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公开(公告)号：CN113994261A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080044302.2
申请日：2020-06-17
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C07D251/34 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、且优选显示溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：溶剂；以及具有二氰基苯乙烯基的杂环化合物、例如包含酰胺基的环状化合物、例如活性质子化合物与具有环氧基的杂环化合物前体的反应生成物。
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公开(公告)号：CN113574085A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080018601.9
申请日：2020-03-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 提供下述保护膜形成用组合物、使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板、和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，包含：末端具有分子内包含至少1组彼此相邻的2个羟基的结构的聚合物、和有机溶剂。上述分子内包含彼此相邻的2个羟基的结构可以为1,2‑乙二醇结构(A)。
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公开(公告)号：CN112969739A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980071835.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供在半导体基板加工时具有耐湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步相对于高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物以及使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：通过二环氧化合物(A)与2官能以上的产质子化合物(B)的反应而获得的开环聚合物(C)、和溶剂。优选上述开环聚合物(C)由下述式(A‑1)的单元结构表示。(在式(A‑1)中，Q表示通过二环氧化合物(A)的开环聚合而产生的2价有机基，T表示来源于2官能以上的产质子化合物(B)的2价有机基。)
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公开(公告)号：CN111492312B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201880082023.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含分子内含有至少1组彼此相邻的2个羟基的化合物、或其聚合物、以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异、并可以通过干蚀刻迅速除去的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN108780279B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201780015881.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1‑1)～式(1‑5)中的至少一种、或是式(1‑6)与式(1‑7)或式(1‑8)的组合，部分结构(II)为下述式(2‑1)或式(2‑2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113646352A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080027542.1
申请日：2020-04-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , C08G59/26 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)：(在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，‑Y‑表示‑OCO‑、‑O‑或‑S‑，＊表示与上述反应生成物(P)分子末端的结合部分)所示的结构，上述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)。＊‑Y‑Ar‑(OH)n(1)。
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公开(公告)号：CN111095107A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059291.8
申请日：2018-09-12
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/28 , C09D163/00 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种高低差基板被覆组合物，是包含下述主剂和溶剂且能够通过光照射而固化的组合物、或能够通过在光照射过程中或者在光照射后在30℃～300℃下加热而固化的高低差基板被覆组合物，上述主剂包含下述化合物(A)、化合物(B)、或它们的混合物，化合物(A)为包含下述式(A-1)或式(A-2)的结构部分的化合物，化合物(B)为包含选自下述式(B-1)～式(B-5)所示的结构部分中的至少一个结构部分，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-7)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-8)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，该组合物的固体成分中上述主剂的含量为95质量％～100质量％。
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公开(公告)号：CN110809738A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880041969.X
申请日：2018-06-22
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供包含涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，在所形成的抗蚀剂下层膜中，将该具有高低差的部分和该不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(Iso-dense偏差)(逆高低差)降低5nm以上的方法。解决手段是一种降低抗蚀剂下层膜的高低差(Iso-dense偏差)的方法，其包含下述工序：向包含(A)聚合物和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物中进一步添加(C)氟系表面活性剂的工序；以及将添加了(C)氟系表面活性剂的该组合物涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，从而将该具有高低差的部分与不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(逆高低差)降低5nm以上。
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公开(公告)号：CN110462520A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880022769.X
申请日：2018-03-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F290/14 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供对图案的填充性高，在基板上形成具有能够通过光固化而形成涂膜的平坦化性的被膜、且在光照射后耐热性高的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种光固化性高低差基板被覆组合物，其包含聚合物，上述聚合物包含式(1)所示的单元结构。〔在式(1)中，A1、A2和A3各自独立地表示可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环或表示含有可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环的烃基，B1、B2和B3各自独立地表示式(2)。(在式(2)中，R1表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数1～10的亚烯基、碳原子数1～10的亚炔基、碳原子数6～40的亚芳基、氧原子、羰基、硫原子、-C(O)-O-、-C(O)-NRa-、-NRb-或由它们的组合构成的基团，R2表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基。〕
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公开(公告)号：CN108780279A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780015881.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1-1)～式(1-5)中的至少一种、或是式(1-6)与式(1-7)或式(1-8)的组合，部分结构(II)为下述式(2-1)或式(2-2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。
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