公开(公告)号：CN103219460A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310023655.6

申请日：2013-01-22

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/047 ,  B41J2/14

CPC classification number: H01L41/18 ,  H01G5/18 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。

公开(公告)号：CN102959751A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180029026.3

申请日：2011-03-30

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  H01L41/09 ,  H01L41/39

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/094 ,  H01L41/18 ,  H01L41/316

Abstract: 在基板上具有压电膜的压电膜器件，其中，所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3（0＜x＜1）表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1-xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。

公开(公告)号：CN101924179A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010205611.1

申请日：2010-06-10

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

Abstract: 本发明提供压电特性和生产率优异的压电薄膜元件以及使用了其的压电薄膜设备。所述压电薄膜元件为在基板上设有由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的压电薄膜的压电薄膜元件，其特征在于，所述压电薄膜为，具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的任一种的晶体结构，或具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的至少二种共存的晶体结构，这些晶体结构为取向于(001)方向的(001)取向晶粒和取向于(111)方向的(111)取向晶粒共存的结构，且所述晶粒所具有的晶轴中的至少一个晶轴与所述基板表面的法线形成的角处于0°至10°的范围内。