及磁性层，其兼具磁性和强介电性。其中，所述垂直磁性层和所述磁性层相互进行反强磁性结合。
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公开(公告)号：CN102473422B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201080030040.0
申请日：2010-07-01
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 可以简便的工序制造具有鲜明磁记录图形的磁记录介质的磁记录介质制造方法，包含：在非磁性基板(1)上形成磁性层(2)的工序；形成覆盖磁性层(2)的面的掩模层(3)的工序；在掩模层(3)上形成抗蚀剂层的工序；用压型器(5)使抗蚀剂层图形化的工序；用抗蚀剂层使掩模层(3)图形化的工序；通过部分地除去磁性层(2)的未被掩模层(3)覆盖的地方而形成凹部(6)的工序；形成覆盖形成了凹部(6)的面的非磁性层(7)的工序G；使非磁性层(7)的表面平坦化直到掩模层(3)露出的工序H；除去露出的掩模层(3)的工序I；除去非磁性层(7)的突起部分(7a)的工序J；形成覆盖除去了突起部分(7a)的面的保护层(8)的工序K。
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公开(公告)号：CN101681629A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880019557.2
申请日：2008-06-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明旨在提供一种制造磁记录介质的方法，其是一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法，所述方法包括：在非磁性基底上形成磁性层；然后将所述磁性层的表面部分地暴露到反应性等离子体或在所述等离子体中产生的反应性离子，以使所述磁性层的该部分非晶化。
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公开(公告)号：CN101401154A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008569.0
申请日：2007-02-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种制造磁记录介质(30)的方法，包括在非磁性基底(1)的至少一侧上沉积磁性层或含Co磁性层(3)以及将原子部分地注入到磁性层或含Co磁性层中以部分地非磁性化磁性层或含Co磁性层的步骤，从而形成非磁性部分(4)和通过非磁性部分磁性分离的磁记录图形，且在含Co磁性层的情况下，使由X射线衍射确定的含Co磁性层的相关部分的Co(002)或Co(110)峰值强度降低至1/2以下。一种磁记录和再现装置包括磁记录介质(30)、用于在记录方向上驱动磁记录介质的驱动部件(26)、由记录部件和再生部件组成的磁头(27)、用于使磁头相对于磁记录介质运动的机构(28)、以及适于使信号进入磁头并从磁头再生输出信号的记录和再现信号处理机构(29)。
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公开(公告)号：CN100414610C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200580009137.2
申请日：2005-03-24
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y25/00 , G11B5/667 , H01F10/08 , H01F10/3222
Abstract: 本发明的磁记录介质具有基底、垂直磁记录层、以及在所述基底与所述垂直磁记录层之间形成的软磁层，所述软磁层具有小于100nm的厚度、在表面方向上的磁各向异性，以及不小于79T·A/m(10kG·Oe)的饱和磁通密度Bs和矫顽力Hc的乘积Bs·Hc。通过使软磁层的厚度在上述范围内，可稳定在表面方向上的磁各向异性。通过使Bs·Hc在上述范围内，可充分增加静磁能量。因此，可抑制在软磁层中磁壁的产生，可抑制由软磁层产生的噪声，并实现高密度记录。
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