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公开(公告)号：CN100585704C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200580027290.8
申请日：2005-08-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明是一种用于磁记录介质的制造方法，其中至少磁性层、保护层、和润滑层依次层叠到非磁性基底1上，并且该非磁性基底1使用由在大约大气压下产生的等离子体激活的气体对非磁性基底进行表面处理。作为本发明的结果，通过有效地除去存在于磁记录介质表面上的外界物质和凸起，其可以高产率地制造磁记录介质，具有很少的差错以及良好的磁头浮动性。
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公开(公告)号：CN106205644B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610307404.4
申请日：2016-05-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/7325
Abstract: 一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜；所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间；所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成；所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素；所述中间层包括Ru或Ru合金；及所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按该顺序进行了积层。
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公开(公告)号：CN106205644A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610307404.4
申请日：2016-05-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/7325 , G11B5/7006 , G11B5/70605 , G11B5/70626 , G11B5/7315
Abstract: 一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜；所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间；所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成；所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素；所述中间层包括Ru或Ru合金；及所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按该顺序进行了积层。
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公开(公告)号：CN102270459B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110140669.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 磁记录介质和磁记录再生装置。本发明提供一种磁记录介质，是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质，其特征在于，所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成，并且，所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用了包含氧化钴且不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材的溅射而形成的。上述具有粒状结构的磁性层的磁性粒子的平均粒径通常为6nm以下，磁性粒子的平均粒子间隔通常为1.5nm以上。具有由这样被微细化并且扩大了粒子间隔的磁性粒子形成的粒状磁性层的磁记录介质，能够应对高于现有程度的高记录密度化，且电磁转换特性优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102270459A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110140669.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 磁记录介质和磁记录再生装置。本发明提供一种磁记录介质，是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质，其特征在于，所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成，并且，所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用了包含氧化钴且不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材的溅射而形成的。上述具有粒状结构的磁性层的磁性粒子的平均粒径通常为6nm以下，磁性粒子的平均粒子间隔通常为1.5nm以上。具有由这样被微细化并且扩大了粒子间隔的磁性粒子形成的粒状磁性层的磁记录介质，能够应对高于现有程度的高记录密度化，且电磁转换特性优异。
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公开(公告)号：CN101836255B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200880113188.3
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质，所述取向控制层由从所述基板侧起包含种子层、第1中间层和第2中间层的3层以上构成，构成所述第1中间层的晶粒分别外延生长于构成所述种子层的晶粒上，构成所述第2中间层的晶粒分别外延生长于构成所述第1中间层的晶粒上，并且，构成所述第2中间层的晶粒与构成所述第1中间层的晶粒相比已微细化。
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公开(公告)号：CN106057217B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610208270.0
申请日：2016-04-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/7379
Abstract: 本发明提供垂直磁记录介质和磁记录再现装置。本发明的垂直磁记录介质是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层、垂直磁记录层而成的，其中，所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜，所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的，所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成，所述第2基底层包含NiW合金，所述中间层包含Ru或Ru合金，具有所述非晶质结构的软磁性膜、第1基底层、第2基底层相接地设置。
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公开(公告)号：CN103730135B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310467368.4
申请日：2013-10-09
Applicant: 昭和电工株式会社 , 株式会社东芝 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质（50），是在非磁性基板（1）之上至少层叠有控制正上层的取向性的取向控制层（9）、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层（4）的磁记录介质（50），取向控制层（9）具备：包含Ru或Ru合金的含Ru层（3）；和设置于含Ru层（3）的垂直磁性层（4）侧，包含熔点为1500℃以上4215℃以下的、共价键合或离子键合的材料，防止含Ru层（3）的Ru原子的热扩散的防止扩散层（8），垂直磁性层（4）包含通过防止扩散层（8）继承含Ru层（3）的晶粒的晶体结构、并与晶粒一同在厚度方向连续的柱状晶体。
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公开(公告)号：CN106057217A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610208270.0
申请日：2016-04-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/7379 , G11B5/725 , G11B5/733
Abstract: 本发明提供垂直磁记录介质和磁记录再现装置。本发明的垂直磁记录介质是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层、垂直磁记录层而成的，其中，所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜，所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的，所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成，所述第2基底层包含NiW合金，所述中间层包含Ru或Ru合金，具有所述非晶质结构的软磁性膜、第1基底层、第2基底层相接地设置。
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