公开(公告)号：CN114946037A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202180008405.8

申请日：2021-03-23

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  大贯仁

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明的宽带隙半导体装置，包括：宽间隙半导体层；以及金属层20，设置在所述宽间隙半导体层上，其中，所述金属层20在与所述宽间隙半导体层之间的界面的界面区域处具有单晶层21，在将构成所述金属层20的金属的平衡状态下的晶格常数设为L的情况下，所述界面区域处的所述单晶层21包含第一区域，该第一区域的晶格常数L1比L小1.5％～8％。

公开(公告)号：CN102683430B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210067432.5

申请日：2012-03-06

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  大泽良平 ,  荒木克隆 ,  渡部善之

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1608

Abstract: 在基板的中心区域，形成有横跨邻接护圈层的第二半导体层和邻接该第二半导体层的第二半导体层之间的第三绝缘层。即，在第二半导体层与第二半导体层之间，形成有覆盖了在基板的第一面(一侧的主面)露出的第一半导体层的第三绝缘层。这样，第三绝缘层在第二半导体层和第二半导体层之间，使在基板11的第一面11a露出的第一半导体层和金属层之间电气绝缘。

公开(公告)号：CN111727506A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201880083604.3

申请日：2018-02-13

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 涩川昭彦 ,  前山雄介 ,  中村俊一

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明的半导体装置包括：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；形成在漂移层的一个主面上的接合区域；包含第二导电型掺杂物的结终端扩展区域；以及包含比结终端扩展区域更高浓度的第二导电型掺杂物的保护环区域，其特征在于：在结终端扩展区域中，第二导电型掺杂物的从一个主面向深度方向的浓度在从一个主面到达第一深度为止是上升的，一个主面处的第二导电型掺杂物的浓度小于等于第一深度处的第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于漂移层处的第一导电型掺杂物的浓度。

公开(公告)号：CN107078167A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580001788.0

申请日：2015-08-27

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  中村俊一 ,  小笠原淳 ,  大泽良平 ,  涉川昭彦

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层(32)上；绝缘层(51)、(52)、(53)，在所述第一导电型半导体层(32)上与所述第一电极(10)邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体装置的端部；以及,第二电极(20)，设置在所述第一电极(10)与所述宽带隙半导体装置的端部之间，并与所述第一导电型半导体层(32)形成肖特基接触。