公开(公告)号：CN102077358A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200880130064.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 水口一男 ,  森川浩昭

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种即使在高速焙烧条件下形成表面电极也可以使电极的宽度与未在高速焙烧条件下制作的以往的情况相同的光电动势装置。具备：p型硅基板(101)、在p型硅基板(101)的光的入射面侧形成的n型扩散层(102)、在n型扩散层(102)上形成的表面电极(110)、在p型硅基板(101)的与光的入射面对置的背面形成的p+层(103)、以及在p+层(103)上的规定的位置形成的背面电极(120)，表面电极(110)具有：在n型扩散层(102)上形成的第1电极层(111)；以及在第1电极层(111)上形成且电阻率比第1电极层(111)小的1层以上的第2电极层(112)。

公开(公告)号：CN102077358B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN200880130064.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 水口一男 ,  森川浩昭

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种即使在高速焙烧条件下形成表面电极也可以使电极的宽度与未在高速焙烧条件下制作的以往的情况相同的光电动势装置。具备：p型硅基板(101)、在p型硅基板(101)的光的入射面侧形成的n型扩散层(102)、在n型扩散层(102)上形成的表面电极(110)、在p型硅基板(101)的与光的入射面对置的背面形成的p+层(103)、以及在p+层(103)上的规定的位置形成的背面电极(120)，表面电极(110)具有：在n型扩散层(102)上形成的第1电极层(111)；以及在第1电极层(111)上形成且电阻率比第1电极层(111)小的1层以上的第2电极层(112)。