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公开(公告)号:CN1675687A
公开(公告)日:2005-09-28
申请号:CN03819620.4
申请日:2003-02-06
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供的磁记录媒体,由基板、形成于基板上的下部电极层、形成于下部电极层上的阳极氧化铝膜(13)、形成于阳极氧化铝膜(13)的上部表面以及细孔(14)的内壁的碳层(15)、细孔(14)的隔有碳层(15)的内部形成的磁性粒子(16)、形成于碳层(15)以及磁性粒子(16)的表面的润滑层等构成。通过由碳层(15)覆盖阳极氧化铝膜(13)的表面以及细孔(14)的内壁,从而保护阳极氧化铝膜(13),实现耐蚀性以及耐久性优良的磁记录媒体。
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公开(公告)号:CN85109508A
公开(公告)日:1986-07-09
申请号:CN85109508
申请日:1985-12-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/243 , G11B7/2542 , G11B7/2572 , G11B7/2578 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , Y10S430/146 , Y10S430/165
Abstract: 利用能够形成两种稳定晶态的合金膜来记录和擦抹光学信息,由于在不同条件下的光能照射,两种稳定晶态具有不同的晶体结构和光学性质。
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公开(公告)号:CN100395821C
公开(公告)日:2008-06-18
申请号:CN200510059481.4
申请日:2005-03-25
Applicant: 富士通株式会社 , 财团法人神奈川科学技术研究院
Abstract: 一种纳米孔结构,包括:金属矩阵;以及纳米孔,规则排列在该金属矩阵中,其中,所述纳米孔以行为单位隔开特定间隔,以构成纳米孔行。纳米孔行优选同心或螺旋排列。在相邻纳米孔行中的纳米孔优选沿径向设置。每个纳米孔行的宽度优选沿其纵向以特定间隔改变。一种磁记录介质,包括:衬底;以及在该衬底上面或上方的多孔层。该多孔层包括纳米孔,每个纳米孔在基本上垂直于衬底平面的方向上延伸,其中包含至少一种磁性材料,并且该多孔层为上述纳米孔结构。
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公开(公告)号:CN1825435A
公开(公告)日:2006-08-30
申请号:CN200510077629.7
申请日:2005-06-17
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开了一种检测用于记录介质的磁头位置的方法及记录介质驱动器。磁头在记录介质上的分隔轨道和记录轨道之间的边界上沿横向移动。分隔轨道将相邻的记录轨道彼此隔离。检测基于记录轨道从磁头提供的输出中的变化。基于所述变化产生表示磁头位置的位置信息。从磁头提供的输出响应于所述横向上的移动即间歇时间而变化。由此可以基于输出中的变化产生位置信息。产生的位置信息有助于在方便的方式下精确定位。此外,可以从所述记录介质中省略定位磁头所需要的信息。在所述记录介质的制造中可以简化工艺。操作时间由此可以缩短。
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公开(公告)号:CN100437757C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200510077629.7
申请日:2005-06-17
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开了一种检测用于记录介质的磁头位置的方法及记录介质驱动器。磁头在记录介质上的分隔轨道和记录轨道之间的边界上沿横向移动。分隔轨道将相邻的记录轨道彼此隔离。检测基于记录轨道从磁头提供的输出中的变化。基于所述变化产生表示磁头位置的位置信息。从磁头提供的输出响应于所述横向上的移动即间歇时间而变化。由此可以基于输出中的变化产生位置信息。产生的位置信息有助于在方便的方式下精确定位。此外,可以从所述记录介质中省略定位磁头所需要的信息。在所述记录介质的制造中可以简化工艺。操作时间由此可以缩短。
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公开(公告)号:CN101221773A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200810001530.2
申请日:2008-01-04
Applicant: 富士通株式会社 , 财团法人神奈川科学技术研究院
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供了磁记录介质及其制造方法,其中,该方法能够高精度转印能够用作用于形成阳极化氧化铝纳米孔的源的图案并且实现高生产能力;该大容量磁记录介质能够实现高密度记录。所述方法包括:在形成在模子的表面上的凹凸图案上形成金属层;使用粘合剂将基片结合到金属层的与模子的相反侧的表面;从所述金属层分离所述模子;通过纳米孔形成处理形成多孔层,在所述多孔层中,通过将通过所述模子中的凹凸图案转印到所述金属层已经形成的凹凸图案用作纳米孔源来将多个纳米孔形成为在基本垂直于基片平面的方向上定向;以及将磁材料填入所述纳米孔中。
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公开(公告)号:CN100351905C
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN03825181.7
申请日:2003-03-19
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种能进行高密度记录和高速记录的、重写特性优良的、具有均匀特性的高品质、大容量的磁记录介质等。本发明的磁记录介质是在基板上具有在与该基板面大致垂直的方向上形成了多个细孔的多孔质层而构成,在该细孔的内部,从上述基板侧开始依次具有软磁性层和强磁性层,(1)该强磁性层的厚度为该软磁性层的厚度或其以下,(2)该强磁性层的厚度是由在记录时使用的线记录密度决定的最小位长的1/3倍~3倍的任意一个。本发明的磁记录介质的制造方法是上述磁记录介质的记录方法,包括:多孔质层形成工序,在基板上形成多孔质层形成材料层后,对该多孔质层形成材料层进行多孔质化处理,在与该基板面大致垂直的方向上形成多个细孔,形成多孔质层;软磁性层形成工序,在该细孔的内部形成软磁性层;以及,强磁性层形成工序,在该软磁性层上形成强磁性层。
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公开(公告)号:CN1288636C
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN03819620.4
申请日:2003-02-06
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供的磁记录媒体,由基板、形成于基板上的下部电极层、形成于下部电极层上的阳极氧化铝膜(13)、形成于阳极氧化铝膜(13)的上部表面以及细孔(14)的内壁的碳层(15)、细孔(14)的隔有碳层(15)的内部形成的磁性粒子(16)、形成于碳层(15)以及磁性粒子(16)的表面的润滑层等构成。通过由碳层(15)覆盖阳极氧化铝膜(13)的表面以及细孔(14)的内壁,从而保护阳极氧化铝膜(13),实现耐蚀性以及耐久性优良的磁记录媒体。
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公开(公告)号:CN1274459A
公开(公告)日:2000-11-22
申请号:CN99801301.3
申请日:1999-06-04
CPC classification number: G11B11/10565 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/00745 , G11B7/08541 , G11B7/24085 , G11B7/261 , G11B11/10563 , Y10T428/21
Abstract: 在沿同心圆形状或螺旋状的凹槽12形成的记录轨道11的中途部分形成凹槽12中断的区域、并在该凹槽12中断的区域中形成表示关于记录轨道的信息的位模式而构成的光磁盘10中,在凹槽12中断的区域中设置用于利用光学方法检测读取用激光的光点横截记录轨道11的信息的轨道计数用凹沟14。利用上述结构,可以适应高密度记录,并对所希望的记录轨道适当地进行高速访问。
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