公开(公告)号：CN102044413B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010526085.9

申请日：2003-04-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 水越正孝 ,  石月义克 ,  中川香苗 ,  冈本圭史郎 ,  手代木和雄 ,  酒井泰治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/11 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29099

Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。

公开(公告)号：CN102693914A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210050652.7

申请日：2012-02-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 酒井泰治 ,  今泉延弘 ,  水越正孝

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；通过对该半导体元件安装在其上的安装元件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；在第一温度下对在第一层上或第一层中存在的第一氧化膜以及在第二层上或第二层中存在的第二氧化膜进行还原，第一温度低于在第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在第二电极中包含的第二金属以固态发生扩散的第三温度；以及通过固相扩散将第一层和第二层彼此接合。