公开(公告)号：CN1428855A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02157548.7

申请日：2002-12-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一 ,  清水纪嘉 ,  铃木贵志

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在此提供一种半导体器件，其中包括：第二绝缘膜，其形成在第一布线的表面与第二绝缘膜的表面相连续的一个基本上平整表面上，以覆盖第一布线；在第二绝缘膜中形成第一布线沟槽；在第二绝缘膜中形成的连接孔，以从该布线沟槽延伸到该第一布线；在第二绝缘膜中形成的伪连接孔，以从布线沟槽延伸到不形成第一布线的区域；以及第二布线，其被埋在该连接孔和布线沟槽中，以电连接到第一布线，并且还被埋在伪连接孔中，并且被形成为使得第二布线的表面与第一绝缘膜的表面构成一个基本上平整的表面。

公开(公告)号：CN1402333A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02118015.6

申请日：2002-04-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 北田秀树 ,  清水纪嘉 ,  大冢信幸 ,  大场隆之

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种提供快速半导体运行的多层互连结构通过采用铜布线而实现，其中铜的电迁移由所提供的通孔塞所阻止，该通孔塞包括一层高熔点金属例如钨。