公开(公告)号：CN113167840A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080046.X

申请日：2019-10-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 筱龙德 ,  远藤大三

IPC: G01R33/02 ,  H01L43/00

Abstract: 磁传感器(1)具备非磁性的基板(10)和感应元件(31)，所述感应元件(31)具备层叠于基板上的多个软磁体层(105){下层软磁体层(105a)、上层软磁体层(105b)}、以及层叠于多个软磁体层之间且导电性比软磁体层高的导电体层(106)，所述感应元件(31)具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。

公开(公告)号：CN111373276B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201880075250.8

申请日：2018-10-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三

IPC: G01R33/02 ,  G01D5/245 ,  G01P3/488 ,  H10N50/00

Abstract: 磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体层103构成，且在面内方向上具有磁各向异性；和感应部30，其具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件31，所述感应元件31由在硬磁体层103上层叠设置的软磁体层105构成，具有长边方向和短边方向，长边方向朝向薄膜磁铁20产生的磁场的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，薄膜磁铁20和感应元件31被设置为：与和薄膜磁铁20的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件构成磁路。

公开(公告)号：CN112930483A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980071668.6

申请日：2019-09-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三 ,  筱龙德 ,  大桥荣久

IPC: G01R33/02 ,  H01L43/00

Abstract: 磁传感器1具备：非磁性的基板10；感应元件31，其层叠于基板10上，由软磁体构成，具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；和一对薄膜磁铁20a、20b，其层叠于基板10上，夹着感应元件31而在长边方向上相对地配置，在感应元件31的长边方向上施加磁场。

公开(公告)号：CN111051910A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880056955.5

申请日：2018-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三

IPC: G01R33/02 ,  H01L43/12

Abstract: 磁传感器的制造方法，其包括下述工序：软磁体层堆积工序，利用磁控溅射在基板10上堆积软磁体层101，所述软磁体层101构成对磁场进行感应的感应部21；和感应部形成工序，在软磁体层101的被用于磁控溅射的磁场赋予了单轴磁各向异性的部分，形成对磁场进行感应的感应部21。

公开(公告)号：CN107004430B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201580068639.6

申请日：2015-12-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中村悟 ,  洪泰宁 ,  郭嘉骐 ,  远藤大三

IPC: G11B5/725 ,  C10M105/54 ,  C10M107/38 ,  G11B5/84

Abstract: 一种磁记录介质，润滑剂层包含式(1)所示的化合物A和式(2)所示的化合物B，(A/B)为0.2～3.0，且平均膜厚为0.8nm～2nm。R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)(R1为碳原子数1～4的烷氧基。R2为‑CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2‑(x、y为0～15)、‑CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2‑(z为1～15)、‑CF2CF2CF2O(CF2CF2CF2CF2O)nCF2CF2CF2‑(n为0～4)。HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)mCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)(m为整数)。

公开(公告)号：CN115715139A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202210224956.4

申请日：2022-03-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 利根川翔 ,  坂胁彰 ,  远藤大三 ,  长谷川浩太

IPC: H10N30/076 ,  H10N30/06 ,  H03H3/02

Abstract: 提供结晶性高的层叠体的制造方法。一种层叠体的制造方法，是制造以AlN为主成分的层叠体的方法，其特征在于，包含：在基板(210)上形成由包含金属元素的单晶构成的电极层(230)的工序；和在电极层(230)之上通过溅射而形成以AlN为主成分的压电层(240)的工序，在形成压电层(240)的工序中，在进行溅射时，对靶施加脉冲电压，将占空比设为4％以下，将施加脉冲时的平均功率密度设为200W/cm2以上且2500W/cm2以下。

公开(公告)号：CN114487948A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111181840.9

申请日：2021-10-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 利根川翔 ,  坂胁彰 ,  渡边恭成 ,  远藤大三 ,  野口智之 ,  宫本裕太

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的课题为：在利用了磁阻抗效应的磁传感器中，与感应元件的短边方向的宽度从长边方向的一端至另一端相等的情况相比，使灵敏度提高。本发明的解决手段为：磁传感器具备非磁性的基板、和设置于前述基板上且由软磁体形成的感应元件，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，该长边方向的中央部的宽度小于该长边方向的两端部，所述感应元件通过磁阻抗效应来感应磁场。

公开(公告)号：CN111406221A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880076450.5

申请日：2018-11-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/09 ,  G01R33/389 ,  H01L43/00

Abstract: 磁传感器1的制造方法包括下述工序：硬磁体层形成工序，在圆盘状的非磁性基板10上形成将被加工成薄膜磁铁20的硬磁体层103；软磁体层形成工序，在基板1O上的硬磁体层103上层叠形成软磁体层105，所述软磁体层105将被加工成对磁场进行感应的感应元件；和硬磁体层充磁工序，沿圆盘状的基板10的圆周方向对硬磁体层103进行充磁。

公开(公告)号：CN111373276A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075250.8

申请日：2018-10-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三

IPC: G01R33/02 ,  G01D5/245 ,  G01P3/488 ,  H01L43/00

Abstract: 磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体层103构成，且在面内方向上具有磁各向异性；和感应部30，其具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件31，所述感应元件31由在硬磁体层103上层叠设置的软磁体层105构成，具有长边方向和短边方向，长边方向朝向薄膜磁铁20产生的磁场的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，薄膜磁铁20和感应元件31被设置为：与和薄膜磁铁20的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件构成磁路。

公开(公告)号：CN110678768A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035561.1

申请日：2018-04-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 远藤大三

IPC: G01R33/06 ,  H01L43/00

Abstract: 磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体构成，并且在面内方向上具有磁各向异性；感应部30，其具备感应磁场变化的感应元件31，所述感应元件31由软磁体构成，并且与薄膜磁铁20相对配置，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，长边方向为薄膜磁铁产生的磁通量穿过的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性；和控制层102，其相对于薄膜磁铁20被配置在设置有感应元件31这侧的相反侧，并将薄膜磁铁20的磁各向异性控制在面内方向。