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公开(公告)号：CN114029495B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111363108.3
申请日：2021-11-17
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及纳米金属颗粒生产技术领域，尤其涉及一种低温气流制备纳米金属颗粒的制备系统和制备方法。一种低温气流制备纳米金属颗粒的制备系统，包括低温气流产生装置、进气管路、纳米材料制备装置、出气管路和收集装置；所述纳米材料制备装置用于制备纳米金属颗粒，所述纳米材料制备装置包括烧蚀反应容器、电源和电极，所述烧蚀反应容器的内壁设有相向设置的所述电极，所述电极分别与所述电源的两极电连接。所述低温气流制备纳米金属颗粒的制备系统，可以实现超细尺寸的纳米金属颗粒的制备，且制备容易，制备效率高，解决了现有纳米金属颗粒制备困难、制备效率低下、难以制得超细尺寸的纳米金属颗粒的问题。
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公开(公告)号：CN116216659A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310185934.6
申请日：2023-03-01
Applicant: 广东工业大学
IPC: C01B21/06 , H01J37/32 , C01B21/072 , B82Y30/00 , C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种氮化物纳米材料的制备方法及制备系统，涉及纳米材料技术领域。本发明氮化物纳米材料的制备方法如下：将电极靶材安装于火花烧蚀装置的内部，电极靶材的材料为金属材料或非金属材料；电极靶材的供电电压为6～9KV，供电电流为15～50mA；向火花烧蚀装置中通入氮气，启动火花烧蚀装置的电源，在火花烧蚀装置的内部产出氮化物纳米颗粒，对氮化物纳米颗粒进行收集后，得到氮化物纳米材料。本发明的制备方法具有制备工艺简单且生产效率高的优点，能够实现工业化生产，解决了现有氮化物纳米材料的制备方法因制备过程复杂、生产效率低和生产条件苛刻而导致制备成本高和难以实现工业化生产的问题。
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公开(公告)号：CN112095099B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010955086.9
申请日：2020-09-11
Applicant: 广东工业大学
IPC: C23C24/04
Abstract: 本发明涉及纳米材料喷涂技术领域，更具体地，涉及一种纳米材料冷喷装置，包括有喷管，喷管设有进气口和送料口，其中，喷管的内腔由导材料制成并通电，还包括有与待喷涂材料配合的电极或图案化挡板，电极或图案化挡板与喷管的喷口之间施加电压，喷管设有波纹状的内腔，喷管的外表面采用绝缘材料制成。本发明在纳米材料的冷喷涂工艺过程中在不改变纳米材料的特性的前提下避免颗粒团聚，喷管的内腔由导材料制成并通电，产生静电，使纳米颗粒在喷管中带电并发生分散，同时设有与待喷涂材料配合的电极或图案化挡板，电极用于吸引带电纳米颗粒射至电极上方的待喷涂材料，图案化挡板开有所需喷涂图案形状的结构，用于在待喷涂材料上形成精确的图案。
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公开(公告)号：CN115662946A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211371335.5
申请日：2022-11-03
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供了一种超细节距全铜互连方法及超细节距全铜互连结构，包括以下步骤：S1、制备纳米铜膏，通过加入溶剂、分散剂和粘度调节剂调配至一定浓度；S2、选取一定铜柱直径及数量的芯片和基板，并将基板及芯片清洗干净后进行预处理；S3、键合机吸取带有铜柱I/O输出端口的芯片并进行翻转，使铜柱结构朝外；S4、键合机的吸头吸取芯片将铜柱结构浸入纳米铜膏中蘸取后提起；S5、通入保护气体，铜柱与基板上对应的垫片通过键合机的光学系统对准并施加压力，超声和温度以进行键合；S6、室温下冷却得到超细节距全铜半导体互连结构。本发明具有低温烧结，能实现超细节距互连上的极限，可以实现更细节距的互连，可满足高密度封装的要求。
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公开(公告)号：CN115108729A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210934168.4
申请日：2022-08-04
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及玻璃加工技术领域，公开了一种采用钝化液的玻璃深孔加工方法，包括以下步骤：S1)将待加工玻璃浸没于钝化液中，在待加工玻璃的外表面形成钝化膜并包覆其外表面；S2)将待加工玻璃浸没于含有金属离子的活性催化溶液中，并用激光束照射于待开孔区域的钝化膜的表面，待开孔区域的活性催化液中的金属离子经激光束照射还原并形成金属粒子，吸附于对应区域的表面；S3)将吸附有金属粒子的待加工玻璃转移并浸没于蚀刻液中，再使用激光束照射待加工玻璃的所述对应区域，在所述对应区域的表面形成蚀孔，直至蚀孔贯穿待加工玻璃为止；可利用钝化膜的保护，使蚀刻液冷却玻璃，保障激光束的蚀刻效率，利用蚀刻液溶解杂质，避免蚀孔不平整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114916147A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210549638.5
申请日：2022-05-20
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本申请涉及电路修复的技术领域，尤其是涉及一种精细线路的开路与短路修复设备及方法,包括以下模块：前处理装置，对待修复线路板进行除油、酸活化表面前处理；AOI系统，用于确定线路缺陷的类型、具体位置和大小；激光系统，包括激光烧蚀装置和激光烧结装置；喷胶系统，用于实现纳米金属在线路断路缺陷位置的完全填充；表面平整化装置，用于实现纳米金属填充体上表面平整化；清洗装置，用于实现线路的清洗；热压装置，用于加强烧结处纳米金属与线路板的结合程度；检测装置，用于测试修复点性能是否达到特定标准；信号处理及控制系统，用于实现各模块的耦合联动控制；本发明能自动进行线路修复，相比人工提高了修复效率以及准确率。
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公开(公告)号：CN113290237B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110375743.7
申请日：2021-04-08
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种常温成型的纳米导电金属膏与制备方法和应用，本发明的纳米导电金属膏分成了两个组分，一方面可以实现在两种组分没有混合之前不会发生固化，另一方面在使用的时候只需要将两种组分混合即可发生固化，无需加热或采用激光，使用过程更为方便，两种混合反应，逐渐收缩并形成网状结构，促使纳米金属聚集，在最后阶段混合溶液固化，从而达到烧结导电的目的。这一过程中，在常温或者室温的情况下，可紫外激光对混合溶液进行照射，辅助促进溶液反应。本发明提供的常温成型的纳米导电金属膏可以广泛应用于柔性可穿戴设备、柔性显示屏、柔性传感器等领域。
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公开(公告)号：CN113207237B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110276041.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米金属辅助定向电镀及电解的线路成型与修复方法，包括：确定待修复的金属线路板上的待修复区域/确定待成型的金属线路板上的待成型区域，对金属线路板接电，其中修复时接负电，成型时接正电；将接电后的金属线路板浸没在金属盐溶液中，利用金属探针移动到待修复/成型区域上方，修复时给金属探针通正电，成型时给金属探针通负电，利用电势差使金属盐还原成金属微粒进行修复，或电解腐蚀金属线路板以进行成型。本发明通过细探针的使用，使电场局域化，从而实现区域化高精度电镀、电解；本方法有助于提高工业中精细线路板的成型效率和精细线路板的利用率。
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公开(公告)号：CN112786531B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011641344.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/768 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种基于纳米金属的深孔互连结构制备方法，先在待形成深孔互连结构的玻璃板上形成深孔；再通过点胶装置将纳米金属膏对深孔进行填充；填充完毕后，刮除玻璃板表面溢出的残余纳米金属颗粒；之后再对填充的纳米金属进行变深度烧结成型；最后对玻璃板进行湿法清洗，去除残留纳米金属颗粒，玻璃板上的深孔互连结构制备完成。本发明是在深孔中采用纳米金属填充，然后烧结形成深孔互连的导体结构，无需采用电镀铜的方式，避免造成对环境的污染。
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公开(公告)号：CN111430249B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010148690.0
申请日：2020-03-05
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及电子加工的技术领域，更具体地，涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法：在第一刚性载板制作第一凹槽并在第一凹槽底部制作图案化突起，先将注塑材料平铺于第一凹槽中并升温融化，再将待封装芯片以倒装形式插入熔融态的注塑材料中，进行可控温度场式升温固化，得到塑封好的封装芯片；当需要实现特殊的封装结构、固化顺序，或者面对较厚的待封装芯片或粘度过高的注塑材料等情况或要求，可采用多次倒装方法，实现多材料、多次序的注塑固化。本发明结合可控温度场式升温及刚性载板的结构设计，可实现多层封装结构的可控固化成型，并调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力，减少芯片漂移和翘曲。
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