公开(公告)号：CN101177597A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710185071.3

申请日：2007-11-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井文辉 ,  佐佐木贵俊 ,  三木翼 ,  高桥智一 ,  新谷寿朗 ,  山本晃好

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B23K26/146 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  C09J7/21 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/249962

Abstract: 本发明提供一种粘合片，其在喷水激光切割中，通过使来自液体流的液体的透过性更加良好并且稳定化，在芯片或IC部件等的剥离时不会产生缺损等缺陷，并且能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工。该喷水激光切割用粘合片在基材膜上叠层了粘合剂层，基材膜包括由纤维形成的网状物。

公开(公告)号：CN1572821A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047286.5

申请日：2004-05-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤冈宏树 ,  石塚浩敏 ,  佐佐木贵俊

IPC: C08J5/18 ,  C08K9/04 ,  C08L27/12 ,  C08L81/06 ,  C08L23/00

CPC classification number: C08J5/18 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/45 ,  C03C2217/75 ,  C08K9/04 ,  Y10T428/2481

Abstract: 一种亲水化多孔膜能够通过简单的方法亲水化得到，该方法没有损害排斥能力和渗透性能并易于保持膜材料的性能，并且还提供了制备该膜的方法。所述亲水化多孔膜包含有疏水性聚合物和分散于其中用亲水性化合物有机化的有机化粘土，是通过这样一种方法得到的，该方法包括将亲水性化合物有机化的粘土分散于疏水性聚合物溶液的步骤，和对该溶液进行相分离的步骤以获得亲水化多孔膜。

公开(公告)号：CN110272690B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201910185544.2

申请日：2019-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  秋山淳 ,  东别府优树

IPC: C09J7/25 ,  C09J7/50 ,  C09J133/08

Abstract: 本发明提供一种半导体保护用粘合带，其能够良好地填埋凹凸面，且溶剂含量少。本发明的半导体保护用粘合带具备：基材、配置在该基材的至少一侧的粘合剂层、以及配置在该基材与该粘合剂层之间的中间层，该粘合剂层由包含(甲基)丙烯酸类聚合物的活性能量射线固化型粘合剂构成，该粘合剂层的厚度为1μm～50μm，该中间层由UV聚合(甲基)丙烯酸类聚合物构成，该中间层的厚度为50μm～1000μm。

公开(公告)号：CN103429690A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280013540.2

申请日：2012-03-05

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  土生刚志 ,  生岛伸祐 ,  龟井胜利 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  C08F210/08 ,  C09J123/14 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J123/14 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供一种具有可以充分填补被粘物的凹凸的高度差追随性且能够经时地保持充分填补了凹凸的状态的粘合带。本发明的粘合带具备粘合剂层和基材层，该粘合剂层在20℃下的储能模量为0.5×106Pa～1.0×108Pa，该粘合剂层在20℃～80℃下的损耗角正切tanδ为0.1以上。在优选的实施方式中，前述粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200000以上，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)为2以下。

公开(公告)号：CN103081070A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201280002593.4

申请日：2012-07-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  水野浩二 ,  浅井文辉 ,  志贺豪士

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  C08K5/005 ,  C09J7/38 ,  C09J11/06 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68336 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明的目的在于提供在对半导体晶圆进行激光划片时可防止吸附工作台损伤的切割用粘合片。本发明提供一种切割用粘合片，其为具有基材和设置在基材上的粘合剂层的切割用粘合片，在粘合剂层中，相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02～5重量份的紫外线吸收剂，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30～80%。

公开(公告)号：CN102093827A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010520031.1

申请日：2010-10-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 土生刚志 ,  浅井文辉 ,  新谷寿朗 ,  佐佐木贵俊 ,  水野浩二

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J133/08 ,  H01L21/68

CPC classification number: B32B27/40 ,  B32B27/16 ,  B32B27/281 ,  B32B27/302 ,  B32B27/304 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B2307/308 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/51 ,  B32B2307/748 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明的目的是提供一种再剥离性粘合片，其能够降低晶片的翘曲、破裂、边缘的缺口，并能够降低针对温度变化的粘合力的上升和/或再剥离时的被粘物的污染，可容易地剥离。该粘合片具备基材和层叠在该基材表面上的粘合剂层，是半导体晶片背面磨削用的再剥离性粘合片，该粘合片的弹性模量为103MPa以上，在60℃下加热10分钟后的加热收缩率为1％以下，并且粘合剂层设定为一定的厚度，使得在前述粘合片的三点弯曲试验中，在自该粘合剂层侧的30μm压入量下，最大点应力为200g/cm以下。

公开(公告)号：CN101993667A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010249200.2

申请日：2010-08-05

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 水野浩二 ,  浅井文辉 ,  佐佐木贵俊

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  H01L21/68 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B37/1284 ,  B32B38/164 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2310/0806 ,  B32B2310/0831 ,  C09J7/29 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/24959

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法，该粘合片能够有效地防止因近年来半导体晶圆的电路图案等的形成面中的凹凸引起的残胶。一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其是用于粘附在半导体晶圆表面来保持保护半导体晶圆的粘合片(40)，中间层(20)及粘合剂层(30)以该顺序配置在基材层(10)的单面，粘合剂层(30)利用辐射线固化型粘合剂以厚度1～50μm而形成，且断裂应力为0.5～10MPa，中间层(20)以厚度10～500μm而形成，且弹性模量为0.01～5MPa。

公开(公告)号：CN101134876A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710146801.9

申请日：2007-08-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三木翼 ,  浅井文辉 ,  高桥智一 ,  佐佐木贵俊 ,  新谷寿朗 ,  山本晃好

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/02 ,  C09J121/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B23K26/146 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  C09J4/06 ,  C09J7/241 ,  C09J2201/20 ,  C09J2203/326 ,  C09J2407/00 ,  C09J2409/00 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种喷水激光切割用粘合片，在喷水激光切割中，可以一边维持来自液体流的液体的透过性，一边在切割后的拾取时获得充分的扩展性。其结果是，在剥离芯片或IC部件等时，可以在邻接的芯片等之间确保适当的空间，并且不会产生由于芯片间的接触、拾取产生的碰撞等导致的缺损等缺陷，可以加工极薄的半导体晶片或材料。本发明涉及一种喷水激光切割用粘合片，该粘合片是在基材膜上叠层粘合剂层而形成的，其中，该粘合片具有穿孔，且空隙率为3～90％，并且其断裂伸长率为100％以上。

公开(公告)号：CN101130670A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710142375.1

申请日：2007-08-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  高桥智一 ,  浅井文辉 ,  山本晃好 ,  新谷寿朗

IPC: C09J7/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/18 ,  C09J7/29 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明提供一种激光加工用粘接片，在使用激光切断半导体晶片等被加工物时，能把基体材料膜自身的切断限制到最小左右，防止基体材料膜向加工用工作台的局部附着，能容易且高效率地进行以后的工序。在基体材料膜的表面上层合有粘接剂层的激光加工用粘接片，所述基体材料膜在背面具有熔化保护层。

公开(公告)号：CN110938383A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910906514.6

申请日：2019-09-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  水野浩二 ,  户田乔之

IPC: C09J7/22 ,  C09J7/50 ,  C09J7/38 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供能良好地嵌入凹凸面、并且防止残胶的半导体保护用粘合带。本发明的半导体保护用粘合带具备：基材、配置于该基材的至少单侧的粘合剂层、和配置于该基材与该粘合剂层之间的中间层，粘合剂层的储能模量A(MPa)、中间层的厚度B(μm)、粘合剂层的厚度C(μm)、及粘合剂层的粘性值D(N)满足下述式(1)。A×(B/C)×D≥20(MPa·N)···(1)