公开(公告)号：CN113454789A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202080011718.4

申请日：2020-08-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大井幸多 ,  伊仓巧裕 ,  樱井洋辅 ,  北村睦美 ,  小野泽勇一 ,  加藤由晴 ,  安喰彻

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于漂移区与半导体基板的下表面之间，并在半导体基板的深度方向上具有3个以上的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的浓度峰，3个以上的浓度峰包含：最浅峰，其最接近半导体基板的下表面；高浓度峰，其配置于比最浅峰更远离半导体基板的下表面的位置；以及低浓度峰，其配置于比高浓度峰更远离半导体基板的下表面的位置，且掺杂浓度为高浓度峰的掺杂浓度的1/5以下。

公开(公告)号：CN110718519A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910450188.2

申请日：2019-05-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤由晴 ,  白川彻

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/739 ,  H01L21/768 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供具有势垒金属且阈值电压的偏差小的半导体装置及制造方法。所述半导体装置具备：半导体基板；层间绝缘膜，其配置于半导体基板的上表面；钛层，其设置于层间绝缘膜上；以及氮化钛层，其设置于钛层上，在层间绝缘膜设置有使半导体基板的上表面的一部分露出的开口，钛层和氮化钛层还设置于开口内，与半导体基板接触而配置在开口的底部的钛层全部进行了钛硅化。

公开(公告)号：CN106489208B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201680001880.1

申请日：2016-01-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤由晴 ,  高桥英纪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 提供易于耐压结构部的小型化的半导体装置。该半导体装置具备形成在半导体基板的正面侧的有源区和耐压结构部，耐压结构部具备：保护环，以包围有源区的方式设置在半导体基板的正面侧；第一场板，设置于保护环的正面侧；电极部，设置于第一场板的正面侧；第二场板，设置在第一场板与电极部之间；导电连接部，将第一场板、电极部、第二场板和保护环相互电连接。

公开(公告)号：CN109755293A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811283318.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  加藤由晴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种能够提高边缘终端区的雪崩耐量的半导体装置。在边缘终端区(2)中，在有源区(1)与栅极流道部(4)之间的载流子抽出区(5)，在p型阱区(51)的表面区域设置p+型接触区(53)。在载流子抽出区中，分别在形成于层间绝缘膜(21)的多个第二接触孔(54)隔着势垒金属(23)而埋入接触插塞(24)，形成p+型接触区(53)与发射极电位的势垒金属的接触部(50)。载流子抽出区(5)的接触部(50)配置成沿有源区(1)的外周延伸的条纹状的布局，包围有源区(1)的周围。载流子抽出区(5)的接触部(50)的接触电阻(Ra)比MOS栅极(20)的接触部(发射极接触部)(27)的接触电阻(Rb)高。

公开(公告)号：CN106489208A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201680001880.1

申请日：2016-01-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 加藤由晴 ,  高桥英纪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 提供易于耐压结构部的小型化的半导体装置。该半导体装置具备形成在半导体基板的正面侧的有源区和耐压结构部，耐压结构部具备：保护环，以包围有源区的方式设置在半导体基板的正面侧；第一场板，设置于保护环的正面侧；电极部，设置于第一场板的正面侧；第二场板，设置在第一场板与电极部之间；导电连接部，将第一场板、电极部、第二场板和保护环相互电连接。