公开(公告)号：CN117981063A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202380013536.4

申请日：2023-03-07

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤辽一 ,  日向裕一朗 ,  村田悠马

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明抑制导线发生断线。布线部(63)包括铅直部(64)、平行部(65)以及倾斜部(66)。铅直部(64)的下端部与芯片接合部(61)连接，铅直部(64)的上端部相对于芯片接合部(61)向铅直上方立起。平行部(65)连接于铅直部(64)的上端部，从该上端部起与布线板(43b、43d)以及半导体芯片(50c)呈平行。倾斜部(66)从平行部(65)朝向布线接合部(62)倾斜。即使在这样的引线框架(60)所包含的布线部(63)的平行部(65)的正面接合导线(71b)，也抑制平行部(65)向绝缘电路基板(40)侧产生变形。

公开(公告)号：CN116093052A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211189281.0

申请日：2022-09-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤忠彦 ,  加藤辽一 ,  村田悠马

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L23/64 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供抑制向半导体模块的端子焊接连接部件时的绝缘片的损伤的半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体模块具备端子层叠部，其具有沿第一方向延伸的绝缘片和配置于其第一面的第一端子。第一端子具有：在俯视时在与第一方向正交的第二方向上具有第一宽度的第一区域；从第一区域延伸且在俯视时在第二方向上具有比第一宽度窄的第二宽度的第二区域；以及与绝缘片分离且与第一区域和第二区域电连接的第三区域。通过将连接部件与第一端子的第三区域焊接，从而抑制该焊接时的热直接传导至绝缘片，抑制绝缘片的损伤、由此造成的绝缘性能的降低、耐压的降低。

公开(公告)号：CN116013859A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211175188.4

申请日：2022-09-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 中込旭人 ,  谷口克己 ,  加藤辽一 ,  村田悠马

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L23/538 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其实现可靠性高的半导体装置。半导体模块(10)(半导体装置)包括壳体(11)、层叠体(16)以及梁部(17)。壳体为框状，在其一边具有凹部(11a)。层叠体具有依次层叠有端子(13)、绝缘片(14)以及端子(15)的结构，并配置于壳体的凹部。梁部(17)固着于壳体的凹部，将配置于该凹部的层叠体固定。壳体、层叠体以及梁部(17)分别分开准备、并组装。由此，避免如将层叠体嵌件成型的情况那样绝缘片(14)与在成型时成为较高温度的壳体树脂材料接触，抑制绝缘片(14)的劣化、以及由此引起的端子(13)与端子(15)之间的绝缘不良，并提高半导体模块的可靠性。