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公开(公告)号：CN108284286B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810071677.2
申请日：2014-01-21
IPC: B23K35/26 , B23K101/36
Abstract: 提供了用于芯片焊接的无铅焊料，其具有高的耐热温度和改善的润湿性。用于芯片焊接的钎焊合金包含0.05质量％‑3.0质量％的锑和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分，并且用于芯片焊接的钎焊合金包含0.01质量％‑2.0质量％的锗和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分。
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公开(公告)号：CN108290250A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201780004199.7
申请日：2017-05-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 抑制异种材料的界面处的破坏。软钎焊接合部、以及具备该接合部的电子设备及半导体装置，所述软钎焊接合部包含：使软钎焊材料熔融而成的软钎焊接合层(10)、以及至少一方为Cu或Cu合金构件(123)的被接合体(11)、(123)，所述软钎焊材料含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb、2.0～4.0质量％的Ag、超过0且为1.0质量％以下的Ni，余量由Sn和不可避免的杂质组成，前述软钎焊接合层在与前述Cu或Cu合金构件(123)的界面具备包含(Cu，Ni)6(Sn，Sb)5的第一组织(1)和包含(Ni，Cu)3(Sn，Sb)X的第二组织(式中，X为1、2、或4)(2)。
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公开(公告)号：CN108284286A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810071677.2
申请日：2014-01-21
IPC: B23K35/26 , B23K101/36
Abstract: 提供了用于芯片焊接的无铅焊料，其具有高的耐热温度和改善的润湿性。用于芯片焊接的钎焊合金包含0.05质量％-3.0质量％的锑和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分，并且用于芯片焊接的钎焊合金包含0.01质量％-2.0质量％的锗和由铋及不可避免的杂质组成的其余部分。
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公开(公告)号：CN104517860B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410394901.3
申请日：2014-08-12
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合组装装置，通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合，从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件：金属线；传送台，对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承，并能在水平方向和垂直方向上移动；冷却板，隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却；热板)，隔着所述传送台对所述层叠体进行加热；活性种气体导入管；惰性气体导入管；以及排气口，该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。
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公开(公告)号：CN112338387B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011222092.X
申请日：2016-08-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: B23K35/26 , B23K35/02 , C22C13/02 , H01L23/488 , H01L23/053
Abstract: 本发明涉及半导体装置用软钎焊材料。本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109641323B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201880003396.1
申请日：2018-03-13
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供热循环疲劳特性和润湿性优异的软钎焊材料。含有5.0质量％以上且8.0质量％以下的Sb和3.0质量％以上且5.0质量％以下的Ag、余量由Sn和不可避免的杂质组成的软钎焊材料、以及在半导体元件与基板电极之间或在半导体元件与引线框之间具备软钎焊材料熔融而得到的接合层的半导体装置。
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公开(公告)号：CN112334267A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202080003690.X
申请日：2020-01-27
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供可靠性高的钎焊接合部。一种钎焊接合部，其包含：钎焊接合层，其是以Sn为主成分、且还包含Ag和/或Sb和/或Cu的软钎料熔融而得到的；和，被接合体，其在与前述钎焊接合层接触的表面上具备镀Ni‑P‑Cu层，前述镀Ni‑P‑Cu层以Ni为主成分，且包含0.5质量％以上且8质量％以下的Cu、和3质量％以上且10质量％以下的P，前述镀Ni‑P‑Cu层在与前述钎焊接合层的界面具有微晶层，前述微晶层具备：包含NiCuP三元合金的微晶的相、包含(Ni，Cu)3P的微晶的相、和包含Ni3P的微晶的相。
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公开(公告)号：CN107427968A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680013332.0
申请日：2016-08-09
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。
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公开(公告)号：CN104517865A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410386288.0
申请日：2014-08-07
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L21/4814
Abstract: 提供半导体装置的制造方法，能在芯片键合接合温度范围内的加热温度下，还原被接合构件及焊接材料，得到具有比以往更高质量更高可靠性的焊锡接合层且散热性更优异的半导体装置。该方法包括：将包含被接合构件和焊接材料的层叠体投入到具备金属丝的减压炉内的准备工序；在准备工序之后对减压炉内进行真空排气的一次减压工序；在一次减压工序之后将减压炉内变为负压的氢气氛，并对金属丝进行加热从而产生原子状氢的热线式加热工序；在热线式加热工序之后将减压炉内变为正压的氢气氛，并加热至接合温度以使焊接材料熔融的加热工序；以及在加热工序之后保持于接合温度，并将减压炉内再次变为真空气氛来去除焊锡熔融液中的气泡的气泡去除工序。
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公开(公告)号：CN104339102A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410331127.1
申请日：2014-07-11
Applicant: 富士电机株式会社 , 富士电机机器制御株式会社
IPC: B23K35/368
CPC classification number: B23K35/3613 , B23K35/0227 , B23K35/262 , B23K35/3616 , Y10T428/2938
Abstract: 提供保存稳定性、生产性优异的含有热固性树脂的松脂芯软焊料用焊剂、及内置该焊剂的松脂芯软焊料。该松脂芯软焊料用焊剂包含含有热固性树脂的固体状的第1焊剂(11)和含有具有氧化还原作用的固化剂的固体状的第2焊剂(12)，所述第1焊剂(11)和所述第2焊剂(12)以非接触状态存在。以及，松脂芯软焊料(100a)，它是含有该松脂芯软焊料用焊剂和熔点为130～250℃的无铅焊料合金的松脂芯软焊料，由第1松脂芯软焊料(21)和第2松脂芯软焊料(22)构成，该第1松脂芯软焊料(21)由所述无铅焊料合金(2)内置所述第1焊剂(11)而成；该第2松脂芯软焊料(22)由所述无铅焊料合金(2)内置所述第2焊剂(12)而成。
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