公开(公告)号：CN1306570C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN03131016.8

申请日：2003-05-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大野芳睦 ,  李宗霑

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  C23C14/10

CPC classification number: H01L21/3165

Abstract: 本发明提供了一种硅片的低温氧化的方法，其包括：将硅片放置在真空室中；将硅片保持在大约室温-350℃；将选自O2和O3的氧化气体引入所述真空室；和用发出自准分子激光器的光来照射所述氧化气体和硅片以产生反应性氧种并在硅片上形成氧化层。

公开(公告)号：CN1285101C

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN03106094.3

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/1054 ,  Y10S438/933

Abstract: 本发明提供了一种松弛SiGe衬底的生产方法，其使用分子氢注入法来形成具有高锗含量的松弛硅锗层，该方法包括：在硅衬底上提供单晶硅缓冲层；提供一层覆盖单晶硅缓冲层的单晶硅锗(Si1-xGex)层；用离子化的分子氢(H2+)注入单晶硅锗(Si1-xGex)层；至少退火单晶硅锗(Si1-xGex)层；和作为对退火的响应，将单晶硅锗(Si1-xGex)层转换为松弛Si1-xGex层。

公开(公告)号：CN106063013A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011664.0

申请日：2015-03-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 汪龙 ,  鲁宇浩 ,  李宗霑

IPC: H01M10/05 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/485 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054

CPC classification number: H01M4/38 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/48 ,  H01M4/485 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M10/05 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  H01M2004/027

Abstract: 提供一种用于制造预负载有消耗性金属的阳极的方法。所述方法提供一种材料(X)，其可以为如下中的一种材料：碳、能与金属(Me)电化学合金化的金属、嵌入氧化物、电化学活性有机化合物和以上列出的材料的组合。所述方法将金属(Me)负载到材料(X)。典型地，Me为碱金属、碱土金属或二者的组合。结果，所述方法形成用于包含M1yM2z(CN)n.mH2O阴极的电池的包含Me/X的预负载的阳极，其中M1和M2为过渡金属。所述方法使用物理(机械)混合、化学反应或电化学反应将金属(Me)负载到材料(X)。还提供预负载有消耗性金属的预负载的阳极。

公开(公告)号：CN105981211A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007538.8

申请日：2015-02-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 鲁宇浩 ,  汪龙 ,  李宗霑

IPC: H01M10/058 ,  H01M4/58 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054

Abstract: 提供用于制造氰合金属酸盐阴极电池的方法。所述方法提供AXM1YM2Z(CN)N.mH2O的阴极，其中“A”选自第一组金属，并且其中M1和M2为过渡金属。所述方法提供阳极和将阳极与阴极隔开的金属离子渗透膜。还提供第三电极，其包含选自第一组金属的“B”金属离子。典型地，第一组金属包括碱金属和碱土金属。所述方法将“B”金属离子从第三电极嵌入至阳极、阴极或阳极和阴极二者以形成完全制造的电池。在一个方面，包含“B”金属离子的固体电解质界面(SEI)层覆盖阳极、阴极或阳极和阴极二者的表面。还提供氰合金属酸盐阴极电池。

公开(公告)号：CN105190964A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480024724.8

申请日：2014-04-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 鲁宇浩 ,  李宗霑 ,  大卫·埃文斯

IPC: H01M4/58 ,  C01C3/12 ,  H01M4/136

CPC classification number: C01C3/12 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/364 ,  H01M4/5825

Abstract: 本发明提供一种合成金属掺杂的过渡金属六氰合铁酸盐(TMHCF)电池电极的方法。所述方法制备AxFe(CN)6和Fe(CN)6的第一溶液，其中A阳离子可以是碱金属阳离子或碱土金属阳离子。所述方法将所述第一溶液添加到包含M离子和M`离子的第二溶液。M是过渡金属，且M`是金属掺杂剂。在搅拌之后，使所述混合物沉淀以形成AxMcM`dFez(CN)n.mH2O粒子。所述AxMcM`dFez(CN)n.mH2O粒子具有框架和在所述框架中的间隙空间，其中M和M`占据所述框架中的位置。或者，所述方法制备AaA`bMyFez(CN)n.mH2O粒子。A和A`占据所述AaA`bMyFez(CN)n.mH2O粒子框架中的间隙空间。本发明还提供一种金属掺杂的TMHCF电极。

公开(公告)号：CN104247131A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380020567.9

申请日：2013-04-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 鲁宇浩 ,  李宗霑 ,  西岛主明 ,  柿本诚三

IPC: H01M10/054 ,  H01M4/139 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/58 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/0566

CPC classification number: H01M4/136 ,  H01M4/0404 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/0459 ,  H01M4/1397 ,  H01M4/623 ,  H01M4/625 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明提供一种用于制备碱金属离子电池和碱土金属离子电池的电池结构。所述电池具有六氰基金属酸盐正极、非金属负极和非水电解质。本发明提供一种用于在电池组装之前形成所述六氰基金属酸盐电池正极和非金属电池负极的方法。所述正极包含在集电器上的六氰基金属酸盐粒子。所述六氰基金属酸盐粒子具有化学式A’n’AmM1xM2y(CN)6并具有普鲁士蓝六氰基金属酸盐晶体结构。所述六氰基金属酸盐粒子能够为碳-六氰基金属酸盐粒子的形式。

公开(公告)号：CN1263119C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN03102933.7

申请日：2003-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  李宗霑 ,  马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威特

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823878

Abstract: 一种用于生产CMOS器件的方法，包括：在硅基底上外延附生地形成应变硅锗SiGe层，其中应变硅锗SiGe层具有锗含量；外延附生地在应变硅锗SiGe层上形成硅保护层；在硅保护层上形成栅氧化层；在栅氧化层上淀积第一多晶硅层；将H+离子注入到在应变硅锗SiGe层和硅基底的界面之下的深度；通过浅沟槽隔离(STI)形成沟槽，所述沟槽延伸到硅基底中；将获得的结构退火以便松弛应变硅锗SiGe层；在所述结构上淀积氧化物层和第二多晶硅层，由此填满沟槽；将在上述步骤之后获得的结构平面化到位于沟槽中的第二多晶硅层的部分的水平面的顶部。

公开(公告)号：CN1237575C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03149086.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 道格拉斯·詹姆斯·特威特 ,  许胜籘 ,  马哲申 ,  李宗霑

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  C30B31/22 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种在硅基片上制造Si1-xGex膜的方法包括：制备硅基片；在该硅基片上外延沉积Si1-xGex层，在其间形成Si1-xGex/Si界面；在高于Tc的温度下无定形化Si1-xGex层，以形成无定形化的、分级的SiGe层；在约650℃-约1100℃的温度下将无定形的、分级的SiGe层退火约10秒钟-约60分钟，以重结晶SiGe层。

公开(公告)号：CN106575786B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580045193.5

申请日：2015-08-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 希达亚特·基什道约诺 ,  鲁宇浩 ,  李宗霑 ,  大卫·埃文斯 ,  汪龙

IPC: H01M8/18 ,  H01M12/08

CPC classification number: H01M12/08 ,  H01M8/188 ,  Y02E60/128

Abstract: 本发明提供一种空气阴极电池，所述空气阴极电池使用具有碳添加剂的锌浆料阳极。所述电池由空气阴极和锌浆料阳极制成。所述锌浆料阳极包含锌粒子和碱性电解质，在所述碱性电解质中具有络合剂和碳添加剂。透水性离子交换膜和电解质室将锌浆料与空气阴极隔开。碳添加剂可以例如为石墨、碳纤维、炭黑或碳纳米粒子。碳添加剂对锌的比例在2.5重量％至10重量％的范围内。碱性电解质在锌浆料中的比例在50体积％至80体积％的范围内。

公开(公告)号：CN104956527B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201380071590.0

申请日：2013-12-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 鲁宇浩 ,  希达亚特·基什达吉诺 ,  李宗霑 ,  戴维·埃文斯

IPC: H01M4/58 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0566

CPC classification number: H01M4/58 ,  C01C3/12 ,  H01M4/136 ,  H01M4/1397 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0566

Abstract: 提供了一种过渡金属铁氰化物(TMH)阴极蓄电池。该蓄电池具有AxMn[Fe(CN)6]y·zH2O阴极，其中A阳离子是碱金属或碱土金属阳离子，如钠或钾，其中x在1至2的范围内，其中y在0.5至1的范围内，且其中z在0至3.5的范围内。AxMn[Fe(CN)6]y·zH2O具有菱形晶体结构，其中Mn2+/3+和Fe2+/3+具有相同还原/氧化电位。该蓄电池还具有电解质，和由A金属、A复合材料或可以寄宿A原子的材料制成的阳极。蓄电池具有单一平台的充电曲线，其中单一平台的充电曲线定义为在15％至85％蓄电池蓄电量之间恒定的充电电压斜率。还提供了制造方法。