公开(公告)号：CN107004430B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201580068639.6

申请日：2015-12-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中村悟 ,  洪泰宁 ,  郭嘉骐 ,  远藤大三

IPC: G11B5/725 ,  C10M105/54 ,  C10M107/38 ,  G11B5/84

Abstract: 一种磁记录介质，润滑剂层包含式(1)所示的化合物A和式(2)所示的化合物B，(A/B)为0.2～3.0，且平均膜厚为0.8nm～2nm。R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)(R1为碳原子数1～4的烷氧基。R2为‑CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2‑(x、y为0～15)、‑CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2‑(z为1～15)、‑CF2CF2CF2O(CF2CF2CF2CF2O)nCF2CF2CF2‑(n为0～4)。HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)mCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)(m为整数)。

公开(公告)号：CN107004430A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580068639.6

申请日：2015-12-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中村悟 ,  洪泰宁 ,  郭嘉骐 ,  远藤大三

IPC: G11B5/725 ,  C10M105/54 ,  C10M107/38 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/725 ,  C10M105/54 ,  C10M107/38 ,  C10M111/04 ,  C10M2211/0425 ,  C10M2213/043 ,  C10N2220/021 ,  C10N2230/56 ,  C10N2240/20 ,  C10N2240/204 ,  C10N2250/08

Abstract: 一种磁记录介质，润滑剂层包含式(1)所示的化合物A和式(2)所示的化合物B，(A/B)为0.2～3.0，且平均膜厚为0.8nm～2nm。R1‑C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2‑R2‑CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)(R1为碳原子数1～4的烷氧基。R2为‑CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2‑(x、y为0～15)、‑CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2‑(z为1～15)、‑CF2CF2CF2O(CF2CF2CF2CF2O)nCF2CF2CF2‑(n为0～4)。HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)mCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)(m为整数)。

公开(公告)号：CN106340313A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610487247.X

申请日：2016-06-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 中村悟 ,  洪泰宁 ,  郭嘉骐 ,  远藤大三

IPC: G11B5/725

CPC classification number: G11B5/725 ,  G11B5/72

Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录再生装置。对于该磁记录介质而言，保护层(3)的润滑剂层氮，润滑剂层(4)与最表面接触形成，含有式(1)(R1为碳数为1～4的烷氧基。R2为-CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2-)的化合物A和式(2)的化合物B，化合物A、B的质量比(A/B)为0.2～0.3，化合物A、B的平均分子量分别为1500～2000、1300～2400，平均膜厚为0.5～2nm。R1-C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2-R2-CH2OCH2CH(OH)CH2OH(1)HOCH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)mCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH(2)。(4)侧的最表面含有碳和10原子％～90原子％的