-
公开(公告)号：CN104064951A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410285835.6
申请日：2014-06-24
IPC: H01S3/115
Abstract: 本发明涉及一种基于非线性光学材料二硫化钼被动调Q光纤激光器，属于激光技术及其非线性光学领域。该激光器包括泵浦源、波分复用器、掺杂光纤、二硫化钼可饱和吸收体、单模光纤、环形器、隔离器、光纤光栅、光纤耦合器及透镜。由于少数层二硫化钼在中红外波段具有非线性可饱和吸收特性，可实现高脉冲能量、纳秒量级的脉冲激光输出。此外，通过控制二硫化钼材料的层数及缺陷，可得到不同的能量带隙以满足不同响应光谱范围，进而实现二硫化钼可饱和吸收体在不同激光波段的运转。
-
公开(公告)号：CN101798215A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010147835.1
申请日：2010-04-16
Applicant: 山东大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及镧和镝共掺杂SrTiO3陶瓷材料,它的分子式为La0.1-xDy0.1+xSr0.8TiO3，其中0≤x≤0.10。本发明陶瓷材料有效地保持了La0.1-xDy0.1+xSr0.8TiO3陶瓷样品的功率因子，得到了最大功率因子1318μW/K2m；同时有效的降低了样品的热导率，得到最低热导率2.3W/mK；La和Dy的重掺杂有效的提高了SrTiO3基陶瓷样品的热电性能，得到最大热电优值0.36。
-
-
公开(公告)号：CN101256869A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710115811.6
申请日：2007-12-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，属于信息技术自旋电子材料领域。该系列氧化物磁性半导体薄膜显示普遍的电输运性质：低电阻率的材料为莫特(Mott)变程跃迁电阻，中间电阻率的材料为埃弗洛斯(Efros)变程跃迁电阻，高电阻率的材料为硬带隙(hard gap)电阻。利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法，交替沉积非常薄的铁磁金属层和宽禁带氧化物半导体层在衬底上，通过精确控制薄膜制备过程中的氧分压来调控材料的电输运性质。氧化物磁性半导体薄膜的电输运性质只与材料中氧空位的浓度相关。
-
公开(公告)号：CN100350520C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200510043640.1
申请日：2005-06-03
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种非晶态高掺杂CoxTi1-xO2铁磁性半导体薄膜及其制备方法，属于自旋电子材料技术领域。在真空系统中，应用组分交替沉积的办法，获得均匀的无定形的非晶态相，Co和Ti之间的掺杂固溶度可达到30～56%。交替周期数为50～100，在交替沉积时，衬底的温度控制在水冷～200℃，沉积的速率控制在0.02nm～0.07nm/s；含Co层或含Ti层的单层厚度0.3nm～0.7nm。该非晶态薄膜呈现出变程跃迁的半导体特征，有效的室温平均原子磁矩为1.20～1.29μB，其磁居里温度高于室温，可见光区的透光率为50～85%，极向克尔磁光转动角高达0.4度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1523623A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03139038.2
申请日：2003-09-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种铜基复合电接触材料，属于新材料技术领域。组分如下：导电陶瓷1～15％，石墨0.1～3％，Mo、W之一或者其组合1～10％，Ni0.2～4％，铜余量，重量百分比。本发明的中低压电器用铜基复合电接触材料具有良好的导电和导热性，较好的灭弧性、抗熔焊性、抗电侵蚀及抗粘结性，且具有低电阻率、温升小、性能价格比高等优点，可用于在大范围内替代现有银基材料。
-
公开(公告)号：CN1303133A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN01107798.0
申请日：2001-02-14
Applicant: 山东大学
Abstract: 纳米晶巨磁阻抗复合材料属于信息功能材料领域。本发明采用高真空技术,先将铁基软磁合金和高导电材料铜或银组合成层状复合材料,然后,进行真空退火热处理,把磁性层的晶粒尺度控制在几十纳米的范围。它克服了传统软磁合金薄膜磁阻抗效应弱、工作频率高的缺点,简化了后序处理工艺。这种纳米晶复合材料具有磁阻抗效应强、灵敏度高、工作频率低等优点。
-
公开(公告)号：CN105552213B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510902153.X
申请日：2015-12-08
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种调控磁电阻比值的方法，包括：1)在具有整流磁电阻器件的两端施加一个固定幅值的交流电流；2)同时，在所述交流电流的基础上耦合上一个直流电流I1，此时输出的交流电流信号存在I1的平移：i＝I0sin(wt)+I1；3)检测所述器件随外磁场变化所产生的整流电压VH：其中H代表外磁场的强度，T代表所述交流电流的周期；4)调节施加在所述器件上电流的直流分量I1的大小，从而调节整流电压VH的大小，最终调节磁电阻比值MR＝(VH‑V0)/V0。本发明是利用所述于器件既具有整流磁电阻，又具有直流磁电阻，进而实现调节整流电压VH的大小，最终达到调节磁电阻比值的技术效果。
-
公开(公告)号：CN104851974B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510224845.3
申请日：2015-05-05
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种具有整流磁电阻效应的磁传感器,包括在半导体上形成的可磁场调控的肖特基势垒，以使所述磁传感器具有整流磁电阻效应，既具有整流效应，又具有磁电阻效应。当一个交变的电流通过该磁传感器时，在该磁传感器两端产生一个整流电压。并且该磁传感器的整流特性会随着外部磁场的变化而发生变化，所以整流电压会随着外磁场发生相应变化，通过检测整流电压的变化即可反推得到外部磁场的变化。该磁传感器可应用于磁存储数据的读取，或者测量外磁场。通过本发明的磁传感器能够获得比直流测量更大的磁电阻比值，能够提高磁传感器的信噪比，增加测量精度，提高磁存储器件的容错能力。并且该器件工作电压很低，具有低功耗的优势。
-
公开(公告)号：CN102944322B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210485015.2
申请日：2012-11-23
Applicant: 山东大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明涉及一种异质结纯电阻-二极管复合温度计，采用Co/CoO-ZnO/Ag异质结，该异质结中Co为下电极，Ag为上电极，CoO-ZnO为复合绝缘层。在测量时，把异质结的Ag、Co上下电极和外电路测量仪表相连接，当电压银正、钴负时异质结处于低阻态，利用低电阻状态时的金属导电特性对应的R-T曲线测量高温；当电压是银负、钴正时异质结处于高组态；利用高电阻状态时的半导体导电特性对应的R-T曲线测量低温，测量温度范围5K-300K。本发明的温度计可测量温度范围宽，在大范围内均能保证同样的测量精度。对温度的响应时间快且很灵敏，可用于微米级物体的温度测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.019 seconds)
