公开(公告)号：CN101743629B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200880024475.7

申请日：2008-06-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  桥本真人

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种半导体装置，其具备至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有沟道形成区域、包含源极区域和漏极区域的晶质半导体层、控制沟道形成区域的导电性的栅极电极、设置在半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘膜以及分别连接源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极，源极区域和漏极区域中的至少一方区域包含成为施主或者受主的元素和稀有气体元素，沟道形成区域不包含稀有气体元素，稀有气体元素的原子量大于成为施主或者受主的元素的原子量，至少一方区域在厚度方向上的稀有气体元素浓度从至少一方区域的上表面向下表面连续降低。

公开(公告)号：CN101075622B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710109270.6

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 半导体器件及其制造方法催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN1292489C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200310123024.8

申请日：2003-12-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/06 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明提供通过防止TFT截止动作时增大漏泄电流的现象，从而提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。该半导体装置配有薄膜晶体管，该晶体管具有：含有沟道区、源区和漏区的半导体层；设置在半导体层上的栅极绝缘膜；以及控制沟道区的导电性的栅电极，半导体层的表面有微小的凸部，栅电极的侧面的倾斜角大于半导体层的凸部的倾斜角。

公开(公告)号：CN105612608A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055288.0

申请日：2014-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  刀根觉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：基板(11)；第一薄膜晶体管(10A)，其由基板(11)支承，具有主要包含结晶硅的第一有源区域(13c)；和第二薄膜晶体管(10B)，其由基板(11)支承，具有第二有源区域(17c)，该第二有源区域(17c)主要包含具有结晶部分的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN102197485A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142295.3

申请日：2009-10-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  中辻广志

IPC: H01L27/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14665 ,  G06F3/042 ,  G09G5/10 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法以及显示装置。半导体装置具备薄膜晶体管(125)和薄膜二极管(126)，薄膜晶体管(125)的半导体层(108)和薄膜二极管(126)的半导体层(109)是通过使同一晶质半导体膜结晶而形成的晶质半导体层，在薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面形成有脊部，薄膜二极管(126)的半导体层(109)的表面粗糙度比薄膜晶体管(125)的半导体层(108)的表面粗糙度大。

公开(公告)号：CN101075622A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710109270.6

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN1445853A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03105465.X

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN1051877C

公开(公告)日：2000-04-26

申请号：CN95103967.9

申请日：1995-04-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  山元良高

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78654

Abstract: 提供一种制造半导体器件之方法，该器件有源区域之晶态硅膜形成于基板之绝缘表面上。方法包括下述步骤：在基板上形成第一非晶态硅膜；在成膜前后，选择性地导入促进结晶之催化剂元素；对该膜加热使之结晶化，在导入元素周围，其方向大致与基板表面平行；在晶态硅膜上形成绝缘薄膜，并将该膜及晶态硅膜部分去除，以沿结晶生长方向形成线状边界；在晶态硅膜上形成第二非晶态硅膜；及以加热或以激光束或强光照射，使之结晶化。

公开(公告)号：CN1120240A

公开(公告)日：1996-04-10

申请号：CN95103967.9

申请日：1995-04-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  山元良高

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78654

Abstract: 提供一种制造半导体器件之方法，该器件有源区域之晶态硅膜形成于基板之绝缘表面上。方法包括下述步骤：在基板上形成第一非晶态硅膜；在成膜前后，选择性地导入促进结晶之催化剂元素；对该膜加热使之结晶化，在导入元素周围，其方向大致与基板表面平行；在晶态硅膜上形成绝缘薄膜，并将该膜及晶态硅膜部分去除，以沿结晶生长方向形成线状边界；在晶态硅膜上形成第二非晶态硅膜；及以加热或以激光束或强光照射，使之结晶化。

公开(公告)号：CN102047426A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119066.X

申请日：2009-05-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树

IPC: H01L27/146 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/861 ,  G02F1/13454 ,  G02F2201/58 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3269 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633

Abstract: 一种半导体装置，其具备薄膜晶体管126和薄膜二极管127，薄膜晶体管126的半导体层109t和薄膜二极管127的半导体层109d是通过使同一非晶质半导体膜结晶化而形成的结晶质半导体层，薄膜晶体管126的半导体层109t包括具有促进非晶质半导体膜的结晶化的功能的催化剂元素，薄膜二极管127的半导体层109d实质上不包含催化剂元素。