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公开(公告)号：CN105684158A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201380080519.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0504 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: n型杂质扩散层(3)具有多个第一n型杂质扩散层(3a)和第二n型杂质扩散层(3b)，该多个第一n型杂质扩散层在特定方向上平行地延伸，是表面银栅电极(5)的下部区域以及从该下部区域扩展的周边区域，并且以第一浓度包含杂质元素且具有线状形状，该第二n型杂质扩散层以比第一浓度低的第二浓度包含杂质元素，在多个第一n型杂质扩散层(3a)中，随着在第一n型杂质扩散层(3a)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个第一n型杂质扩散层(3a)的宽度变细。
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公开(公告)号：CN108780825A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201680082530.2
申请日：2016-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18
Abstract: 其目的在于在使固相扩散源成膜之后接着通过热处理进行杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：在具有受光面(1A)及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序；以及对n型单晶硅基板(1)进行加热，从BSG膜(2)使作为第2导电类型的杂质的硼扩散，形成p型扩散层(7)的热处理工序，在pn分离工序之前，形成BSG膜(2)以及对BSG膜(2)进行加热来形成p型扩散层(7)，去除BSG膜(2)。进而，在用于形成p型扩散层(7)的热处理工序之前，包括去除被形成在背面(1B)的含硼的生成物、含氧化硅的生成物等固相扩散源的工序。
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公开(公告)号：CN105706245A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201380080756.5
申请日：2013-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 具备第1导电型的半导体基板(11)，在作为受光面侧的一面侧具有被扩散第2导电型的杂质元素的杂质扩散层；多根受光面侧电极(61、63)，是在一面侧通过电极材料膏的多层印刷形成并与杂质扩散层电连接的多层结构的膏电极，在半导体基板(11)的面方向的特定方向上平行地延伸而具有线状形状；以及背面侧电极，形成于半导体基板(11)的另一面侧，在多根受光面侧电极(61、63)中，随着在受光面侧电极(61)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个受光面侧电极(61)的宽度变窄。
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公开(公告)号：CN105706245B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380080756.5
申请日：2013-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 具备第1导电型的半导体基板(11)，在作为受光面侧的一面侧具有被扩散第2导电型的杂质元素的杂质扩散层；多根受光面侧电极(61、63)，是在一面侧通过电极材料膏的多层印刷形成并与杂质扩散层电连接的多层结构的膏电极，在半导体基板(11)的面方向的特定方向上平行地延伸而具有线状形状；以及背面侧电极，形成于半导体基板(11)的另一面侧，在多根受光面侧电极(61、63)中，随着在受光面侧电极(61)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个受光面侧电极(61)的宽度变窄。
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公开(公告)号：CN106133922A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201480077751.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 幸畑隼人
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: 目的在于使扩散层的浓度控制变容易，并通过受光面的表面浓度的低浓度化、电极下的杂质浓度的高浓度实现高效化。当在形成有受光面的扩散层2的基板1的第1面1A的一部分形成高浓度扩散层5时，在形成扩散源的状态下进行热氧化，从而将受光面的扩散层2的最表面的杂质取入到热氧化膜6中。由此受光面的扩散层2的最表面的杂质浓度比内侧的杂质浓度低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106133922B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201480077751.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 幸畑隼人
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: 目的在于使扩散层的浓度控制变容易，并通过受光面的表面浓度的低浓度化、电极下的杂质浓度的高浓度实现高效化。当在形成有受光面的扩散层2的基板1的第1面1A的一部分形成高浓度扩散层5时，在形成扩散源的状态下进行热氧化，从而将受光面的扩散层2的最表面的杂质取入到热氧化膜6中。由此受光面的扩散层2的最表面的杂质浓度比内侧的杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN107980181A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201580082571.7
申请日：2015-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 幸畑隼人
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 太阳能电池单元(1)具备：n型的半导体基板(2)，具有pn结；以及背面侧杂质扩散层(11)，形成于半导体基板(2)的受光面或者与受光面对置的背面侧的表层，具有以第1浓度含有n型或者p型的杂质元素的背面侧高浓度杂质扩散层(11a)、以及以比第1浓度低的第2浓度含有与背面侧高浓度杂质扩散层(11a)相同的导电类型的杂质元素的背面侧低浓度杂质扩散层(11b)。另外，太阳能电池单元(1)具备：背面第1电极(13)，在半导体基板(2)的背面形成于多个部位，电连接于背面侧高浓度杂质扩散层(11a)；以及背面第2电极(14)，以与背面侧杂质扩散层(11)分离的状态电连接多个背面第1电极(13)。
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公开(公告)号：CN105122461B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201380075627.7
申请日：2013-04-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 幸畑隼人
IPC: H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1864 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明为在半导体基板的表面及背面具有不同的导电型的扩散层的太阳能电池的制造方法，包括：被覆上述半导体基板的至少一部分区域地形成含有杂质的扩散保护掩模的工序；在用含有杂质的扩散保护掩模被覆了上述半导体基板的至少一部分区域的状态下实施包含热工序的扩散工序、在被上述扩散保护掩模覆盖了的第1区域形成第1杂质扩散层、且在从上述扩散保护掩模暴露的第2区域形成成为与上述扩散保护掩模不同的杂质浓度或不同的导电性的第2杂质扩散层。
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公开(公告)号：CN107750399A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201580081082.X
申请日：2015-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/08
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/03685 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 太阳能电池单元(1)具备：p型杂质扩散层(3)，其形成于n型单晶硅基板(2)的一面侧；n型杂质扩散层(10)，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层(11)和n型的杂质元素以比第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层(12)、形成于n型单晶硅基板(2)的另一面侧、含有比n型单晶硅基板(2)高的浓度的n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于p型杂质扩散层(3)上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于第1n型杂质扩散层(11)上。第1n型杂质扩散层(11)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1020atoms/cm3以上且2×1021atoms/cm3以下，第2n型杂质扩散层(12)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1019atoms/cm3以上且2×1020atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN105684158B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380080519.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0504 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: n型杂质扩散层(3)具有多个第一n型杂质扩散层(3a)和第二n型杂质扩散层(3b)，该多个第一n型杂质扩散层在特定方向上平行地延伸，是表面银栅电极(5)的下部区域以及从该下部区域扩展的周边区域，并且以第一浓度包含杂质元素且具有线状形状，该第二n型杂质扩散层以比第一浓度低的第二浓度包含杂质元素，在多个第一n型杂质扩散层(3a)中，随着在第一n型杂质扩散层(3a)的宽度方向上接近特定的基准位置，各个第一n型杂质扩散层(3a)的宽度变细。
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