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公开(公告)号：CN101851785A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010139890.6
申请日：2010-03-30
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
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公开(公告)号：CN106068340B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201580003750.7
申请日：2015-03-09
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B29/38 , C30B29/406
Abstract: 使用用于收容助熔剂和原料的坩埚6、收容坩埚6的反应容器5A～5D、收容反应容器的中间容器3、及收容中间容器且用于填充含有至少含氮原子的气体的气氛的压力容器1。在加热下使助熔剂和原料熔融而生长氮化物结晶时，使有机化合物的蒸气9扩散到反应容器外和中间容器内的空间3a。
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公开(公告)号：CN103534391A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280013555.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/12 , C30B29/406 , Y10T428/24355
Abstract: 晶种基板（10）具备支撑基板（1）及设置在支撑基板（1）上的晶种膜（3A），所述晶种膜（3A）由第13族金属氮化物单晶构成。晶种膜（3A）具有主体部（3a）和具有小于主体部（3a）的膜厚的薄壁部（3b）。主体部（3a）及薄壁部（3b）露出于晶种基板（10）的表面。在晶种膜（3A）上通过助熔剂法培养第13族金属氮化物（15）。
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公开(公告)号：CN103429800A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280014356.X
申请日：2012-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/406 , H01L31/1856
Abstract: 使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层。晶种基板(8A)具备：支撑基板(1)、互相分离的多个晶种层(4A)、设置于晶种层(4A)与支撑基板之间的低温缓冲层(2)以及露出于邻接的晶种层(4A)的间隙的露出层(3)，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化锅单晶或氮化铝镓单晶构成。在晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102803583A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026135.5
申请日：2010-06-10
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B35/002
Abstract: 通过将III族金属氮化物单晶的原料以及助熔剂原料收容于坩埚内，再将该坩埚收容于反应容器(1)内，将反应容器(1)收容于外侧容器内，再将外侧容器收容于耐压容器内，向外侧容器内供给含氮氛围的同时，于坩埚内生成熔液来进行III族金属氮化物单晶的培养。反应容器(1)具备收容坩埚的本体(3)和放置于本体(3)上的盖(2)。本体(3)具备侧壁(3b)和底壁(3a)，该侧壁(3b)具有啮合面(3d)和开口于啮合面(3d)上的槽(3c)。盖(2)具备相对本体(3)的啮合面有接触面(2d)的上板部(2a)，以及从上板部(2a)延伸出来，包围侧壁(3b)的外侧的凸缘部(2b)。
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公开(公告)号：CN101395305A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007680.8
申请日：2007-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/063
Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。
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公开(公告)号：CN107002287B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201580067845.5
申请日：2015-12-15
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B23/005 , C07F5/00 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B23/06 , C30B29/406
Abstract: 通过将13族元素源、包含碱金属和碱土金属中的至少一方的助熔剂、及在常温下为液体的添加剂5收纳于结晶培养容器10，在含有氮原子的气体气氛下对结晶培养容器10进行加热、加压，由此生成包含13族元素源、助熔剂及添加剂的熔液14。此时，防止添加剂5蒸发直至助熔剂熔融，使13族元素氮化物结晶在熔液中生长。
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公开(公告)号：CN105814244B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201480066807.3
申请日：2014-12-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B33/12 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/0095 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/406 , C30B33/12 , H01L21/304 , H01L21/30621 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01L29/2003 , H01L33/32
Abstract: 对于具有氮化镓层的基板，降低了氮化镓层在表面处理后的表面损伤，并改善了基板上形成的功能元件的品质。本发明提供一种至少具有氮化镓层的基板4。使用具备电感耦合式等离子体发生装置的等离子体刻蚀装置，使标准化直流偏置电位为‑10V/cm2以上，引入氟系气体，对氮化镓层3的表面3a进行干法刻蚀处理。
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公开(公告)号：CN107002287A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580067845.5
申请日：2015-12-15
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B23/005 , C07F5/00 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B23/06 , C30B29/406
Abstract: 通过将13族元素源、包含碱金属和碱土金属中的至少一方的助熔剂、及在常温下为液体的添加剂5收纳于结晶培养容器10，在含有氮原子的气体气氛下对结晶培养容器10进行加热、加压，由此生成包含13族元素源、助熔剂及添加剂的熔液14。此时，防止添加剂5蒸发直至助熔剂熔融，使13族元素氮化物结晶在熔液中生长。
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