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公开(公告)号：CN113783159A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110429021.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤宪一郎
Abstract: 本发明提供半导体装置，不增加输出端子而能区别输出警报信号和警告信号。控制电路(30a)有控制电压降低检测电路(32)、过电流检测电路(33)和芯片温度检测电路(34)作为警报检测电路，检测到警报时，警报信号生成电路(35)对每个警报因素生成脉冲宽度不同的单次警报信号ALM，经或电路(50)和MOSFET(36a)从警报信号输出端子(43a)输出。控制电路(30a)还有温度警告检测电路(39)作为警告检测电路，该温度警告检测电路(39)检测到功率半导体元件(20)的芯片温度上升时，脉冲生成电路(49)生成警告信号WNG，经或电路(50)和MOSFET(36a)从警报信号输出端子(43a)输出。
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公开(公告)号：CN105609440B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201510649189.1
申请日：2015-10-09
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤宪一郎
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在混合搭载基板材料不同的两个以上的半导体元件的功率半导体模块中，能够可靠去除电气特性的不合格品的功率半导体模块的制造方法及其中间装配单元。在带金属箔绝缘基板(3)的金属箔(3b)焊接有基板材料不同且泄漏电流的大小相差一个数量级以上的半导体元件(1a)和半导体元件(2b)。在半导体元件(1a)和半导体元件(2b)的表面电极分别连接有不对半导体元件之间进行连结的布线部件(20a)和布线部件(20b)。由于能够通过前述布线部件对各半导体元件个别地进行通电，并个别地进行泄漏电流的检测，所以能够发现泄漏电流大的不良现象。
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公开(公告)号：CN105609440A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510649189.1
申请日：2015-10-09
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤宪一郎
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/4889 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L23/49866 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L29/1608 , H01L29/7393 , H01L29/872 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/83801 , H01L2224/84214 , H01L2224/84801 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , G01R31/025 , H01L24/85 , H01L2224/85 , H01L2224/85801
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在混合搭载基板材料不同的两个以上的半导体元件的功率半导体模块中，能够可靠去除电气特性的不合格品的功率半导体模块的制造方法及其中间装配单元。在带金属箔绝缘基板(3)的金属箔(3b)焊接有基板材料不同且泄漏电流的大小相差一个数量级以上的半导体元件(1a)和半导体元件(2b)。在半导体元件(1a)和半导体元件(2b)的表面电极分别连接有不对半导体元件之间进行连结的布线部件(20a)和布线部件(20b)。由于能够通过前述布线部件对各半导体元件个别地进行通电，并个别地进行泄漏电流的检测，所以能够发现泄漏电流大的不良现象。
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公开(公告)号：CN104067388A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380005467.9
申请日：2013-03-15
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 佐藤宪一郎
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/10 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/367 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/562 , H01L2224/32225 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够基于良好的散热性能降低热阻抗，抑制多个半导体芯片间的热干涉，具有高可靠性的低成本的带散热鳍片的功率半导体模块。本发明的带散热鳍片的半导体模块(100)的金属底座(1)具有厚度较薄的顶板部(11)和厚度比该顶板部(11)厚的外周部(15)，顶板部(11)的一侧面上搭载有绝缘基板(8)，该绝缘基板(8)的上侧具有通过焊锡接合搭载了多个半导体芯片(IGBT芯片(3)、FWD芯片(4))的金属箔(5)，该绝缘基板(8)的下侧具有通过焊锡(6)与顶板部(11)的表面进行接合的金属箔(5)，金属底座(1)一侧具有将绝缘基板(8)和半导体芯片和将该半导体芯片之间进行连接所需的金属布线进行树脂封装的结构，与绝缘基板(8)相对的金属底座(1)的另一侧具有散热鳍片(10)。
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