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公开(公告)号：CN103733360A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037525.1
申请日：2012-08-07
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供防止反射率的降低、能够实现高辉度发光的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，是在基板（1）上依次具备反射层（6）、间隔地埋设有多个欧姆接触电极（7）的透明膜（8）、和依次包含电流扩散层（25）以及发光层（24）的化合物半导体层（10）的发光二极管，欧姆接触电极（7）的基板（1）侧的表面的周缘部被透明膜（8）覆盖，欧姆接触电极（7）与反射层（6）以及电流扩散层（25）接触。
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公开(公告)号：CN103098238A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043286.6
申请日：2011-07-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/30 , A01G9/26 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/405 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , Y02A40/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及的发光二极管，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层（12）和n-1层的势垒层（13）构成的发光层（10），势垒层存在时，所述发光层（10）具有1层的应变发光层（12）和1层的势垒层（13）交替地层叠而成的结构，n为1～7的整数，并且发光层（10）的厚度为250nm以下。
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公开(公告)号：CN102576781A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044703.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/641
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具备优异的耐化学特性的发光二极管接合用金属基板、发光二极管及其制造方法，提供一种发光二极管用金属基板，其是用于制造发光二极管的发光二极管用金属基板，所述发光二极管具备金属基板和通过接合层接合于所述金属基板上的含有发光部的化合物半导体层，该发光二极管用金属基板的特征在于，具备金属板和覆盖该金属板的至少上表面和下表面的金属保护膜。
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公开(公告)号：CN102422445A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080019083.9
申请日：2010-02-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30 , C23C16/30 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。
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公开(公告)号：CN104718632B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201380052677.3
申请日：2013-10-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明在金属反射膜与化合物半导体层之间设置多个点状的欧姆接触电极，在化合物半导体层的与半导体基板的相反侧依次设置欧姆电极和表面电极，所述表面电极包含盘部和与该盘部连结的多个线状部，欧姆电极的表面由线状部覆盖，欧姆接触电极和所述欧姆电极形成在俯视时不与盘部重叠的位置，多个欧姆接触电极之中，5％以上40％以下的欧姆接触电极配置在俯视时与线状部重叠的位置。本发明能够提供在维持发光输出的状态下，达成低正向电压的发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103098238B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201180043286.6
申请日：2011-07-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/30 , A01G9/26 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/405 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , Y02A40/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及的发光二极管，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层（12）和n-1层的势垒层（13）构成的发光层（10），势垒层存在时，所述发光层（10）具有1层的应变发光层（12）和1层的势垒层（13）交替地层叠而成的结构，n为1～7的整数，并且发光层（10）的厚度为250nm以下。
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公开(公告)号：CN103155181B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180048839.7
申请日：2011-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/641 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且具有高输出功率、高辉度、高效率，响应速度快，具有从光取出面放射的光之中的与光取出面正交的方向上的光的强度较强的指向性，且能够向外部效率好地散出热的发光二极管和发光二极管灯。具备至少含有pn结型的发光部（3）和与发光部（3）层叠的应变调整层（13）的化合物半导体层（11），发光部（3）具有组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP的应变发光层和势垒层的叠层结构，其中，0≤X≤0.1、0.37≤Y≤0.46，应变调整层（13）能够透过发光部（3）的光，并且具有比应变发光层和势垒层的晶格常数小的晶格常数，在位于光取出面（11a）的反对侧的化合物半导体层（11）的面（11b）上具有隔着反射结构体（4）而接合的功能性基板（5）。
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公开(公告)号：CN102971871A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180033098.5
申请日：2011-07-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种峰发光波长为655nm以上，并且可提高可靠性的发光二极管用外延晶片。所述发光二极管用外延晶片具备GaAs基板（1）和设置在GaAs基板（1）上的pn结型的发光部（2），发光部（2）被设为应变发光层与势垒层交替地层叠而成的叠层结构，势垒层的组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP（0.3≤X≤0.7，0.51≤Y≤0.54）。
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公开(公告)号：CN101218687B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680024703.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L27/15 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , Y10S438/936 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体层，包括p-n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。在发光二极管灯的结构中，通过金属线接合，使得所述电导体与跨过所述发光层在与所述电导体相反的一侧上的所述半导体层上设置的电极呈现相等的电势。所述发光二极管具有高亮度，并且在静电击穿电压方面优良。
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公开(公告)号：CN101218687A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680024703.1
申请日：2006-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L27/15 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , Y10S438/936 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体层，包括p－n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。在发光二极管灯的结构中，通过金属线接合，使得所述电导体与跨过所述发光层在与所述电导体相反的一侧上的所述半导体层上设置的电极呈现相等的电势。所述发光二极管具有高亮度，并且在静电击穿电压方面优良。
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