声波器件和模块
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106411285B

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201610607908.8

    申请日:2016-07-28

    Inventor: 森谷亮 川内治

    Abstract: 声波器件和模块。一种声波器件包括:支撑基板;压电基板,所述压电基板在室温下接合在所述支撑基板的上表面上并且由与所述支撑基板不同的材料制成;梳状电极,所述梳状电极形成在所述压电基板的上表面上并且激发声波;以及非晶层,所述非晶层形成在所述支撑基板与所述压电基板之间。

    声波器件
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107204750A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201710141175.8

    申请日:2017-03-10

    Inventor: 川内治 及川怜

    Abstract: 一种声波器件,所述声波器件包括:压电基板,所述压电基板由单晶压电材料制成,并且包括第一区域和第二区域,所述第一区域包括上表面,所述第二区域位于所述第一区域下方并且具有小于所述第一区域的密度的密度;以及IDT,所述IDT位于所述压电基板的所述上表面上。

    复用器
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104980122A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510165868.1

    申请日:2015-04-09

    Abstract: 一种复用器包括:第一芯片,所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器,所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间,所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子;以及第二芯片,所述第二芯片具有第二滤波器,所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带,所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高。

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