公开(公告)号：CN101924179A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010205611.1

申请日：2010-06-10

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

Abstract: 本发明提供压电特性和生产率优异的压电薄膜元件以及使用了其的压电薄膜设备。所述压电薄膜元件为在基板上设有由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的压电薄膜的压电薄膜元件，其特征在于，所述压电薄膜为，具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的任一种的晶体结构，或具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的至少二种共存的晶体结构，这些晶体结构为取向于(001)方向的(001)取向晶粒和取向于(111)方向的(111)取向晶粒共存的结构，且所述晶粒所具有的晶轴中的至少一个晶轴与所述基板表面的法线形成的角处于0°至10°的范围内。

公开(公告)号：CN101924179B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201010205611.1

申请日：2010-06-10

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/18

Abstract: 本发明提供压电特性和生产率优异的压电薄膜元件以及使用了其的压电薄膜设备。所述压电薄膜元件为在基板上设有由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的压电薄膜的压电薄膜元件，其特征在于，所述压电薄膜为，具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的任一种的晶体结构，或具有假立方晶、正方晶或斜方晶中的至少二种共存的晶体结构，这些晶体结构为取向于(001)方向的(001)取向晶粒和取向于(111)方向的(111)取向晶粒共存的结构，且所述晶粒所具有的晶轴中的至少一个晶轴与所述基板表面的法线形成的角处于0°至10°的范围内。

公开(公告)号：CN101931046B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010208804.2

申请日：2010-06-21

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  C04B35/495 ,  G01R19/00

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3251 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供一种压电性薄膜元件，其提高了压电特性，可实现高性能且高信赖的压电性薄膜设备。本发明的压电性薄膜元件具有基板及在所述基板上以溅射法成膜的、以由(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的钙钛矿型氧化物为主相的压电性薄膜，该压电性薄膜的内部应力的绝对值为1.6GPa以下。

公开(公告)号：CN102823007A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080065779.5

申请日：2010-12-21

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/18 ,  C23C14/34 ,  H01L41/08 ,  H01L41/22 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C23C14/088 ,  C30B23/02 ,  C30B29/30 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/171

Abstract: 一种压电薄膜器件，其特征在于，其为在基板上至少配置有下部电极、用通式(NaxKyLiz)NbO3（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z=1）表示的压电薄膜、以及上部电极的压电薄膜层叠体，所述压电薄膜具有准立方晶、正方晶或正交晶的晶体结构，或者为这些所述晶体结构中的至少一种共存的状态，在它们的晶轴中2轴以下的某些特定轴优先取向，并且作为所述取向的晶轴的成分，在（001）成分和（111）成分的比率中，以这两者的总计为100%时，（001)成分的体积分数在60%以上且100%以下的范围内，（111）成分的体积分数在0%以上且40%以下的范围内。

公开(公告)号：CN101950790A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010224767.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  末永和史 ,  野本明

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/00 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替PZT薄膜的具有压电特性的KNN压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1-XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。

公开(公告)号：CN101931046A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010208804.2

申请日：2010-06-21

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/24 ,  G01R19/00

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3251 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供一种压电性薄膜元件，其提高了压电特性，可实现高性能且高信赖的压电性薄膜设备。本发明的压电性薄膜元件具有基板及在所述基板上以溅射法成膜的、以由(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的钙钛矿型氧化物为主相的压电性薄膜，该压电性薄膜的内部应力的绝对值为1.6GPa以下。