-
公开(公告)号：CN112992763A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011463224.8
申请日：2020-12-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的课题在于提供能有效地减轻将粘合片从被粘物剥离时该被粘物受到的负荷的粘合片剥离方法。本发明的解决手段是提供将包含构成粘合面的粘合剂层的粘合片从该粘合片所接合的被粘物剥离的方法。该剥离方法包括：向上述粘合片应用第一剥离力降低手段；以及，向上述粘合片应用第二剥离力降低手段。
-
公开(公告)号：CN103000792A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210343267.1
申请日：2012-09-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/52 , H01L25/0753 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2933/0091 , Y10T29/49002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及封装片、其制造方法、发光二极管装置及其制造方法。封装片具备用于封装发光二极管元件的封装层、以及在封装层的厚度方向的一侧形成的、用于将从发光二极管元件发出的光扩散的光扩散层、以及介于封装层和光扩散层之间的间隔层。
-
公开(公告)号：CN112980345B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202011463463.3
申请日：2020-12-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/30 , C09J133/08
Abstract: 本发明的课题在于提供能抑制剥离时的粘滑现象的晶片加工用粘合片。通过本申请，可提供包含构成粘合面的粘合剂层的晶片加工用粘合片。对于上述粘合片而言，使用将该粘合片的上述粘合面贴附于作为被粘物的硅晶片而制作的评价用样品，利用规定的方法测定的粘滑度[10‑3N/10mm]为30以下。
-
公开(公告)号：CN115926655A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211210412.9
申请日：2022-09-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/38 , C09J4/02 , C09J4/06 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及背面研磨带。提供一种背面研磨带，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶。该背面研磨带包括：基材；和UV固化性压敏粘合剂层，其中未经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上，并且对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上，并且其中所述背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为300MPa以下，并且对硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。
-
公开(公告)号：CN113061401A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202011461200.9
申请日：2020-12-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/30 , C09J133/08
Abstract: 本发明的课题在于提供也适合于包含高温工艺的使用方式的半导体加工用粘合片。本发明的解决手段是提供包含构成粘合面的粘合剂层的半导体加工用粘合片。对于上述半导体加工用粘合片而言，在一个方式中，初始常规剥离力Fd0为0.10N/20mm以上，并且，于150℃进行15分钟加热处理后的常规剥离力Fda为1.00N/20mm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111748293A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010128597.3
申请日：2020-02-28
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 河野广希
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/08 , C09J11/06 , H01L21/683
Abstract: 提供具有优异的耐化学药品性及密合性、并且可防止在晶圆上的残胶的背面研磨带。本发明的背面研磨带具备：基材、和在该基材的一面形成的粘合剂层。该粘合剂层由包含基础聚合物及增粘剂的活性能量射线固化型粘合剂组合物形成。上述增粘剂的重均分子量为300以上、并且羟值为50mgKOH/g～500mgKOH/g，该粘合剂组合物中的该增粘剂的含量相对于基础聚合物100重量份为5重量份以上。本发明的背面研磨带的该粘合剂层的活性能量射线照射前的粘合力为15N/20mm以上。
-
公开(公告)号：CN103489988A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310231322.2
申请日：2013-06-09
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/52 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10T428/249921 , Y10T428/265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及封装片、发光二极管装置及其制造方法，所述封装片具备封装树脂层和形成在所述封装树脂层的厚度方向一侧的阻隔薄膜层。
-
公开(公告)号：CN103066190A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210397782.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08K5/56 , C08L83/04 , H01L33/501 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , C08L83/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供封装用片及光半导体元件装置，所述封装用片由含有封装树脂和有机硅微粒的封装树脂组合物形成。有机硅微粒的配混比率相对于封装树脂组合物为20~50质量%。
-
公开(公告)号：CN102832326A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210200117.5
申请日：2012-06-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/507 , B29C43/18 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10T428/269 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及密封用片及光半导体元件装置，所述密封用片具备密封树脂层和层叠于密封树脂层的波长转换层，波长转换层是层叠如下的两个层而成的：由透光性树脂组合物形成的、厚度为200μm～1,000μm的阻隔层；和含有荧光体的荧光体层。
-
公开(公告)号：CN102738360A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210098056.6
申请日：2012-04-05
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10T428/24802 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供密封片、发光二极管装置及其制造方法。密封片贴附在安装有发光二极管的基板处，密封发光二极管。密封片具备：划分有从一个侧面埋设发光二极管的埋设区域的密封材料层、和在密封材料层的另一个侧面层叠的第一荧光体层、和在密封材料层的一个侧面以与埋设区域隔着间隔配置的方式层叠的第二荧光体层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.028 seconds)
