-
公开(公告)号：CN103201828A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053396.0
申请日：2011-10-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67115 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L29/7869
Abstract: 在氧化退火处理装置(1)的密闭容器状的装置主体(3)的内部配置有远红外线面状加热器(6)，连接对装置主体(3)内供给包含水蒸气和氧气的氧补充气体的氧补充气体供给管(8)和将装置主体(3)内的气体排出的排气管(11)，使氧补充气体供给管(8)与对基板(50)的氧缺陷部位喷射包含水蒸气和氧气的氧补充气体的喷嘴喷射口(16)连通。由此，即使是大型基板也能够在防止产生漏泄电流的同时以高吞吐量和低成本进行氧化退火处理。
-
公开(公告)号：CN101743629A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024475.7
申请日：2008-06-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/1214 , H01L27/1274 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78618
Abstract: 一种半导体装置，其具备至少一个薄膜晶体管116，所述薄膜晶体管116具有沟道形成区域110、包含源极区域和漏极区域113的晶质半导体层120、控制沟道形成区域110的导电性的栅极电极107、设置在半导体层120与栅极电极107之间的栅极绝缘膜106以及分别连接源极区域和漏极区域113的源极电极和漏极电极115，源极区域和漏极区域113中的至少一方区域包含成为施主或者受主的元素和稀有气体元素，沟道形成区域110不包含稀有气体元素，稀有气体元素的原子量大于成为施主或者受主的元素的原子量，至少一方区域在厚度方向上的稀有气体元素浓度从至少一方区域的上表面向下表面连续降低。
-
公开(公告)号：CN103201828B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201180053396.0
申请日：2011-10-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/67115 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L29/7869
Abstract: 在氧化退火处理装置(1)的密闭容器状的装置主体(3)的内部配置有远红外线面状加热器(6)，连接对装置主体(3)内供给包含水蒸气和氧气的氧补充气体的氧补充气体供给管(8)和将装置主体(3)内的气体排出的排气管(11)，使氧补充气体供给管(8)与对基板(50)的氧缺陷部位喷射包含水蒸气和氧气的氧补充气体的喷嘴喷射口(16)连通。由此，即使是大型基板也能够在防止产生漏泄电流的同时以高吞吐量和低成本进行氧化退火处理。
-
公开(公告)号：CN101743629B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880024475.7
申请日：2008-06-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/1214 , H01L27/1274 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78618
Abstract: 一种半导体装置，其具备至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有沟道形成区域、包含源极区域和漏极区域的晶质半导体层、控制沟道形成区域的导电性的栅极电极、设置在半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘膜以及分别连接源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极，源极区域和漏极区域中的至少一方区域包含成为施主或者受主的元素和稀有气体元素，沟道形成区域不包含稀有气体元素，稀有气体元素的原子量大于成为施主或者受主的元素的原子量，至少一方区域在厚度方向上的稀有气体元素浓度从至少一方区域的上表面向下表面连续降低。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
