公开(公告)号：CN105612608A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055288.0

申请日：2014-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  刀根觉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：基板(11)；第一薄膜晶体管(10A)，其由基板(11)支承，具有主要包含结晶硅的第一有源区域(13c)；和第二薄膜晶体管(10B)，其由基板(11)支承，具有第二有源区域(17c)，该第二有源区域(17c)主要包含具有结晶部分的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN105612608B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201480055288.0

申请日：2014-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 牧田直树 ,  刀根觉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：基板(11)；第一薄膜晶体管(10A)，其由基板(11)支承，具有主要包含结晶硅的第一有源区域(13c)；和第二薄膜晶体管(10B)，其由基板(11)支承，具有第二有源区域(17c)，该第二有源区域(17c)主要包含具有结晶部分的氧化物半导体。