-
公开(公告)号：CN110422820A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910081902.5
申请日：2019-01-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造半导体裸片的方法、半导体裸片、封装件以及电子系统。该方法，包括以下步骤：提供MEMS设备，其具有设置有腔体的结构本体和悬挂在腔体之上的膜结构；经由直接接合或熔合接合将结构本体耦合至过滤模块，使过滤模块的第一部分在腔体之上延伸，并且过滤模块的第二部分无缝地延伸作为结构本体的延长；以及在对应于第一部分的区域中蚀刻过滤模块的选择部分，以形成流体耦合至腔体的过滤开口。例如，半导体芯片是麦克风。
-
公开(公告)号：CN109511066A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811076753.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本文提供了用于制造薄过滤膜的方法以及包括过滤膜的声学换能器装置。一种制造过滤模块的方法，其包括以下步骤：形成多层体，其包括半导体材料的并且具有小于10μm的厚度的过滤层、耦合到过滤层的第一侧的第一结构层、以及耦合到过滤层的与第一侧相对的第二侧的第二结构层；在第一结构层中形成凹部，该凹部在其整个厚度上延伸；去除过滤层的通过凹部暴露的选择性部分，以形成多个开口，这些开口在过滤层的整个厚度上延伸；以及完全去除第二结构层以流体地连接过滤层的第一侧和第二侧，从而形成设计用于限制污染颗粒通过的过滤膜。
-
公开(公告)号：CN117594374A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311002468.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·韦尔切西 , G·加特瑞 , G·阿勒加托 , M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 , A·达内伊
Abstract: 一种微机电按钮器件设置有检测结构，检测结构具有：具有前表面和后表面的半导体材料的衬底；被布置在衬底上的掩埋电极；被布置在结构层中的移动电极，移动电极覆盖在衬底上并且以分离距离弹性地悬置在掩埋电极上方以形成检测电容器；以及帽，帽耦合在结构层之上并且具有面对结构层的第一主表面和第二主表面，帽被设计为机械耦合到便携式或可佩戴型电子装置的外壳的可变形部分。帽在其第一主表面上具有致动部分，致动部分被布置在移动电极上并且被配置为在施加在第二主表面上的压力存在的情况下引起移动电极向掩埋电极的偏转和接近，从而引起检测电容器的电容变化，电容变化指示微机电按钮器件的致动。
-
公开(公告)号：CN116199178A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211511741.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺。MEMS遮蔽件包括：由孔径通过的半导体衬底；第一半导体层和第二半导体层，其形成固定到衬底的支撑结构；多个可变形结构，每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成；多个致动器；多个屏蔽结构，每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成，屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置，以提供对孔径的屏蔽，每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一位置和第二位置之间平移对应屏蔽结构，从而改变对孔径的屏蔽；屏蔽结构的第一和第二位置使得在至少一个操作状态下，相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
-
公开(公告)号：CN111212370B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911143036.4
申请日：2019-11-20
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有减小的应力敏感度的超声MEMS声换能器及其制造工艺。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110392331B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910319587.5
申请日：2019-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及压电声学MEMS换能器及其制造方法。一种在半导体材料的本体中形成的压电MEMS换能器，其具有中心轴线和周边区域，并且包括多个梁、膜和柱，多个梁横向于中心轴线，多个梁并且具有被耦合到本体的周边区域的第一端和面向中心轴线的第二端，膜横向于中心轴线并且被布置在多个梁下方，柱与中心轴线平行，并且与梁的第二端和膜是刚性的。MEMS换能器还包括被布置在多个梁上的多个压电感应元件。
-
公开(公告)号：CN111212370A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911143036.4
申请日：2019-11-20
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有减小的应力敏感度的超声MEMS声换能器及其制造工艺。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。
-
公开(公告)号：CN110392331A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910319587.5
申请日：2019-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及压电声学MEMS换能器及其制造方法。一种在半导体材料的本体中形成的压电MEMS换能器，其具有中心轴线和周边区域，并且包括多个梁、膜和柱，多个梁横向于中心轴线，多个梁并且具有被耦合到本体的周边区域的第一端和面向中心轴线的第二端，膜横向于中心轴线并且被布置在多个梁下方，柱与中心轴线平行，并且与梁的第二端和膜是刚性的。MEMS换能器还包括被布置在多个梁上的多个压电感应元件。
-
公开(公告)号：CN210120666U
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201920540359.6
申请日：2019-04-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及压电MEMS换能器和电子设备。一种在半导体材料的本体中形成的压电MEMS换能器，其具有中心轴线和周边区域，并且包括多个梁、膜和柱，多个梁横向于中心轴线，多个梁并且具有被耦合到本体的周边区域的第一端和面向中心轴线的第二端，膜横向于中心轴线并且被布置在多个梁下方，柱与中心轴线平行，并且与梁的第二端和膜是刚性的。MEMS换能器还包括被布置在多个梁上的多个压电感应元件。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN219603256U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202223188759.6
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 提供MEMS快门和包括MEMS快门的设备。MEMS快门包括：由主要孔径穿过的半导体材料的衬底，和形成固定到衬底的支撑结构的第一半导体层和第二半导体层；多个可变形结构；多个致动器；以及多个屏蔽结构，多个屏蔽结构中的每个屏蔽结构由第一半导体层与第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成，屏蔽结构被布置为成角度地围绕底层主要孔径以便提供对主要孔径的屏蔽，每个屏蔽结构经由对应可变形结构进一步耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制以便引起对应屏蔽结构在相应第一位置与相应第二位置之间的旋转，从而改变对主要孔径的屏蔽。屏蔽结构的第一和第二位置使得在MEMS快门的至少一种操作条件下相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.027 seconds)
