公开(公告)号：CN103733345A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280038731.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/3234 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

Abstract: 一种薄膜晶体管，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0 0，0 0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>0，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，彼此分离配置，经由氧化物半导体层可以导通。

公开(公告)号：CN103688364A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035996.9

申请日：2012-06-19

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  望月文彦 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G01T1/24 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L27/156 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种场效晶体管的制造方法，其使照射光时的TFT特性稳定化。所述场效晶体管的制造方法包括：第一步骤，在配置于栅极(14)上的栅极绝缘层(16)上，使第一氧化物半导体膜(24)成膜；第二步骤，使第二氧化物半导体膜(26)成膜，第二氧化物半导体膜(26)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第三步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；第四步骤，使第三氧化物半导体膜(28)成膜，第三氧化物半导体膜(28)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第五步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及电极形成步骤，在第三氧化物半导体膜(28)上形成源极(20)及漏极(22)。

公开(公告)号：CN102403361B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110265137.6

申请日：2011-09-08

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供一种可以在低温下制作、并显示出高场效应迁移率的薄膜晶体管。本发明是具备包含氧化物半导体层的活性层的薄膜晶体管，活性层(12)从栅电极侧起沿膜厚方向包含具有第一电子亲和力χ1的第一区域A1和具有小于第一电子亲和力χ1的第二电子亲和力χ2的第二区域A2，并且形成以第一区域A1作为阱层、以第二区域A2和栅绝缘膜(15)作为势垒层的阱型势。这里，将活性层(12)设为包含由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，使第二区域A2的b/(a+b)大于第一区域A1的b/(a+b)。

公开(公告)号：CN101930805B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010209336.0

申请日：2010-06-21

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  铃木真之 ,  田中淳

IPC: H01L29/786 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供IGZO基氧化物材料和制备IGZO基氧化物材料的方法，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成。

公开(公告)号：CN101931009B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201010209348.3

申请日：2010-06-21

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  铃木真之 ,  田中淳 ,  奈良裕树

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法。本发明提供一种包含活性层的薄膜晶体管，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成，以及提供一种制备所述薄膜晶体管的方法。

公开(公告)号：CN102082170A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010255843.8

申请日：2010-08-16

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 滨威史 ,  铃木真之 ,  田中淳 ,  望月文彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供一种非晶态氧化物半导体材料，场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。

公开(公告)号：CN101006026A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200680000444.9

申请日：2006-03-29

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 铃木真之 ,  五十田智丈

IPC: C04B35/44 ,  H01L33/00 ,  C30B29/28

CPC classification number: C04B35/44 ,  C01F17/0025 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/30 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/62886 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/52 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9653 ,  H01L33/502

Abstract: 一种透光性材料，其空间填充率高、光学散射少、光透射率优越。在通过液相合成而合成颗粒后，不使该颗粒干燥地替换溶液，此时，导入由从Al2O3、钇氧化物、硅氧化物、钇·硅复合氧化物、铝·硅复合氧化物或具备具有比所述颗粒的熔点低的熔点的石榴石(garnet)结构的化合物群组选择的至少一种以上构成的含有晶间相的组成的溶液或含有沉淀的液体。通过使含有晶间相的组成的溶液或含有沉淀的液体附着在颗粒的表面生长，调整活性化微粒，在溶液中三维排列该活性化微粒，形成成形体，烧结该成形体。

公开(公告)号：CN1955116A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610132083.5

申请日：2006-10-24

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高田真宏 ,  铃木真之

IPC: C01G1/00 ,  C09K11/08

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C01B13/14 ,  C01F17/0025 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C04B35/01 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/9653 ,  H01S3/0606 ,  H01S3/0615 ,  H01S3/0621 ,  H01S3/08095 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1613 ,  H01S3/164 ,  H01S3/1643 ,  H01S3/1691

Abstract: 本发明的石榴石型化合物以下述一般式表示。一般式：A1(III)3－2xA2(II)xA3(III)xB(III)2C1(III)3－xC2(IV)xO12(其中，罗马数字：离子价数；A1、A2及A3：A结点的元素、B：B结点的元素、C1及C2：C结点的元素，A1、A2、B、C1及C2分别为上述离子价数的至少1种元素，A3：从由3价的稀土类(La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)构成的组中选择的至少1种元素，A1和A3为不同的元素，0＜x＜1.5(其中，x＝1.0除外)，O：氧原子)。