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公开(公告)号：CN111166160A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911382858.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种新型加热与自降温烹饪器具，第一热电制冷电偶的热端面与内胆的底部外表面和外侧壁贴合，第二热电制冷电偶的冷端面与外胆的底部外表面贴合，在底座和外胆底部外表面之间的间隙中设置有PCB板；通过将第一热电制冷电偶的热端面与内胆的底部外表面和外侧壁贴合，第一热电制冷电偶通电后，第一热电制冷电偶的热端面即开始放热，加热内胆；通过将第二热电制冷电偶的冷端面与外胆的底部外表面贴合，第二热电制冷电偶通电后，第二热电制冷电偶的冷端即开始吸热，降低底座和外胆底部外表面之间的间隙温度，对PCB板实现降温；这样，即加快了烹饪器具的加热速度，同时又能对PCB板实现降温，避免电气元件温升超标。
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公开(公告)号：CN111118599A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911379934.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，包括步骤：A.制备SiC凝胶溶胶；B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；F.按预设次数重复执行步骤B～E。该方法制得的SiC涂层的抗热震能力强、使用寿命长，且制备成本低。
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公开(公告)号：CN111089988A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911379941.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: G01Q60/56
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性磁性探针及其制备方法，检测硅基探针针尖先端的曲率半径，筛选出曲率半径在规格要求以内的探针；将筛选合格的硅基探针悬臂水平放置，使针尖基体外侧面沿竖直向上，溅射沉积钝化层；将硅基探针悬臂竖直放置，使针尖基体外侧面沿水平方向，溅射沉积磁性感应层；将硅基探针悬臂与竖直方向成30º夹角进行放置，使针尖基体内侧面沿水平方向，溅射沉积磁性屏蔽层；通过采用本技术方案制得的磁性探针的成本低、工艺简单、可重复性好，具备高均匀性的磁感应信号强度，能充分保证定量分析结果的准确性，适用于工业生产用大批量连续的磁力显微镜检测。
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公开(公告)号：CN111085692A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911379935.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于高温水相反应的不规则合金纳米材料合成方法，包括以下步骤：制得种子生长液，所述种子生长液由硝酸银、三水合氯金酸、盐酸和柠檬酸三钠制成；制得纳米金种子溶液；将纳米金种子溶液和种子生长液反应合成不规则纳米合金材料；使不规则纳米合金材料进行再生长；本合成方法通过在高温沸腾的水相反应体系中加入种子生长液，合成得到具有长径比的不规则纳米合金材料，并可通过持续加入的种子生长液使得该不规则纳米合金材料的长径比得到精确有效控制；该合成方法可以用于任意两种晶格匹配或相似的金属上制备得到合金纳米材料。
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公开(公告)号：CN119249650B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411760486.9
申请日：2024-12-03
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本申请属于等离子源技术领域，公开了一种微波远程等离子源结构优化设计分析方法及相关设备，基于数值模拟技术，对微波远程等离子源进行参数化建模，并对其内部的电磁场分布进行精确模拟和分析，从而快速找到最优设计方案；避免了传统设计方法中过度依赖实验验证和经验积累的问题，缩短了设计周期，降低了设计成本，对工程经验依赖小，而且可以针对不同工况条件进行仿真分析以快速找到适应性强、性能优越的设计方案，适应性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118086847A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410254849.5
申请日：2024-03-06
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请属于磁控溅射粉末镀膜的技术领域，公开了一种粉末镀膜装置及其镀膜方法，该镀膜方法包括：响应于工作人员输入的启动指令，粉末镀膜装置驱动转台围绕转台的中心进行转动、驱动斜向样品台围绕斜向样品台的中心进行自转以及驱动磁控靶溅射镀膜原材料，以使镀膜原材料均匀地附着在斜向样品台内流动的粉末的表面，预设周期后，粉末镀膜装置驱动所有部件停止运行，得到表面镀膜均匀的粉末，通过粉末镀膜装置及对应的镀膜方法，对粉末进行镀膜，提高了粉末镀膜的效率。
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公开(公告)号：CN117907667A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410322201.7
申请日：2024-03-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及射频电源采样领域，具体而言，涉及一种采集装置，采集装置包括导线和外壳，导线的一端与射频电源的输出端连接，另一端连接负载电路，外壳具有圆柱形的腔体，导线穿过腔体中心且与外壳同轴设置，并不与外壳接触，外壳接地；采集装置还包括同轴探头和电流采样线；同轴探头设置在腔体外部，其包括：线圈，其第一端穿过外壳、垂直于导线轴向并进入腔体，其第二端接地；电流采样线的第一端输出采样电流信号，第二端接地。本申请的采集装置能解决现有的射频电源电流采样方法采样得到的信号波形畸变严重的问题，能达到基于外壳的屏蔽作用使腔体内部通过导线的电流信号不对在腔体外部进行的电流采样过程产生干扰的效果。
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公开(公告)号：CN117434350B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311761201.9
申请日：2023-12-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及阻抗检测领域，具体而言，涉及一种阻抗相位获取方法、阻抗检测方法、芯片、设备和介质，其中阻抗相位获取方法包括：获取采样电压信号和采样电流信号；对采样电压信号进行正交化处理，对采样电流信号进行正交化处理；提取两个相互正交的电压正交分量信息，提取两个相互正交的电流正交分量信息；进行反正切或反余切运算，获取电压相位信息和电流相位信息；根据电压相位信息和电流相位信息的差值获取阻抗相位信息。本申请的阻抗相位获取方法能解决二极管相位检测电路和二极管幅值检测电路对电路中的元件限制多，导致该两种电路普适性低的问题，对电路中的元件限制少且普适性高。
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公开(公告)号：CN117459014A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311547679.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种多路射频功率分配电路，属于功率分配电路设计技术领域，包括多路等效电路，每路等效电路包括一个印制电感、第一电容、第二电容和一个电阻，所有等效电路中的第一电容的其中一端相互连接并作为功率输入端，且所有等效电路中的第一电容的另一端接地；每路等效电路中的印制电感的其中一端均与功率输入端连接，且另一端与同一等效电路中的第二电容的其中一端以及同一等效电路中的电阻的其中一端连接并作为功率输出端；所有等效电路中的第二电容的另一端接地；所有等效电路中的电阻的另一端相互连接。本发明的多路射频功率分配电路实现输入功率的多路平均分配，其结构紧凑，电路尺寸小，能够降低设计和制造成本，同时能够克服电感因变形导致电感值不稳定的缺陷，有效提高了功率分配电路的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113529031B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202010286376.9
申请日：2020-04-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种类金刚石薄膜及制备方法，其中，类金刚石薄膜包括基材层、过渡层和类金刚石层，过渡层贴设于基材层的一侧，类金刚石层贴设于过渡层远离基材层的一侧，类金刚石层内掺杂有氮原子，以调节类金刚石薄膜内sp2碳键和sp3碳键的相对含量。本发明技术方案改变了类金刚石薄膜的表面电阻，使其满足抗静电的应用需求。
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