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公开(公告)号：CN110596974A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910476177.1
申请日：2019-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G02F1/1368
Abstract: 一种显示面板和显示装置，抑制具有氧化物半导体膜的晶体管的电特性的变化。在液晶面板(10)中，在阵列基板(30)的非显示区域(NAA)中形成为单片的行控制电路部(GDM电路)(82)具备具有氧化物半导体膜(33)而构成的非显示区域用TFT(70)。构成为，在形成于CF基板(20)的非显示区域(NAA)的包括遮光膜(22)的周边遮光部(22B)中，在俯视时与非显示区域用TFT(70)的至少第1沟道部(74)重叠的位置设置开口部(22H)，通过了开口部(22H)的光能照射到非显示区域用TFT(70)并被吸收。
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公开(公告)号：CN103261959B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180059588.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133707 , G02F2001/136222 , G02F2201/40 , H01L27/1225 , H01L27/3272 , H01L29/66969 , H01L29/78633 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明的半导体装置（100A）具有：薄膜晶体管（10）；形成在薄膜晶体管（10）上的第一绝缘层（9）；形成在第一绝缘层（9）上的具有开口部（21a）的第二绝缘层（11）；和以从基板（1）的法线方向看时与氧化物半导体层（5）重叠的方式形成的遮光层（12a），遮光层（12a）形成于开口部（21a），遮光层（12a）的上表面具有凸状的曲面，并且，第二绝缘层（11）的上表面与遮光层（12a）的上表面相比位于基板（1）侧。
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公开(公告)号：CN102870220B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201180021486.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L27/146
CPC classification number: H01L29/78663 , G02F1/13338 , G02F1/13624 , G06F3/0412 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。
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公开(公告)号：CN112309333B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010719792.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3266 , G09G3/36
Abstract: 在具备形成有多路分用电路的有源矩阵基板的显示装置中，分别生成向作为构成该多路分用电路的开关元件的多个连接控制晶体管的栅极端子施加的多个连接控制信号的升压电路设置于该多路分用电路内。各升压电路的内部节点经由通过其他升压电路的内部节点的升压后的电压成为接通状态的晶体管而被预充电，其后，该升压电路的内部节点的电压通过给予多路分用电路的控制信号经由升压电容器而被升压。将该升压后的内部节点的电压作为连接控制信号而给予连接控制晶体管的栅极端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110596974B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910476177.1
申请日：2019-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G02F1/1368
Abstract: 一种显示面板和显示装置，抑制具有氧化物半导体膜的晶体管的电特性的变化。在液晶面板(10)中，在阵列基板(30)的非显示区域(NAA)中形成为单片的行控制电路部(GDM电路)(82)具备具有氧化物半导体膜(33)而构成的非显示区域用TFT(70)。构成为，在形成于CF基板(20)的非显示区域(NAA)的包括遮光膜(22)的周边遮光部(22B)中，在俯视时与非显示区域用TFT(70)的至少第1沟道部(74)重叠的位置设置开口部(22H)，通过了开口部(22H)的光能照射到非显示区域用TFT(70)并被吸收。
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公开(公告)号：CN109690661A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780053900.4
申请日：2017-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 有源矩阵基板(1001)具备：多个检查用TFT(10Q)，其配置在非显示区域(900)；以及检查电路(200)，其包含多个检查用TFT(10Q)，多个检查用TFT(10Q)的至少一部分配置在搭载半导体芯片的半导体芯片搭载区域(R)内，多个检查用TFT(10Q)各自包含：半导体层；下部栅极电极(FG)，其隔着栅极绝缘层配置在半导体层的基板侧；上部栅极电极(BG)，其隔着包含第1绝缘层的绝缘层配置在半导体层的与基板相反的一侧；以及源极电极和漏极电极，其连接到半导体层。
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公开(公告)号：CN102822981B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201180017085.9
申请日：2011-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/146
Abstract: 本发明的电路基板（1）包括与二维排列的像素对应或者与上述像素的规定数量的一组对应地设置于同一绝缘性基板（2）上的多个晶体管元件。该多个晶体管元件的至少一个是包括氧化物半导体作为沟道层（11）的氧化物TFT（10），至少另一个是包括例如非晶硅半导体作为沟道层（21）的a-SiTFT（20）。氧化物TFT（10）和a-SiTFT（20）均是底部栅极型的晶体管。
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公开(公告)号：CN114883340A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210094561.7
申请日：2022-01-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备包含第1TFT和第2TFT的多个氧化物半导体TFT，各第1TFT具备第1下部电极、第1绝缘层、第1氧化物半导体层以及第1栅极电极，在从基板的法线方向观看时，第1氧化物半导体层包含与第1栅极电极重叠的第1沟道区域，第1下部电极具有与整个第1沟道区域重叠的第1遮光部，第1遮光部包含第1金属膜，各第2TFT具备第2下部电极、第1绝缘层、第2氧化物半导体层以及第2栅极电极，在从基板的法线方向观看时，第2氧化物半导体层包含与第2栅极电极重叠的第2沟道区域，第2下部电极具有与第2沟道区域的至少一部分重叠的光透射部，光透射部包含第1透明导电膜，但不包含遮光性的金属膜。
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公开(公告)号：CN112712778A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011079976.4
申请日：2020-10-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 设置于具备有源矩阵基板的显示装置的多路分配电路包括分别与多组源极总线组对应的多个多路分配器，上述多组源极总线组通过以两个以上源极总线为一组对该有源矩阵基板的源极总线进行分组而获得，上述多路分配电路具有分别与该多个多路分配器对应的多个输入端子。各多路分配器包括：分别与对应的组的两个以上源极总线对应的两个以上的主开关元件、分别与该两个以上的主开关元件并联连接的两个以上的副开关元件，上述的各输入端子经由该两个以上的主开关元件分别与该两个以上源极总线连接，且被控制为该两个以上的副开关元件的每一个在比对应的主开关元件断开的时刻延迟的时刻断开。
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