公开(公告)号：CN107924956A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082173.5

申请日：2015-10-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森川浩昭 ,  西野裕久 ,  中泽幸子 ,  浜笃郎 ,  细川雄一朗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池的制造方法包括：将具有包含第1浓度的杂质且具有第1电阻值的第1部位(61)和杂质的浓度是高于第1浓度的第2浓度且具有小于第1电阻值的第2电阻值的第2部位(62)的扩散层(6)形成于半导体基板(1)的受光面侧的步骤；将针对第1部位(61)的反射率大于针对第2部位(62)的反射率的检测光(70)照射到扩散层(6)的步骤；以及基于被扩散层(6)的各部位反射的检测光(70)的反射率的差异，检测扩散层(6)中的与第1反射率对应的第1部位(61)和与小于第1反射率的第2反射率对应的第2部位(62)的步骤。

公开(公告)号：CN105247686A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201380076925.8

申请日：2013-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森川浩昭

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种太阳能电池单元，具备：第1导电类型的半导体基板，在作为受光面侧的一面侧具有扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；受光面侧电极，由栅电极和与所述栅电极导通且比所述栅电极更宽幅的汇流电极构成，该受光面侧电极在所述一面侧形成而与所述杂质扩散层电连接；以及背面侧电极，在所述半导体基板的与所述一面侧相反的一侧的背面中形成而与所述杂质扩散层电连接，其中，所述受光面侧电极具备第1金属电极层，该第1金属电极层是与所述半导体基板的一面侧直接接合了的金属膏电极层；第2金属电极层，由与所述第1金属电极层不同并且具有与所述第1金属电极层大致等同的电阻率的金属材料构成，是覆盖在所述第1金属电极层上而形成了的镀覆电极层，所述栅电极的剖面积是300μm2以上，所述栅电极的电极宽度是60μm以下。

公开(公告)号：CN101783370B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200910004883.2

申请日：2009-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森川浩昭 ,  伊藤直树 ,  冈庭香 ,  矢岛伦明 ,  铃木孝幸

IPC: H01L31/042 ,  H01L23/36

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块可以具有充分的散热性，且具有轻量、成本低廉的散热装置。所述太阳能电池模块具有：透光性盖板；具有非受光面和与所述透光性盖板的背面对置的受光面的太阳能电池单元；以及具有与所述太阳能电池单元的非受光面对置的背面的散热板；其中，作为所述散热板，使用由包含石墨的材料制成、且实施了作为散热鳍片的凹凸加工而成的散热板。

公开(公告)号：CN102077358A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200880130064.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 水口一男 ,  森川浩昭

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种即使在高速焙烧条件下形成表面电极也可以使电极的宽度与未在高速焙烧条件下制作的以往的情况相同的光电动势装置。具备：p型硅基板(101)、在p型硅基板(101)的光的入射面侧形成的n型扩散层(102)、在n型扩散层(102)上形成的表面电极(110)、在p型硅基板(101)的与光的入射面对置的背面形成的p+层(103)、以及在p+层(103)上的规定的位置形成的背面电极(120)，表面电极(110)具有：在n型扩散层(102)上形成的第1电极层(111)；以及在第1电极层(111)上形成且电阻率比第1电极层(111)小的1层以上的第2电极层(112)。

公开(公告)号：CN102017187A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880128931.2

申请日：2008-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 米泽雅人 ,  筈见公一 ,  高见明宏 ,  森川浩昭 ,  西村邦彦

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种光电动势装置的制造方法，无需大量追加制造工序，而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括：在P型硅基板(101)和光的入射面侧的整个面形成按照第1浓度扩散了N型的杂质的高浓度N型扩散层(102H)的工序；在高浓度N型扩散层(102H)上形成耐蚀刻膜(103)，在耐蚀刻膜(103)上的凹部形成区域(105a)内的规定的位置处，形成微细孔(104)的工序；以微细孔(104)的形成位置为中心，以在凹部形成区域(105a)内不使高浓度N型扩散层残留的方式，对硅基板(101)进行蚀刻而形成凹部的工序；在形成凹部的面上形成按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的低浓度N型扩散层(102L)的工序；以及在硅基板(101)的光的入射面侧的电极形成区域(105b)中形成栅电极(111)的工序。

公开(公告)号：CN100521246C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200680023755.7

申请日：2006-06-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 越前谷大介 ,  坂本博夫 ,  高田志郎 ,  森川浩昭 ,  富永尚史

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/0508 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的目的在于不增大电极的电阻，得到机械强度大的太阳能电池单元，本发明的太阳能电池单元(10)具备硅基板(3)、从硅基板(3)的背面集电的作为第1电极的铝电极(1)、从铝电极(1)取出输出的作为第2电极的银电极(2)，铝电极(1)形成在硅基板(3)的背面上，具有开口部(1a)以及从开口部(1a)在硅基板(3)内面内的与主应力的方向平行的方向上凹陷的切口部(1b)，银电极(2)形成为覆盖铝电极(1)的至少开口部(1a)和切口部(1b)。

公开(公告)号：CN107750399A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201580081082.X

申请日：2015-07-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 森川浩昭 ,  滨笃郎 ,  幸畑隼人 ,  过能慎太郎

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池单元(1)具备：p型杂质扩散层(3)，其形成于n型单晶硅基板(2)的一面侧；n型杂质扩散层(10)，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层(11)和n型的杂质元素以比第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层(12)、形成于n型单晶硅基板(2)的另一面侧、含有比n型单晶硅基板(2)高的浓度的n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于p型杂质扩散层(3)上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于第1n型杂质扩散层(11)上。第1n型杂质扩散层(11)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1020atoms/cm3以上且2×1021atoms/cm3以下，第2n型杂质扩散层(12)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1019atoms/cm3以上且2×1020atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN102077358B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN200880130064.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 水口一男 ,  森川浩昭

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种即使在高速焙烧条件下形成表面电极也可以使电极的宽度与未在高速焙烧条件下制作的以往的情况相同的光电动势装置。具备：p型硅基板(101)、在p型硅基板(101)的光的入射面侧形成的n型扩散层(102)、在n型扩散层(102)上形成的表面电极(110)、在p型硅基板(101)的与光的入射面对置的背面形成的p+层(103)、以及在p+层(103)上的规定的位置形成的背面电极(120)，表面电极(110)具有：在n型扩散层(102)上形成的第1电极层(111)；以及在第1电极层(111)上形成且电阻率比第1电极层(111)小的1层以上的第2电极层(112)。

公开(公告)号：CN104521002A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201280075188.5

申请日：2012-08-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 米泽雅人 ,  西村邦彦 ,  太田成人 ,  森川浩昭

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明通过包括如下工序而能够容易地实现选择发射极构造：第一工序，对第一导电类型的半导体基板(2)的一面侧的一部分涂敷含有第二导电类型的杂质元素的浆料(21)；第二工序，在处理室内对半导体基板实施不含有第二导电类型的杂质元素的气体的环境下的第一热处理，使第二导电类型的杂质元素从浆料扩散到半导体基板中的浆料的下部区域，从而在半导体基板的浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第一杂质扩散层(3a)；第三工序，在处理室内接着第一热处理对半导体基板实施含有第二导电类型的杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理，使第二导电类型的杂质元素从含掺杂物气体扩散到半导体基板的一面侧的未涂敷浆料的露出区域，从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了第二导电类型的杂质元素的第二杂质扩散层(3b)。

公开(公告)号：CN102077359B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200880129990.1

申请日：2008-06-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨笃郎 ,  森川浩昭

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在第1导电类型的半导体基板的一面侧形成第2导电类型的杂质扩散层及反射防止膜，在反射防止膜上涂敷包含玻璃的第1电极材料，在半导体基板的另一面侧形成钝化膜，在钝化膜的至少一部分形成达到半导体基板的另一面侧的多个开口部，以掩埋多个开口部且不与邻接的开口部的第2电极材料接触的方式涂敷包含第1导电类型的杂质元素的第1电极材料，以与所涂敷的所有第2电极材料接触的方式在钝化膜上涂敷第3电极材料，在第1电极材料及第3电极材料的涂敷后以规定的温度加热半导体基板，从而同时形成贯通反射防止膜而与杂质扩散层电连接的第1电极、在半导体基板的另一面侧使第1导电类型的杂质比半导体基板的其他区域高浓度地扩散了的高浓度区域及与高浓度区域电连接的第2电极和第3电极。