公开(公告)号：CN118786257A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380015160.0

申请日：2023-01-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 齐藤亚有实 ,  杉山智彦

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/08

Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，在表面产生创伤的情况得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，当将自该第一面的表面的外周起算为1mm的范围设为外周部，将该第一面的表面的除该外周部以外的部分设为内周部时，通过阴极发光观察，在该外周部观察到变质层，在该内周部没有观察到变质层。

公开(公告)号：CN117897797A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280057051.0

申请日：2022-04-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 东原周平 ,  后藤万佐司 ,  齐藤亚有实

IPC: H01L21/02

Abstract: 在支撑基板与13族元素氮化物结晶基板的贴合基板中，使支撑基板与13族元素氮化物结晶基板之间的接合强度提高。提供一种支撑基板1与13族元素氮化物结晶基板2的贴合基板3。13族元素氮化物结晶基板2以1×1017atoms·cm－3以上且1×1021atoms·cm－3以上以下的浓度含有选自由锌、铁、锰、镍以及铬构成的组中的一种以上的过渡金属元素。

公开(公告)号：CN118660995A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380015162.X

申请日：2023-01-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 齐藤亚有实 ,  杉山智彦

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，抑制了裂纹及开裂的发生。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板为具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，厚度为200μm以上，在该第一面的表面的包括中央部在内的区域的偏光显微镜观察中得到的正交尼科尔图像之中画出的长度2mm的线段中的明暗的切换次数N为30以上。