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公开(公告)号：CN109923660B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201780066416.5
申请日：2017-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 柯蒂斯·S·莱斯基斯 , 基思·塔特森·王 , 史蒂文·维哈沃贝克
IPC: H01L21/768 , H01L21/306
Abstract: 描述通过在沉积过程中流动材料进入间隙来降低形成在图案化基板上的介电膜的湿蚀刻速率的方法。以此方式沉积的膜可能最初呈现提高的湿蚀刻速率。通过暴露图案化基板至气相水蒸汽的高压力来处理介电膜。处理可降低介电膜的湿蚀刻速率，特别是介电膜的间隙填充部分。扫描电子显微镜已经确认通过本文所述的工序降低或排除孔的数量与/或尺寸。也已经发现处理降低了例如由介电膜填充的间隙的底部处的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN110692121A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880034565.8
申请日：2018-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 与用于处理在工件上的钨膜的工艺相关的方法和系统包括：将工件支撑在腔室中；将氢气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的钨膜暴露于氢气。
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公开(公告)号：CN118315268A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410244488.6
申请日：2018-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/67 , C23C16/18
Abstract: 与用于处理在工件上的钨膜的工艺相关的方法和系统包括：将工件支撑在腔室中；将氢气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的钨膜暴露于氢气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109075021B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201780019657.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托宾·卡芙曼·奥斯本 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/02
Abstract: 在此所述的实施方式大体上涉及用于制造半导体装置的工艺，其中使用自组装单层(SAM)来实现选择性区域沉积。在此所述的方法涉及交替的SAM分子和羟基部分暴露操作，其可用以形成适于阻挡随后沉积材料的沉积的SAM层。
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公开(公告)号：CN109196634B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201780032897.8
申请日：2017-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。
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公开(公告)号：CN110603631B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201880029402.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 阿迪卜·汗 , 文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 , 苏坦·马立克 , 肖恩·S·康 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。
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公开(公告)号：CN110678959A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880034510.7
申请日：2018-05-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 基思·塔特森·王 , 肖恩·S·康 , 斯里尼瓦斯·D·涅曼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , H01L21/321 , C23C16/44 , H01L21/67
Abstract: 涉及处理在工件上的氮化硅膜的工艺的方法和系统，包括：在腔室中支撑工件，将胺气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的氮化硅膜暴露于胺气。
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公开(公告)号：CN109923660A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780066416.5
申请日：2017-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 柯蒂斯·S·莱斯基斯 , 基思·塔特森·王 , 史蒂文·维哈沃贝克
IPC: H01L21/768 , H01L21/306
Abstract: 描述通过在沉积过程中流动材料进入间隙来降低形成在图案化基板上的介电膜的湿蚀刻速率的方法。以此方式沉积的膜可能最初呈现提高的湿蚀刻速率。通过暴露图案化基板至气相水蒸汽的高压力来处理介电膜。处理可降低介电膜的湿蚀刻速率，特别是介电膜的间隙填充部分。扫描电子显微镜已经确认通过本文所述的工序降低或排除孔的数量与/或尺寸。也已经发现处理降低了例如由介电膜填充的间隙的底部处的蚀刻速率。
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