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发明公开
功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN114616661A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080076301.6

申请日：2020-09-29

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 岛津博美 , 金子裕二朗 , 井出英一 , 高木佑辅 , 谷江尚史

IPC: H01L23/40 , H01L21/50

Abstract: 本发明的课题在于对功率半导体装置的散热面的紧贴不充分，散热性能降低这一点。本发明的功率半导体装置使热传导层(5)与电路体(100)的散热面(4a)抵接，使散热构件(7)与电路体(100)的散热面(4a)侧的热传导层(5)的外侧抵接。使固定构件(8)与电路体的与散热面相反的一侧抵接。然后，使连接构件(9)在散热构件和固定构件各自的端部贯穿。图3表示紧固连接构件的螺栓和螺母前的状态，散热构件保持以其中央部向电路体侧凸出的方式弯曲的形状。以夹住电路体的方式，在散热构件和固定构件的两端，紧固地固定连接构件的螺栓和螺母。散热构件弹性变形，散热构件隔着热传导层与电路体的散热面紧贴，从散热构件向散热面施加表面压力。

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