公开(公告)号：CN103370795A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280007788.8

申请日：2012-03-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨本哲

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 具备：第1导电类型的硅基板101，在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层102；受光面侧电极105，具有与杂质扩散层102电连接并且在硅基板101的一面侧隔开一定的间隔并列配置的多根栅格电极；以及背面侧电极104，形成于硅基板101的另一面侧，杂质扩散层102具有以第1浓度包含杂质元素的第1杂质扩散层102a、和以比第1浓度低的第2浓度包含杂质元素的第2杂质扩散层102b，对于所述第1杂质扩散层102a，将在所述硅基板的一面侧与受光面侧电极105的栅格电极的长度方向垂直的方向设为长度方向，并且第1杂质扩散层102a相对带状区域的面积比率是50%以下，其中将第1杂质扩散层102a中的与栅格电极的长度方向平行的方向的最大宽度设为所述带状区域的均等宽度，并且所述带状区域的长度方向的长度与第1杂质扩散层102a的长度方向的长度相同。

公开(公告)号：CN104054187B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201280067059.1

申请日：2012-02-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨本哲

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/6708 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 包括：在硅基基板(11)的表面扩散杂质元素，形成杂质扩散层(15)的工序；以及蚀刻工序，用于在硅基基板的第1面侧中的至少一部分中，去除杂质扩散层，蚀刻工序包括：蚀刻流体供给工序，在第1面侧中，从供给位置供给向硅基基板的外缘部流动的蚀刻流体(33)；以及空气供给工序，与蚀刻流体供给工序中的蚀刻流体的供给相匹配地，在硅基基板中的与第1面侧相反的第2面侧中，向与蚀刻流体相同的朝向，供给空气(34)。

公开(公告)号：CN103180964A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201080069176.2

申请日：2010-10-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨本哲

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体基板(基板)，具有杂质扩散层；第1电极，贯通形成在杂质扩散层上的反射防止膜而与杂质扩散层电连接；背面绝缘膜，具有到达基板的另一面侧的多个开口部而形成；第2电极，形成于基板的另一面侧；以及背面反射膜，由通过气相生长法形成的金属膜构成、或者包括金属箔而构成，至少在背面绝缘膜上覆盖地形成，第2电极包括：Al类电极，在基板的另一面侧被埋入到开口部而与基板的另一面侧连接；以及Ag类电极，在基板的另一面侧设置于开口部之间的区域而至少一部分贯通背面绝缘膜与基板的另一面侧电连接，基板的面内的Ag类电极的面积、和使银类电极的图案在基板的面内向外侧扩张了与载流子的扩散长度相应大小的周边区域的面积之和是基板的另一面侧的面积的10％以下。

公开(公告)号：CN108780825A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201680082530.2

申请日：2016-03-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨本哲 ,  西村慎也 ,  西村邦彦 ,  幸畑隼人 ,  滨笃郎

IPC: H01L31/18

Abstract: 其目的在于在使固相扩散源成膜之后接着通过热处理进行杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：在具有受光面(1A)及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序；以及对n型单晶硅基板(1)进行加热，从BSG膜(2)使作为第2导电类型的杂质的硼扩散，形成p型扩散层(7)的热处理工序，在pn分离工序之前，形成BSG膜(2)以及对BSG膜(2)进行加热来形成p型扩散层(7)，去除BSG膜(2)。进而，在用于形成p型扩散层(7)的热处理工序之前，包括去除被形成在背面(1B)的含硼的生成物、含氧化硅的生成物等固相扩散源的工序。

公开(公告)号：CN104054187A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280067059.1

申请日：2012-02-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨本哲

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/6708 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 包括：在硅基基板(11)的表面扩散杂质元素，形成杂质扩散层(15)的工序；以及蚀刻工序，用于在硅基基板的第1面侧中的至少一部分中，去除杂质扩散层，蚀刻工序包括：蚀刻流体供给工序，在第1面侧中，从供给位置供给向硅基基板的外缘部流动的蚀刻流体(33)；以及空气供给工序，与蚀刻流体供给工序中的蚀刻流体的供给相匹配地，在硅基基板中的与第1面侧相反的第2面侧中，向与蚀刻流体相同的朝向，供给空气(34)。

公开(公告)号：CN103155161A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201080069307.7

申请日：2010-10-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨本哲

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 包括：半导体衬底（衬底），其具有杂质扩散层；第1电极，其贯穿形成在杂质扩散层上的防反射膜而与杂质扩散层电连接；背面绝缘膜，其形成为具有到达衬底的另一面侧的多个开口部；第2电极，其形成在衬底的另一面侧；背面反射膜，其构成为由利用气相生长法形成的金属膜构成或者含有金属箔，该背面反射膜形成为至少覆盖背面绝缘膜，第2电极包括：铝系电极，其由含有铝的材料构成，在衬底的另一面侧至少埋入在开口部而与衬底的另一面侧电连接；银系电极，其由含有银的材料构成，以进入背面绝缘膜的状态以利用背面绝缘膜与衬底的另一面侧绝缘的方式，设置在衬底的另一面侧的开口部间的区域，并且该银系电极借助背面反射膜与铝系电极电连接。

公开(公告)号：CN103155161B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201080069307.7

申请日：2010-10-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨本哲

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/056

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 包括：半导体衬底（衬底），其具有杂质扩散层；第1电极，其贯穿形成在杂质扩散层上的防反射膜而与杂质扩散层电连接；背面绝缘膜，其形成为具有到达衬底的另一面侧的多个开口部；第2电极，其形成在衬底的另一面侧；背面反射膜，其构成为由利用气相生长法形成的金属膜构成或者含有金属箔，该背面反射膜形成为至少覆盖背面绝缘膜，第2电极包括：铝系电极，其由含有铝的材料构成，在衬底的另一面侧至少埋入在开口部而与衬底的另一面侧电连接；银系电极，其由含有银的材料构成，以进入背面绝缘膜的状态以利用背面绝缘膜与衬底的另一面侧绝缘的方式，设置在衬底的另一面侧的开口部间的区域，并且该银系电极借助背面反射膜与铝系电极电连接。

公开(公告)号：CN103370795B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201280007788.8

申请日：2012-03-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨本哲

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 具备：第1导电类型的硅基板101，在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层102；受光面侧电极105，具有与杂质扩散层102电连接并且在硅基板101的一面侧隔开一定的间隔并列配置的多根栅格电极；以及背面侧电极104，形成于硅基板101的另一面侧，杂质扩散层102具有以第1浓度包含杂质元素的第1杂质扩散层102a、和以比第1浓度低的第2浓度包含杂质元素的第2杂质扩散层102b，对于所述第1杂质扩散层102a，将在所述硅基板的一面侧与受光面侧电极105的栅格电极的长度方向垂直的方向设为长度方向，并且第1杂质扩散层102a相对带状区域的面积比率是50%以下，其中将第1杂质扩散层102a中的与栅格电极的长度方向平行的方向的最大宽度设为所述带状区域的均等宽度，并且所述带状区域的长度方向的长度与第1杂质扩散层102a的长度方向的长度相同。

公开(公告)号：CN103180964B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080069176.2

申请日：2010-10-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨本哲

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 具备：半导体基板(基板)，具有杂质扩散层；第1电极，贯通形成在杂质扩散层上的反射防止膜而与杂质扩散层电连接；背面绝缘膜，具有到达基板的另一面侧的多个开口部而形成；第2电极，形成于基板的另一面侧；以及背面反射膜，由通过气相生长法形成的金属膜构成、或者包括金属箔而构成，至少在背面绝缘膜上覆盖地形成，第2电极包括：Al类电极，在基板的另一面侧被埋入到开口部而与基板的另一面侧连接；以及Ag类电极，在基板的另一面侧设置于开口部之间的区域而至少一部分贯通背面绝缘膜与基板的另一面侧电连接，基板的面内的Ag类电极的面积、和使银类电极的图案在基板的面内向外侧扩张了与载流子的扩散长度相应大小的周边区域的面积之和是基板的另一面侧的面积的10％以下。