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公开(公告)号：CN103269975A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062854.7
申请日：2011-07-27
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B33/02 , B22C1/00 , B22C3/00 , C01B21/068
CPC classification number: B29C33/54 , B29C33/58 , C01B21/068 , C01B21/0687 , C01B33/02 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/22 , C01P2006/80 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱膜材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料，由此可以抑制硅铸锭和铸模表面的粘固，抑制在对凝固的硅铸锭进行脱模时发生缺损、破损，以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种具有脱模层的多晶硅铸锭铸造用铸模的制造方法，其特征在于，具备浆料形成工序，以重量比例计，将平均短轴粒径为0.6μm～13μm的氮化硅粉末(A)和平均短轴粒径为0.1μm～0.3μm的氮化硅粉末(B)按照5:5～9:1混配得到氮化硅粉末，将所述氮化硅粉末在水中混合而形成浆料；浆料涂布工序，将所述浆料涂布于铸模表面；加热工序，在所述浆料涂布工序之后，在含氧的气氛下以800℃～1200℃对铸模进行加热。
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公开(公告)号：CN106470939A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580036058.4
申请日：2015-06-16
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/626
Abstract: 本发明的课题在于提供兼具高的导热率和高的机械强度的氮化硅烧结体和电路基板、作为其原料的氮化硅粉末及其制造方法。提供氮化硅粉末、由该氮化硅粉末得到的氮化硅烧结体和电路基板、以及该氮化硅粉末的制造方法。该氮化硅粉末的特征为：比表面积为4.0～9.0m2/g，β相的比例小于40％，氧含量为0.20～0.95质量％，通过由激光衍射散射法测定体积基准的粒度分布而得到的频率分布曲线具有2个峰，该峰的峰顶在0.4～0.7μm的范围和1.5～3.0μm的范围，上述峰顶的频率比(粒径0.4～0.7μm范围的峰顶的频率/粒径1.5～3.0μm范围的峰顶的频率)为0.5～1.5，由上述粒度分布测定得到的中位直径D50(μm)与由上述比表面积计算的比表面积当量直径DBET(μm)之比D50/DBET(μm/μm)为3.5以上。
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公开(公告)号：CN105143399B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480017001.5
申请日：2014-03-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/068 , C09K11/0883 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供氧氮化物荧光体粉末，其为具有605～615nm的荧光峰波长的包含α型赛隆荧光体的氧氮化物荧光体粉末，与以往相比外部量子效率高。本发明的氧氮化物荧光体粉末包含由组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(式中，x1、x2、y、z为1.10≤x1+x2≤1.70、0.18≤x2/x1≤0.47、2.6≤y≤3.6、0.0≤z≤1.0)表示的α型赛隆。还提供还包含50～10000ppm的Li的包含α型赛隆的氧氮化物荧光体粉末。此外，本发明涉及这些氧氮化物荧光体粉末的制造方法，原料的成为硅源的物质优选为氧含量是0.2～0.9质量％、平均粒径是1.0～12.0μm、比表面积是0.2～3.0m2/g的氮化硅粉末。
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公开(公告)号：CN105980524A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580006843.5
申请日：2015-02-02
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/55 , H01L33/502
Abstract: 关于具有587～630nm的荧光峰波长的氮氧化物荧光体，提供一种外部量子效率高于以往的氮氧化物荧光体。本发明涉及一种含有50～10000ppm的Li的氮氧化物荧光体粉末的制造方法，其特征在于，将氮化硅粉末、成为铝源的物质、成为钙源的物质和成为铕源的物质混合，在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1500～2000℃烧成，获得作为中间物的以含Ca的α型塞隆为主成分的氮氧化物荧光体烧成物后，将该氮氧化物荧光体烧成物进而在存在Li的条件下在非活性气体氛围中或在还原性气体氛围中在1450℃～低于所述烧成温度的温度进行热处理。
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公开(公告)号：CN105143399A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480017001.5
申请日：2014-03-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/068 , C09K11/0883 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供氧氮化物荧光体粉末，其为具有605～615nm的荧光峰波长的包含α型赛隆荧光体的氧氮化物荧光体粉末，与以往相比外部量子效率高。本发明的氧氮化物荧光体粉末包含由组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(式中，x1、x2、y、z为1.10≤x1+x2≤1.70、0.18≤x2/x1≤0.47、2.6≤y≤3.6、0.0≤z≤1.0)表示的α型赛隆。还提供还包含50～10000ppm的Li的包含α型赛隆的氧氮化物荧光体粉末。此外，本发明涉及这些氧氮化物荧光体粉末的制造方法，原料的成为硅源的物质优选为氧含量是0.2～0.9质量％、平均粒径是1.0～12.0μm、比表面积是0.2～3.0m2/g的氮化硅粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105073948A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480017784.7
申请日：2014-03-28
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/06
Abstract: 本发明提供具有610～625nm的荧光峰波长，并且其外量子效率比以往同类产品高的氧氮化物荧光体粉末。本发明的氧氮化物荧光体粉末的特征在于，含有α型塞隆和氮化铝，由组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(式中，x1、x2、y、z满足：1.60≤x1+x2≤2.90、0.18≤x2/x1≤0.70、4.0≤y≤6.5、0.0≤z≤1.0)表示。进而，优选还含有50～10000ppm的Li。氮化铝的含量优选处于大于0质量％至小于33质量％的范围。
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公开(公告)号：CN105073948B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201480017784.7
申请日：2014-03-28
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/06
Abstract: 本发明提供具有610～625nm的荧光峰波长，并且其外量子效率比以往同类产品高的氧氮化物荧光体粉末。本发明的氧氮化物荧光体粉末的特征在于，含有α型塞隆和氮化铝，由组成式：Cax1Eux2Si12‑(y+z)Al(y+z)OzN16‑z(式中，x1、x2、y、z满足：1.60≤x1+x2≤2.90、0.18≤x2/x1≤0.70、4.0≤y≤6.5、0.0≤z≤1.0)表示。进而，优选还含有50～10000ppm的Li。氮化铝的含量优选处于大于0质量％至小于33质量％的范围。
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18.发明授权公开(公告)号：CN103201213B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180038289.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B21/068 , A01N25/00 , A01N35/02 , A01N43/80 , A01N59/08 , A01P3/00 , A01P13/00 , C01B21/082 , C02F1/50 , C02F1/76
CPC classification number: C01B21/068 , C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , C09K11/7792 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了一种硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体具有高亮度，并可用于荧光显示管(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)和发光二极管(LED)等；还提供了各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。本发明涉及硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，其特征在于，其是用作制造硅氮化物磷光体的初始材料的结晶性氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体含有硅元素和氮元素作为构成元素，但不含有氧元素作为构成元素，并且其特征在于氧含量为0.2重量%～0.9重量%；本发明还涉及各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。
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公开(公告)号：CN105377756A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480038649.0
申请日：2014-07-09
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B33/02 , C01B21/068 , B22C3/00
CPC classification number: C01B21/068 , B05D3/0413 , C01B21/0687 , C01B33/021 , C01P2004/03 , C01P2004/51 , C01P2006/12 , C01P2006/80
Abstract: 本发明提供能够以低成本制造高光电转换效率的多晶硅锭的多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末。本发明提供多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及其制造方法、含有该氮化硅粉末的浆料、以及多晶硅锭铸造用铸模及其制造方法、以及使用该铸模的多晶硅锭的制造方法，其中该多晶硅锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末的比表面积为5～40m2/g，将在粒子表面层存在的氧的含有比例记为FSO(质量％)、将在粒子内部存在的氧的含有比例记为FIO(质量％)、将比表面积记为FS(m2/g)，在此情况下，FS/FSO为8～30，FS/FIO为22以上，粒度分布测定中的10体积％粒径D10与90体积％粒径D90的比率D10/D90为0.05～0.20。
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公开(公告)号：CN104736664A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380053996.6
申请日：2013-10-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C04B35/597 , C04B35/6265 , C04B35/645 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5409 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C09K11/0883 , F21K9/64 , F21V9/30 , H01L33/502
Abstract: 波长转换部件的制造方法，该波长转换部件包含多晶陶瓷，其特征在于，包括如下工序：A)将成为硅源的物质、成为铝源的物质、成为钙源的物质以及成为铕源的物质混合，B)烧成得到的混合物，得到氧氮化物荧光体粉末，然后C)在惰性气氛下烧结该氧氮化物荧光体粉末得到所述多晶陶瓷，所述烧结的所述氧氮化物荧光体粉末除氧以外具有由组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(其中，式中，x1、x2、y、z为：0＜x1≤3.40，0.05≤x2≤0.20，3.5＜y≤7.0，0≤z≤1)表示的组成，与由所述组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论氧含量相比，所述氧氮化物荧光体粉末的氧含量过剩，将由该组成式(1)表示的氧氮化物荧光体的理论质量设为100质量％，该氧的过剩量为1.1～11.5质量％。提供波长转换部件，其通过被300nm～500nm的波长的光激发，在峰波长590nm至610nm的宽波长区域发出荧光，此时的转换效率大。提供了相比以往耐久性优异并且效率高的波长转换部件，另外，提供了组合了波长转换部件与半导体发光元件的发光装置。
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