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公开(公告)号：CN103165773A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210539514.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L29/36 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供一种低电阻且结晶性良好的氮化物半导体模板、和使用其的发光二极管。氮化物半导体模板（10）具备PSS基板（11）和在PSS基板（11）上形成、使最上层为添加了Si的Si掺杂GaN层（14）的III族氮化物半导体层，III族氮化物半导体层的总膜厚为4μm以上10μm以下，Si掺杂GaN层（14）具有Si浓度倾斜层（14b），所述Si浓度倾斜层（14b）的载流子浓度朝着最表面慢慢降低，且在III族氮化物半导体层的最表面的载流子浓度为1×1017cm-3以上5×1017cm-3以下。
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公开(公告)号：CN103050597A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210390922.9
申请日：2012-10-15
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/403 , H01L33/007 , H01L33/02
Abstract: 本发明提供一种能够生长低位错密度的氮化物半导体的氮化物半导体生长用基板及其制造方法、以及使用氮化物半导体生长用基板所制作的氮化物半导体外延基板和氮化物半导体元件。一种氮化物半导体生长用基板，其在蓝宝石基板的作为C面的主面上，以格子状配置而形成有具有相对于所述主面以小于90°倾斜的侧面的锥状或锥台状的凸部，并且所述凸部距离所述主面的高度为0.5μm以上3μm以下，邻接的所述凸部间的距离为1μm以上6μm以下，所述凸部的所述侧面的表面粗糙度RMS为10nm以下。
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公开(公告)号：CN102956773A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210295500.3
申请日：2012-08-17
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明的课题是提供一种低电阻、结晶性良好的氮化物半导体模板以及使用该氮化物半导体模板的发光二极管。氮化物半导体模板(10)具备：基板(11)；在基板(11)上形成作为添加了O（氧）的O添加层的O掺杂GaN层(12)、在O掺杂GaN层(12)上形成作为添加了Si的Si添加层的Si掺杂GaN层(14)而成的Ⅲ族氮化物半导体层，Ⅲ族氮化物半导体层的整体的膜厚为4μm以上10μm以下，Si掺杂GaN层(14)中的Si的平均载流子浓度为1×1018cm-3以上5×1018cm-3以下。
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公开(公告)号：CN102154704A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010547424.1
申请日：2010-11-15
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 藤仓序章
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , C30B25/186 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01S5/305 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件。所述氮化物半导体晶体不会产生开裂、裂纹，具有可取得多张氮化物半导体自支撑衬底的结构。所述氮化物半导体晶体(10)的特征在于，层叠同种的氮化物半导体层至厚度2mm以上，且前述层叠的同种氮化物半导体层是通过杂质浓度低的氮化物半导体层(1)和杂质浓度高的氮化物半导体层(2)交替2周期以上地层叠而构成的。
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公开(公告)号：CN101425484A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810179904.X
申请日：2008-10-28
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 藤仓序章
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B25/18 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体自支撑衬底，该衬底包括与C面倾斜0.03°～1.0°表面，并且在C轴与整个衬底表面上的每个点处的切线之间所限定的角度最大时的偏离方向(off－orientation)在与六重对称M轴方向的特定M轴方向的角度为0.5°～16°范围内偏离。其中该衬底不包括衬底表面上的偏离方向与所述特定M轴方向的偏离角φ为－0.5°＜φ＜+0.5°的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103305917A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310054997.4
申请日：2013-02-20
Applicant: 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供一种能廉价且高效率地制造与使用有机金属气相生长法的情况同等以上的高品质的氮化镓模板基板的氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板。氮化镓模板基板（10）的制造方法是在作为衬底基板（11）的蓝宝石基板上，通过氢化物气相生长法至少依次生长包含氮化铝（AlN）的成核层（12）和包含氮化镓（GaN）的缓冲层（13），且在生长成核层（12）时使V族原料与III族原料的摩尔比（V/III比）为0.5以上3以下。
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公开(公告)号：CN101425484B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810179904.X
申请日：2008-10-28
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 藤仓序章
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B25/18 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体自支撑衬底，该衬底包括与C面倾斜0.03°～1.0°表面，并且在C轴与整个衬底表面上的每个点处的切线之间所限定的角度最大时的偏离方向(off-orientation)在与六重对称M轴方向的特定M轴方向的角度为0.5°～16°范围内偏离。其中该衬底不包括衬底表面上的偏离方向与所述特定M轴方向的偏离角φ为-0.5°
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公开(公告)号：CN101996862A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010148168.9
申请日：2010-03-24
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 藤仓序章
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B29/403 , C30B33/02 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L33/0075 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置，所述半导体自支撑衬底难以发生成为氮化物半导体结晶破坏的原因的裂纹。本发明的氮化物半导体自支撑衬底直径为40mm以上，厚度为100μm以上，位错密度在5×106/cm2以下，杂质浓度在4×1019/cm3以下，最大荷重在1mN以上50mN以下范围内时的纳米压痕硬度为19.0GPa以上。
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公开(公告)号：CN101373806A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810128123.8
申请日：2008-07-03
Applicant: 日立电线株式会社
Inventor： 藤仓序章
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0206 , H01S5/0422 , H01S5/32341 , H01S2304/04 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底，其中，闪锌矿型结构的氮化物半导体相对于纤维锌矿结构的氮化物半导体的比例高到能够形成实用的发光装置的比例，同时，还提供该闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底的制造方法和使用该闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底的发光装置。本发明所涉及的闪锌矿型氮化物半导体自支撑衬底具有表面及表面的相对侧的背面，表面和背面之间的距离为200μm以上，在表面上，闪锌矿结构的氮化物半导体所占的面积的比率为95％以上。
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公开(公告)号：CN100428510C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510124341.0
申请日：2005-11-28
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/382
Abstract: 本发明的目的在于提供使以下两种方法相协调的方法，这两种方法就是：使LED结构表面粗糙而提高取光效率的方法、与避免低成本的电极焊接点的不良影响的方法((1)形成基于金属或金属氧化物的透明导电膜的电流分散层，(2)形成倒装片结构)。在衬底上作为半导体层叠结构至少具有n型半导体层、由30层或30层以下的量子阱层形成的活性层、p型半导体层的发光二极管中，在半导体层叠结构的表面上形成平坦部分与多个孔。此时，做成：多个孔的表面占有率大于等于10%、小于等于85%，孔开口部的直径大于等于100nm、小于等于4000nm，孔的深度比活性层与平坦部分之间的距离还浅，多个孔的密度大于等于8×105个/cm2、小于等于1.08×1010个/cm2。
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