公开(公告)号：CN111742020A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201880089915.0

申请日：2018-12-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  德永光 ,  石桥谦 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  C08G59/68 ,  C09D183/08 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其在高低差基板上在不需要将含硅被覆膜在高温下固化烧成的情况下进行光固化，从而不会使存在于下层的进行了光固化的有机下层膜的平坦化恶化，因此在平坦化性高的有机下层膜上形成平坦化性高的含硅被覆膜，在其上层被覆抗蚀剂，从而对抑制层界面的漫反射、抑制蚀刻后的高低差产生是有效的。解决手段是一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)(在式(1)中，R1为与光交联有关的官能团。)的水解性硅烷。一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其用于在制造半导体装置的光刻工序中在基板上的有机下层膜与抗蚀剂膜的中间层形成通过紫外线照射而固化的含硅被覆膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1)。

公开(公告)号：CN110546568A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880024514.7

申请日：2018-04-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  德永光 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物。解决手段是一种等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，所述化合物(E)包含选自下述式(1-1)～式(1-7)所示的部分结构(I)中的至少一种结构。(式中，R1、R1a、R3、R5a和R6a各自独立地表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、-C(O)-NRa-、-NRb-或由它们的组合形成的2价基团，R5各自独立地表示氮原子、或由氮原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、-C(O)-NRa-和-NRb-中的至少一个以上基团的组合形成的3价基团，R2、R2a、R4、和R6各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、或由氢原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、氧原子、羰基、-C(O)-NRa-和-NRb-中的至少一个以上基团的组合形成的1价基团，Ra表示氢原子或碳原子数1～10的烷基，Rb表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数1～10的烷基羰基，n表示1～10的重复单元数，并且虚线表示与相邻原子结合的化学键。)

公开(公告)号：CN109075060A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780016010.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 日产化学株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  堀胜 ,  关根诚

IPC: H01L21/3065 ,  C08G12/08 ,  C08G65/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。

公开(公告)号：CN109073976A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780025989.3

申请日：2017-04-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  大野正司 ,  坂本力丸 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/08 ,  C08G12/26 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成膜密度、硬度、杨氏模量、扭曲耐性(图案的弯曲耐性)高，由此具有高的蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂，(在式(1)中，基团A和基团B各自为具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基，并且具有下述结构：该基团A和/或基团B中的该环上的氢原子被选自通过氧化而发生质量增加的化学基(a)、通过加热而发生交联形成的化学基(b)、和在固化中诱发相分离的化学基(c)中的相同种类或不同种类的2个以上1价或2价的化学基分别取代了。)。该组合物还包含交联剂、酸和/或产酸剂。通过将该抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上进行烧成来获得的抗蚀剂下层膜的制造方法。

公开(公告)号：CN112166379B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201980035022.2

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  C08G10/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物(A)、与碳原子数3～60的环式羰基化合物(B)所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，上述反应生成物中，上述环式羰基化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

公开(公告)号：CN109075060B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201780016010.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 日产化学株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  堀胜 ,  关根诚

IPC: H01L21/3065 ,  C08G12/08 ,  C08G65/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供，即使在使用了300℃至700℃这样的高温下的蚀刻法的情况下，所形成的图案也不因为回流、分解而崩坏的具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法。作为解决手段是一种制造方法，其特征在于，是具有被图案化了的III族氮化物系化合物层的半导体基板的制造方法，其包含下述工序：在基板的III族氮化物系化合物层上形成被图案化了的掩模层的工序；和通过300℃～700℃的干蚀刻，依照该掩模图案对上述III族氮化物系化合物层进行蚀刻，由此形成被图案化了的III族氮化物系化合物层的工序，上述被图案化了的掩模层含有包含下述式(1)所示的单元结构的聚合物，或者上述被图案化了的掩模层含有：包含下述式(2)所示的单元结构的聚合物、包含下述式(3)所示的结构单元的聚合物、或包含式(2)所示的单元结构和式(3)所示的单元结构的组合的聚合物、或这些聚合物的交联结构体。#imgabs0#

公开(公告)号：CN110582728B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201880028518.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  桥本雄人 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08K5/13 ,  C08K5/132 ,  C08L101/00

Abstract: 本发明的课题是提供耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：树脂；下述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物；交联剂；交联催化剂；以及溶剂，其中，相对于上述树脂，以80质量％为上限含有上述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物，并含有5质量％～40质量％的上述交联剂。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的0～5的整数，n表示2～5的整数，u和v各自独立地表示满足3≤u+v≤8的关系式的0～4的整数，R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、羟基、可以具有至少1个羟基作为取代基且可以在主链具有至少1个双键的碳原子数1～10的烃基、或可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数6～20的芳基，在R1、R2、R3和R4表示该碳原子数1～10的烃基的情况下，R1和R2、R3和R4可以与它们所结合的环碳原子一起形成苯环，该苯环可以具有至少1个羟基作为取代基，j和k各自独立地表示0或1。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN110546570B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201880027112.2

申请日：2018-04-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/12 ,  H01L21/027

Abstract: 提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含下述式(1)[在式(1)中，AA表示单键或双键，X1表示‑N(R1)‑，X2表示‑N(R2)‑，X3表示‑CH(R3)‑，X4表示‑CH(R4)‑等，R1、R2、R3和R4表示氢原子、C1～20的直链状、支链状或环状的烷基等，R5、R6、R9和R10表示氢原子、羟基、烷基等，R7和R8表示苯环或萘环，n和o为0或1。]所示的化合物或由式(1)所示的化合物衍生的聚合物。将该组合物涂布在半导体基板上进行烧成而形成抗蚀剂下层膜，在其上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过照射光或电子束、以及显影而形成抗蚀剂图案，通过抗蚀剂图案对下层膜进行蚀刻，通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工而制造半导体装置。

公开(公告)号：CN110462520B

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN201880022769.X

申请日：2018-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08F290/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供对图案的填充性高，在基板上形成具有能够通过光固化而形成涂膜的平坦化性的被膜、且在光照射后耐热性高的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种光固化性高低差基板被覆组合物，其包含聚合物，上述聚合物包含式(1)所示的单元结构。〔在式(1)中，A1、A2和A3各自独立地表示可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环或表示含有可以包含杂原子的碳原子数6～100的芳香族环的烃基，B1、B2和B3各自独立地表示式(2)。(在式(2)中，R1表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数1～10的亚烯基、碳原子数1～10的亚炔基、碳原子数6～40的亚芳基、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑O‑、‑C(O)‑NRa‑、‑NRb‑或由它们的组合构成的基团，R2表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基。〕

公开(公告)号：CN112513738A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980050814.7

申请日：2019-07-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/42

Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。