公开(公告)号：CN103608906B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280029028.7

申请日：2012-06-08

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  田中淳 ,  铃木真之 ,  下田达也

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L22/10 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14698 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种非晶质氧化物薄膜的制造方法及薄膜晶体管，所述非晶质氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤：前处理步骤，对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜，在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化，而获得特定的第二氧化物前驱物膜；以及后处理步骤，将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除，使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN103733345B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280038731.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/3234 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置、图像传感器、X射线传感器以及X射线数字摄影装置，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0 0，0 0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>O，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，经由氧化物半导体层可以导通。

公开(公告)号：CN105706243A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480060668.3

申请日：2014-11-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14658 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体膜及具备金属氧化物半导体膜的设备，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，在将膜中的铟浓度设为DI(atoms/cm3)，且将膜中的氢浓度设为DH(atoms/cm3)时，满足以下关系式(1)：0.1≤DH/DI≤1.8 (1)。

公开(公告)号：CN103733345A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280038731.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/3234 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

Abstract: 一种薄膜晶体管，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0 0，0 0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>0，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，彼此分离配置，经由氧化物半导体层可以导通。

公开(公告)号：CN103688364A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035996.9

申请日：2012-06-19

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  望月文彦 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G01T1/24 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L27/156 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种场效晶体管的制造方法，其使照射光时的TFT特性稳定化。所述场效晶体管的制造方法包括：第一步骤，在配置于栅极(14)上的栅极绝缘层(16)上，使第一氧化物半导体膜(24)成膜；第二步骤，使第二氧化物半导体膜(26)成膜，第二氧化物半导体膜(26)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第三步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；第四步骤，使第三氧化物半导体膜(28)成膜，第三氧化物半导体膜(28)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第五步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及电极形成步骤，在第三氧化物半导体膜(28)上形成源极(20)及漏极(22)。

公开(公告)号：CN101641794B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880009705.2

申请日：2008-04-03

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 松永淳 ,  中山昌哉 ,  田中淳

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0087 ,  H01L2251/5338 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

Abstract: 本发明公开了有机电致发光显示装置，其包括驱动TFT和像素，所述像素由有机电致发光元件形成并在所述TFT的基板上以图案提供。所述驱动TFT至少包括基板、栅电极、栅绝缘膜、活性层、源电极和漏电极；所述驱动TFT还包括所述活性层与所述源电极和漏电极中至少一个之间的电阻层；所述像素通过激光转移法以图案形成。也提供了用于生产微细像素的利用激光转移法的图案形成方法。

公开(公告)号：CN101641794A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200880009705.2

申请日：2008-04-03

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 松永淳 ,  中山昌哉 ,  田中淳

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0087 ,  H01L2251/5338 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

Abstract: 本申请公开了有机电致发光显示装置，其包括驱动TFT和像素，所述像素由有机电致发光元件形成并在所述TFT的基板上以图案提供。所述驱动TFT至少包括基板、栅电极、栅绝缘膜、活性层、源电极和漏电极；所述驱动TFT还包括所述活性层与所述源电极和漏电极中至少一个之间的电阻层；所述像素通过激光转移法以图案形成。也提供了用于生产微细像素的利用激光转移法的图案形成方法。

公开(公告)号：CN105706243B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201480060668.3

申请日：2014-11-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体膜及具备金属氧化物半导体膜的设备，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，在将膜中的铟浓度设为DI(atoms/cm3)，且将膜中的氢浓度设为DH(atoms/cm3)时，满足以下关系式(1)：0.1≤DH/DI≤1.8 (1)。

公开(公告)号：CN103688364B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280035996.9

申请日：2012-06-19

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  望月文彦 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G01T1/24 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L27/156 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种场效晶体管的制造方法。所述场效晶体管的制造方法包括：在配置于栅极上的栅极绝缘层上，使第一氧化物半导体膜成膜；使第二氧化物半导体膜成膜，第二氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；使第三氧化物半导体膜成膜，第三氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及在第三氧化物半导体膜上形成源极及漏极。

公开(公告)号：CN102082170B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201010255843.8

申请日：2010-08-16

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 滨威史 ,  铃木真之 ,  田中淳 ,  望月文彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供一种非晶态氧化物半导体材料，场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。