公开(公告)号：CN1329991C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03105465.X

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN101075622B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710109270.6

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 半导体器件及其制造方法催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN101075622A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710109270.6

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN1445853A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03105465.X

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 仲泽美佐子 ,  牧田直树

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 催化元素被添加到非晶半导体膜中并对其进行热处理，从而产生具有良好质量的结晶半导体膜，使用该结晶半导体膜获得具有满意特性的TFT(半导体器件)。半导体层包括含有浓度为1×1019/cm3～1×1021/cm3并且属于元素周期表的15族的杂质元素，和浓度为1.5×1019/cm3～3×1021/cm3且属于元素周期表的13族的杂质元素的一个区域，而且该区域是留在半导体膜(特别是沟道形成区)中的催化元素向其移动的区域。

公开(公告)号：CN1118521A

公开(公告)日：1996-03-13

申请号：CN95108329.5

申请日：1995-06-15

Applicant: 夏普公司 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 香西孝真 ,  牧田直树 ,  高山彻

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/8232 ,  G09G3/18 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种液晶显示器件包括：一包括液晶层的显示部分；一对夹持该液晶层的基片；许多位于这对基片之一上的以阵列方式分布的象素电极；许多分别连接到所述那些象素电极的第一薄膜晶体管，及被定位用于驱动所述显示部分的位于第一薄膜晶体管所在的基片上并有第二薄膜晶体管的外部驱动电路；各第一、二薄膜晶体管分别包括由第一、二晶体硅层构成的第一、二沟道层，包括促进结晶用的催化元素的第二晶体硅层比第一晶体硅层的迁移率更高。

公开(公告)号：CN1395319A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02124493.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  仲泽美佐子 ,  大沼英人 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621

Abstract: 解决了有关源/漏吸杂方法中的n沟道TFT的现有技术中的问题。在n沟道TFT中，其源/漏区仅仅含有n型杂质。因此，比之其源/漏区含有n型杂质和浓度更高的p型杂质的p沟道TFT，n沟道晶体管沟道区中的吸杂效率更低。因此，借助于在其源/漏区末端处提供含有n型杂质和p型杂质二者且p型杂质的浓度设置为高于n型杂质的浓度的高效吸杂区，能够解决n沟道TFT中吸杂效率差的问题。

公开(公告)号：CN1078014C

公开(公告)日：2002-01-16

申请号：CN95108531.X

申请日：1995-06-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  船井尚 ,  高山彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种半导体器件，包括衬底，其上面具有由减压化学汽相淀积制备的非晶硅膜，其特征在于利用结晶硅膜来设置薄膜晶体管，而该结晶硅膜是通过在含有选择地引入的金属元素的区域周围，平行于衬底表面进行晶体生长而获得的，通过选择地引入金属元素而获得的区域能够加速非晶硅膜的晶化，以后对该区域加热。

公开(公告)号：CN100524817C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN02154721.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 宫入秀和 ,  志贺爱之 ,  野村克己 ,  牧田直树 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过在JP8-78329A中公开的技术上添加新颖的改进，本发明提供了在其中改善了具有晶体结构的半导体薄膜的薄膜特性的制造方法。另外，还提供了将半导体薄膜用作有源层并且具有像场效应迁移率这样的较高TFT特性的TFT和制造TFT的方法。将促进硅结晶的金属元素添加到具有非晶体结构并且在薄膜中具有小于5×1018/cm3的氧浓度的半导体薄膜中。然后加热处理具有非晶体结构的半导体薄膜，形成具有晶体结构的半导体薄膜。随后，除去在表面上的氧化膜。将氧导入具有晶体结构的半导体薄膜中，进行处理以便于在薄膜中的氧浓度是从5×1018/cm3到1×1021/cm3。在从半导体薄膜的表面上除去氧化膜以后，通过在惰性气体环境下或者真空中照射激光来平整半导体薄膜表面。

公开(公告)号：CN1450594A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03110587.4

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。

公开(公告)号：CN1041148C

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN95104503.2

申请日：1995-03-28

Applicant: 夏普公司 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 船井尚 ,  牧田直树 ,  高山彻

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B13/22 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026

Abstract: 具有绝缘表面的衬底中，其绝缘表面上淀积非晶半导体膜，用发射加热光射线的热源局部加热非晶半导体膜中的预定被加热部分，移动热源或衬底使被加部分移动加热。因而，非晶半导体膜被顺序热处理和多晶化。用加热光射线辐射用邻近被加热部分的已经多晶化部分作为籽晶进行顺序多晶化处理。因此可按被加热部分的移动方向控制晶粒生长方向一致。