公开(公告)号：CN102017082B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200980115352.9

申请日：2009-03-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  横山泰典

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的Ⅲ族氮化物半导体元件，是在基板(11)上至少层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)而构成的，该缓冲层(12)由AlN形成，该缓冲层(12)的a轴的晶格常数比大块状态下的AlN的a轴的晶格常数小。

公开(公告)号：CN101925979A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200880125692.5

申请日：2008-11-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  三木久幸

IPC: H01L21/203 ,  C30B25/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的III族氮化物半导体的制造方法具有如下溅射工序：在配置有基板及含有Ga元素的靶材的腔室内，通过反应性溅射法在前述基板上形成单晶的III族氮化物半导体，所述溅射工序具有：第1溅射工序，使所述基板的温度为温度T1，进行前述III族氮化物半导体的成膜；第2溅射工序，将所述基板的温度降温至比前述温度T1低的温度T2，继续进行前述III族氮化物半导体的成膜。

公开(公告)号：CN101874306A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880117594.7

申请日：2008-09-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供使用反应溅射法在基板上形成缓冲层，可在该缓冲层上生长结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯，所述III族氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石形成的基板(11)上层叠至少含有III族氮化物化合物的缓冲层(12)，并在该缓冲层(12)上顺次层叠n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成，缓冲层(12)是采用反应溅射法形成的，缓冲层(12)含有氧，且缓冲层(12)中的氧浓度为1原子％以下。

公开(公告)号：CN101517759A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035629.8

申请日：2007-09-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  酒井浩光 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板(11)上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层(12)，并在该中间层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具有对基板(11)进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之后的、采用溅射法在基板(11)上形成中间层(12)的溅射工序。

公开(公告)号：CN101438429A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016568.0

申请日：2007-05-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光 ,  塙健三 ,  横山泰典 ,  佐佐木保正 ,  加治亘章

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。