公开(公告)号：CN112470291B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN201980049489.2

申请日：2019-12-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 庄司敦 ,  吉田崇一

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/81 ,  H10D12/00

Abstract: 降低半导体装置的制造成本。提供半导体装置，其具备：半导体基板；有源部，其设置于半导体基板；第一阱区以及第二阱区，其设置于半导体基板，并且第一阱区以及第二阱区在俯视时夹着有源部地配置；发射电极，其配置于有源部的上方；以及焊盘，其配置于第一阱区的上方，并与发射电极分离，并且在第二阱区的上方，配置有发射电极。还具备周边阱区，其在俯视时包围有源部地配置，第一阱区以及第二阱区相比于周边阱区可以向有源部的中央侧突出。

公开(公告)号：CN119213568A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380029520.2

申请日：2023-08-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田崇一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明的半导体装置（100）具备：半导体基板（10），其具有交替地设置有晶体管部（70）和二极管部（80）的有源部（120），并设置有沿所述晶体管部和所述二极管部的延伸方向延伸的多个沟槽部（30、40）；发射电极（52），其设置于所述半导体基板的正面的上方；以及聚酰亚胺的保护膜（150），其设置于所述发射电极的上表面，所述二极管部具有寿命控制区（85），所述寿命控制区含有从所述半导体基板的正面侧照射的寿命抑制剂，所述有源部具有设置有所述保护膜的保护区（151‑1）、以及未设置所述保护膜的非保护区（152‑2），所述二极管部包含在所述非保护区中，所述保护区包含在所述晶体管部中。

公开(公告)号：CN112219263A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201980028584.4

申请日：2019-11-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤由晴 ,  安喰彻 ,  白川彻 ,  高桥美咲 ,  三塚要 ,  吉村尚 ,  小野泽勇一 ,  泷下博 ,  吉田崇一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。

公开(公告)号：CN107251205B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201680012544.7

申请日：2016-06-10

Applicant: 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 吉田崇一 ,  野口晴司 ,  河野宪司 ,  田边広光

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法，在成为n－型漂移层(1)的n－型半导体基板的正面形成FS结构的RC‑IGBT的正面元件结构。接着，在n－型半导体基板的背面形成p+型集电区(10)、n+型阴极区(11)和n+型FS层(12)。n+型FS层(12)使用硒而形成。接着，从n－型半导体基板的背面照射轻离子，并且在n－型漂移层(1)的内部形成第一低寿命区域(31)。接着，从n－型半导体基板的背面照射轻离子，并且在n+型FS层(12)的内部形成第二低寿命区域(32)。接着，利用退火处理，降低n+型FS层(12)内部的结晶缺陷的缺陷密度。由此，能够抑制漏电流的增加、降低电损耗，并且提高合格率。

公开(公告)号：CN111146197A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201910897265.9

申请日：2019-09-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜 ,  吉田崇一

IPC: H01L27/06 ,  G01K7/01

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及制造方法，在半导体装置中，优选抑制温度传感器的特性变动。半导体装置具备：半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；晶体管部，其设置于半导体基板；二极管部，其设置于半导体基板；阱区，其在半导体基板的上表面露出的第二导电型；温度检测部，在俯视下其与二极管部相邻且设置于阱区的上方；上表面侧寿命控制区域，其在二极管部设置于半导体基板的上表面侧，并且在俯视下设置在不与温度检测部重叠的区域。

公开(公告)号：CN109314134A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780033306.9

申请日：2017-12-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田崇一

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板，且在半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于半导体基板，且在半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；边界部，其在半导体基板设置于晶体管部与二极管部之间，在半导体基板的上表面侧不具有发射区，在半导体基板的背面侧具有集电区，晶体管部具有一个以上的栅极沟槽部，所述栅极沟槽部从半导体基板的上表面起设置到比发射区深的位置为止，且被施加栅极电位，在二极管部和边界部的一部分区域，在半导体基板的上表面侧设置有上表面侧寿命减少区，在与半导体基板的上表面平行的面的与晶体管部的栅极沟槽部重叠的区域，未设置上表面侧寿命减少区。

公开(公告)号：CN106463504A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580021975.5

申请日：2015-11-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田崇一 ,  宫田大嗣

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在IGBT部(21)中，发射电极(8)通过埋入到第1接触孔(9a)的接触插塞(14)与n+型发射区(3)、发射电极(8)和层间绝缘膜(9)从IGBT部(21)起遍及FWD部(22)而设置。在FWD部(22)中，发射电极(8)被埋入到第2接触孔(9b)并与p型基区(2)直接连接。FWD部(22)的沟槽(3)的间距W(12)大于IGBT部(21)的沟槽(3)的间距(W11)。第2接触孔(9b)的宽度(W22)大于第1接触孔(9a)的宽度(W21)。由此，在谋求微细化的沟槽栅型的RC-IGBT中能够实现良好的二极管特性。(6)和p+型接触区(7)电连接。p型基区(2)、沟槽

公开(公告)号：CN113474886B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202080016044.7

申请日：2020-08-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  荒木龙 ,  宫田大嗣 ,  吉田崇一

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/544

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。

公开(公告)号：CN118352354A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410002460.1

申请日：2024-01-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜 ,  吉田崇一

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够减少向发射电极的漏电流。所述半导体装置具有第一寿命调整区，其设置于半导体基板的上表面侧的第一深度，并且第一寿命调整区的晶格缺陷的密度为第一缺陷密度，第一寿命调整区包括配置在接触区中的在第一方向上距二极管部最近的接触区的下方的区域，在二极管部中设置第一寿命调整区的第一方向上的第一长度为0，或者比在二极管部中不设置第一寿命调整区的第一方向上的第二长度小。

公开(公告)号：CN116490960A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202280007627.2

申请日：2022-04-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田崇一

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备晶体管部和二极管部，该半导体装置具备：漂移区、基区、发射区、以及多个沟槽部，晶体管部具有边界区，该边界区被设置为与二极管部邻接，半导体装置具备寿命控制区，该寿命控制区在多个沟槽部的排列方向上，以越过边界区的方式从二极管部设置到设置有发射区的晶体管部，边界区具有第二导电型的插塞区，该第二导电型的插塞区被设置为沿多个沟槽部的延伸方向延伸，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，在边界区中的正面，接触区与基区沿延伸方向交替地配置。