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公开(公告)号：CN106415837A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480065081.1
申请日：2014-11-26
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 形成半导体装置1，所述半导体装置包含：SiC外延层28；多个晶体管单元18，形成于SiC外延层28，通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极19，与在接通时形成沟道的晶体管单元18的沟道区域32相对；栅极金属44，为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极19在物理上分离，但是，电连接于栅极电极19；以及内置电阻21，被配置在栅极金属44的下方，由将栅极金属44和栅极电极19电连接的多晶硅构成。
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公开(公告)号：CN102822977A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017302.4
申请日：2011-03-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66734 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0465 , H01L21/31111 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/0886 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/512 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明的半导体装置包含：第一导电型的半导体层；在所述半导体层的表层部隔开间隔而形成多个的第二导电型的体区域；形成于各所述体区域的表层部的第一导电型的源极区域；设在所述半导体层上，架跨在相邻的所述体区域之间的栅极绝缘膜；设在所述栅极绝缘膜上，与所述体区域对置的栅极电极；以及设在相邻的所述体区域之间，缓和在所述栅极绝缘膜产生的电场的电场缓和部。
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公开(公告)号：CN115917742A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180044061.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 半导体装置(A10、A11、A20、A30、A40、A50、A61～A65)具备具有第一主面(111)的第一模座(11)、具有第二主面(121)的第二模座(12)、连接于第一主面(111)的第一开关元件(20)、连接于第二主面(121)的第二开关元件(30)、连接第一开关元件(20)的第一主面电极(21)和第二模座(12)的第一连接部件(51、53)、密封第一开关元件(20)、第二开关元件(30)、第一模座(11)、第二模座(12)以及第一连接部件(51、53)的密封树脂(70)、从密封树脂(70)的多个树脂侧面(703、704、705、706)中的一个树脂侧面(703)突出的多根引线(41、42、43、44、45)。
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公开(公告)号：CN110634825A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910879948.1
申请日：2014-11-26
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L25/16
Abstract: 形成半导体装置（1），所述半导体装置包含：SiC外延层（28）；多个晶体管单元（18），形成于SiC外延层（28），通过规定的控制电压接通/关断控制；栅极电极（19），与在接通时形成沟道的晶体管单元（18）的沟道区域（32）相对；栅极金属（44），为了与外部的电连接而露出到最外层表面，与栅极电极（19）在物理上分离，但是，电连接于栅极电极（19）；以及内置电阻（21），被配置在栅极金属（44）的下方，由将栅极金属（44）和栅极电极（19）电连接的多晶硅构成。
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